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1. 发明申请

WO2004064123A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：生产半导体组分的方法
公开(公告)号：WO2004064123A2
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/DE2003/004286
申请日：2003-12-23
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V , KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , BERNT, Helmut , FRIEDRICH, Detlef
发明人： KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , BERNT, Helmut , FRIEDRICH, Detlef
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/76283 , H01L27/088
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das wenigstens ein erstes vertikales Leistungsbauelement (5, 9) sowie wenigstens ein laterales, aktives Bauelement (6) und/oder zumindest ein zweites vertikales Leistungsbauelement (10) aufweist, zwischen denen wenigstens ein mit einer Isolierung (4) gefüllter Graben (2) angeordnet ist, sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Das Halbleiterbauelement zeichnet sich im Wesentlichen durch eine ex- oder konzentrische Anordnung der jeweiligen Funktionselemente (5, 6, 9, 10), die jeweils durch eine Trenchisolation voneinander getrennt sind, aus. Zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes wird in die Vorderseite eines Silizium Substrates (1) zumindest ein Graben (2) geätzt, der wenigstens eine Teilfläche der Vorderseite vollumfänglich umschließt und der anschließend mit einer Isolation (4) aufgefüllt wird. Im weiteren Verlauf des Verfahrens wird das Silizium-Substrat (1) von der Rückseite her bis an die Isolierung (4), also bis an die Unterseite der Isolation, ganzflächig gedünnt. Die Kontaktierung der Leistungsbauelemente (5, 9, 10) erfolgt von der Rückseite her.
摘要翻译：
描述的是一种半导体器件，包括至少一个第一垂直功率器件的制造（5,9）和至少一个横向，活性成分的方法（6）和/或至少一个第二垂直电源部件（10）在其之间布置有至少一个填充有绝缘体（4）的沟槽（2），以及通过该方法制造的半导体部件。半导体元件的主要特征在于各个功能元件（5,6,9,10）的偏心或同心布置，它们各自通过沟槽隔离彼此分开。为了制造这种半导体器件是在硅衬底的前部（1）的至少一个沟槽（2）GE＆AUML; TZT，所述至少一个子区域＆AUML;枝前vollumf＆AUML;可触及包围ROAD吨和随后的ROAD端具有绝缘（4）已列出。在该过程的进一步过程中，硅衬底（1）从背部完全蚀刻到绝缘体（4），即绝缘体的下侧。功率元件（5,9,10）的接触从后侧进行。

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