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1. 发明申请

WO2011056335A2 ELECTROSTATIC PROTECTION DEVICE 审中-公开
标题翻译：静电保护装置
公开(公告)号：WO2011056335A2
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：PCT/US2010051356
申请日：2010-10-04
申请人： ANALOG DEVICES INC
发明人： COYNE EDWARD JOHN , MCGUINNESS PATRICK MARTIN , DALY PAUL MALACHY , STENSON BERNARD PATRICK , CLARKE DAVID J , BAIN ANDREW DAVID , LANE WILLIAM ALLAN
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L27/0259 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/36 , H01L29/402 , H01L29/6625 , H01L29/735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An apparatus including an electrostatic discharge (ESD) protection device is disclosed. The ESD protection device includes a semiconductor having a first region (270), a second region (120) laterally surrounded by the first region (270), and a third region (130) laterally surrounded by the second region (120) to form a bipolar device. The first region (270) is doped with a first impurity of a first conductivity type and is separated from the second region (120) which is doped with a second impurity of a second conductivity type opposite the first type. A dimensional constraint of the regions defines an operational threshold of the ESD protection device. In one example, the separation between the first region (270) and the second region (120) defines a trigger voltage to cause the ESD protection device to become conducting. In another example, a width (310) of the second region (120) controls a holding voltage of the ESD protection device.
摘要翻译：公开了一种包括静电放电（ESD）保护装置的装置。 ESD保护装置包括具有第一区域（270），由第一区域（270）横向包围的第二区域（120）的半导体和由第二区域（120）横向包围的第三区域（130），以形成第二区域双极器件。第一区域（270）掺杂有第一导电类型的第一杂质，并且与第二区域（120）分离，第二区域掺杂有与第一类型相反的第二导电类型的第二杂质。这些区域的尺寸约束限定了ESD保护装置的操作阈值。在一个示例中，第一区域（270）和第二区域（120）之间的间隔限定了触发电压，以使ESD保护装置导通。在另一示例中，第二区域（120）的宽度（310）控制ESD保护装置的保持电压。

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