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2. 发明申请

WO1986004447A1 METHOD OF MAKING AN INTEGRATED FERROELECTRIC DEVICE, AND DEVICE PRODUCED THEREBY 审中-公开
标题翻译：制造集成式电磁装置的方法及其生产的装置
公开(公告)号：WO1986004447A1
公开(公告)日：1986-07-31
申请号：PCT/US1986000159
申请日：1986-01-24
申请人： RAMTRON CORPORATION
发明人： RAMTRON CORPORATION , McMILLAN, Larry , PAZ DE ARAUJO, Carlos , GODFREY, Bruce , O'KEEFE, Jack , ROHRER, George, A.
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： H01L27/11502
摘要： A combined integrated circuit/ferroelectric memory device using Phase III potassium nitrate as the ferroelectric material and which appears in the final device only at the crossover points of the top and bottom electrodes. The method of fabrication may use ion milling and ashing off of remaining resist. A method of making an integrated ferroelectric device comprising the steps of: (a) forming a first non-conductive layer (73) close to decode circuitry (68) of an integrated circuit (60); (b) forming channels (74-80) through layer (73); (c) forming trenches (89-95) in layer (73) next to channels (74-80); (d) completely filling channels (74-80) and partially filling trenches (89-95) with a first metal (98); (e) filling voids in trenches (89-95) with a second non-conductive material (99); (f) planarizing the upper surface (100) of layer (73), metal (98), and material (99); (g) forming a second non-conductive layer (102) on surface (100); (h) forming passages (103-113) through layer (102) next to trenches (89-95); (i) forming a ferroelectric layer (116) to overlie layer (102) and part of metal (98); (j) forming a second metal (117) to overlie layer (116); (k) removing undesired parts of metal (117), layer (116), and layer (102); (l) forming a third metal layer to overlie the remainder (121) of metal (117) and of layer (102), and exposed portions (120) of layer (116) and of first metal (98); and (m) removing undesired portions of the third metal layer.
摘要翻译：使用III型硝酸钾作为铁电材料并且仅在顶部和底部电极的交叉点处出现在最终装置中的组合集成电路/铁电存储器件。制造方法可以使用离子铣削和剩余抗蚀剂的灰化。一种制造集成铁电器件的方法，包括以下步骤：（a）形成靠近集成电路（60）的解码电路（68）的第一非导电层（73）; （b）通过层（73）形成通道（74-80）; （c）在通道（74-80）旁边的层（73）中形成沟槽（89-95）; （d）用第一金属（98）完全填充通道（74-80）和部分填充沟槽（89-95）; （e）用第二非导电材料（99）填充沟槽（89-95）中的空隙; （f）对层（73）的上表面（100），金属（98）和材料（99）进行平面化; （g）在表面（100）上形成第二非导电层（102）; （h）在沟槽（89-95）旁边通过层（102）形成通道（103-113）; （i）形成铁电层（116）以覆盖层（102）和部分金属（98）; （j）形成覆盖在层（116）上的第二金属（117）; （k）去除不需要的金属部分（117），层（116）和层（102）; （1）形成第三金属层以覆盖金属（117）和层（102）的剩余部分（121）和层（116）和第一金属（98）的暴露部分（120）; 和（m）去除所述第三金属层的不期望部分。

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