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1. 发明申请

WO2011115414A3 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011115414A3
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/KR2011/001813
申请日：2011-03-15
申请人： 한국광기술원 , 전성란 , 김재범 , 이승재
发明人： 전성란 , 김재범 , 이승재
IPC分类号： H01L33/08
摘要： 본 발명은 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판 상에 위치한 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치한 제1형 반도체층; 상기 제1형 반도체층 상에 위치하되, 상기 제1형 반도체층의 일부가 노출되도록 패턴화된 제1활성층; 상기 제1활성층에 의해 노출된 제1형 반도체층 상에 위치한 제2활성층; 및 상기 제1활성층 및 제2활성층 상에 위치하는 제2형 반도체층;을 포함하며, 상기 제1활성층과 제2활성층은 수평적으로 반복하여 배치되는 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명에 따른 다중발광소자는 제1활성층과 제2활성층을 수평적으로 반복 배치함으로써, 발광 효율 손실이 적으면서 다중 파장을 발광할 수 있다.

2. 发明申请

WO2012046955A2 질화물계 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：氮化物基半导体发光器件
公开(公告)号：WO2012046955A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/KR2011/006506
申请日：2011-09-01
申请人： 한국광기술원 , 전성란 , 송영호 , 김재범 , 김영우 , 천우영 , 김진홍
发明人： 전성란 , 송영호 , 김재범 , 김영우 , 천우영 , 김진홍
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로, 전자와 정공의 파동함수의 공간적 분포를 일치 시키므로서 발광에 기여하는 전자와 정공의 재결합률을 증가시켜 발광효율을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자는 n형 질화물층과, n형 질화물층 상에 형성된 활성층, 및 활성층 위에 형성된 p형 질화물층을 포함한다. 이때 스트레인 제어층은 활성층의 내부에 적어도 하나의 층으로 형성되며, 적어도 하나의 층 중 적어도 하나는 활성층의 양자우물층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는다. 스트레인 제어층은 활성층의 양자우물층이 형성된 영역에 개재된다. 그리고 스트레인 제어층의 에너지 밴드갭은 활성층의 양자장벽층의 에너지 밴드갭보다는 작다.
摘要翻译：
本发明通过增加促进的电子 - 空穴复合率提高了的发光效率，该站在发光因为匹配的电子和空穴波函数的氮化物系半导体发光器件上的空间分布意。根据本发明的氮化物系半导体发光器件包括形成在所述有源层上的p型氮化物层，以及形成在n型氮化物层和氮化物层，n型上的有源层。应变控制层是由至少一层活性层的内部形成，具有层中的至少一个的至少一个具有比所述有源层的量子阱层的能带隙大的能带隙。应变控制层介于形成有源层的量子阱层的区域。并且应变控制层的能带隙小于有源层的量子势垒层的能带隙。

3. 发明申请

WO2012046955A3 질화물계 반도체 발광소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2012046955A3
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/KR2011/006506
申请日：2011-09-01
申请人： 한국광기술원 , 전성란 , 송영호 , 김재범 , 김영우 , 천우영 , 김진홍
发明人： 전성란 , 송영호 , 김재범 , 김영우 , 천우영 , 김진홍
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/14
摘要： 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로, 전자와 정공의 파동함수의 공간적 분포를 일치 시키므로서 발광에 기여하는 전자와 정공의 재결합률을 증가시켜 발광효율을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자는 n형 질화물층과, n형 질화물층 상에 형성된 활성층, 및 활성층 위에 형성된 p형 질화물층을 포함한다. 이때 스트레인 제어층은 활성층의 내부에 적어도 하나의 층으로 형성되며, 적어도 하나의 층 중 적어도 하나는 활성층의 양자우물층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는다. 스트레인 제어층은 활성층의 양자우물층이 형성된 영역에 개재된다. 그리고 스트레인 제어층의 에너지 밴드갭은 활성층의 양자장벽층의 에너지 밴드갭보다는 작다.

4. 发明申请

WO2016163595A1 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016163595A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/KR2015/006689
申请日：2015-06-30
申请人： 한국광기술원
发明人： 이승재 , 최성철 , 백종협 , 전성란 , 김상묵 , 정태훈
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： C22C38/04 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자의 정전기(Electrostatic Discharge: ESD) 내압특성을 개선할 수 있는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, 상부면에 v-피트 구조를 갖는 제1전도성 반도체층에 전도성이 낮은 물질을 이용하여 평탄하게 형성되는 활성층과 제2전도성 반도체을 포함하거나 상부면에 v-피트 구조를 갖는 제1전도성 반도체층에 전도성이 낮은 물질을 이용하여 평탄화하고 활성층과 제2전도성 반도체층의 인접면에 v피트 구조를 가짐으로써, v피트 영역은 임계두께 이상이 되어 전도성이 매우 낮아서 전류의 이동이 차단되는 반면에, 그 이외 영역은 임계두께 이하를 가져 상부로 전류의 이동이 가능하여 누설전류 및 기타 소자의 내구성을 강화시키면서도 관통전위에 의해 발생되는 비발광 재결합을 줄여 광도 저하를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，其可以改善氮化物半导体发光器件的静电放电（ESD）内压特性。本发明的发光装置包括使用低导电性材料在其上表面上具有v凹坑结构的第一导电半导体层上形成的有源层，以及第二导电半导体或者在第二导电半导体层和有源层之间的接触表面上具有使用低导电性材料形成的V阱结构，在第一导电半导体层上具有v阱结构其上表面。因此，v坑区域的厚度等于或大于临界厚度，因此具有非常低的导电性，从而防止电流流动，而剩余区域的厚度等于或小于临界厚度，因此电流可以向上流动。因此，本发明具有减少电流泄漏和强化其它元件的耐久性的效果，同时减少由穿透位错产生的非辐射复合，从而使发光度降低最小化。本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，其可以改善氮化物半导体发光器件的静电放电（ESD）内压特性。本发明的发光装置包括使用低导电性材料在其上表面上具有v凹坑结构的第一导电半导体层上形成的有源层，以及第二导电半导体或者在第二导电半导体层和有源层之间的接触表面上具有使用低导电性材料形成的V阱结构，在第一导电半导体层上具有v阱结构其上表面。

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