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    • 1. 发明申请
    • VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLINEN KÖRPERN DURCH GERICHTETE ERSTARRUNG
    • 设备和生产结晶BODIES看凝固法
    • WO2009100694A1
    • 2009-08-20
    • PCT/DE2008/000275
    • 2008-02-14
    • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.DEUTSCHE SOLAR AGREIMANN, ChristianFRIEDRICH, JochenDIETRICH, Marc
    • REIMANN, ChristianFRIEDRICH, JochenDIETRICH, Marc
    • C30B11/00C30B29/06
    • C30B11/003C30B11/006C30B29/06Y10T117/10
    • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung von kristallinen Körpern mittels gerichteter Erstarrung. Die Vorrichtung weist einen Schmelzofen (11) mit einer Heizkammer (12) auf, in der wenigstens eine Auflagefläche (13) für einen Schmelztiegel (8) und wenigstens eine über der Auflagefläche (13) angeordnete Gasspülungseinrichtung mit einem der Auflagefläche (13) zugewandten Gasauslass ausgebildet sind. Die Vorrichtung zeichnet sich gemäß einer Alternative dadurch aus, dass der Gasauslass durch eine oder mehrere Öffnungen in einer unteren Stempelfläche eines stempelförmigen Körpers (2) gebildet ist, der eine an eine Innenform des Schmelztiegels (8) angepasste Geometrie aufweist, die ein zumindest teilweises Einführen des stempelförmigen Körpers (2) in den Schmelztiegel (8) ermöglicht. Die Gasspülungseinrichtung und/oder die Auflagefläche (13) weisen hierbei einen Verstellmechanismus aus oder sind derart verstellbar ausgebildet, dass sie eine Verstellung eines senkrechten Abstandes zwischen der Auflagefläche (13) und dem stempelförmigen Körper (2) ermöglichen. Mit der Vorrichtung und dem zugehörigen Verfahren lassen sich kohlenstoff- und sauerstoffhaltige Stoffe effizienter und besser kontrollierbar von der Schmelze wegführen. Die Vorrichtung und das Verfahren ermöglichen damit innerhalb gewisser Grenzen eine gezielte Einstellung des Kohlenstoff- und Sauerstoffgehaltes der kristallinen Körper.
    • 本发明涉及一种装置,并通过定向凝固的装置,用于生产结晶体的方法。 该装置包括一个熔化炉(11),其具有一个加热室(12),布置在所述至少一个支撑面(13),用于朝向所述气体出口的坩埚(8)和至少一个气体清除装置的支撑表面(13)与所述支承面中的一个(13)之上 形成。 该装置根据一个可选的特征在于,所述气体出口被一个或多个开口中的印模状的主体(2),这适合于在坩埚(8)的几何形状的内部形状,一个至少部分地引入的下冲压面形成 冲头形主体(2)在所述坩埚(8)允许。 气体冲洗装置和/或此情况下的轴承表面(13)具有一调整机构,或者是可调节的,从而形成以允许支撑表面(13)和冲头形主体(2)之间的垂直距离的调整。 与所述装置和相关联的处理材料可以是碳和含氧更有效和更可控的引线离开熔化物。 该设备和方法因此允许在一定范围内的结晶体中的碳和氧含量的具体调整。
    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GRUPPE-III-NITRID- VOLUMENKRISTALLEN ODER -KRISTALLSCHICHTEN AUS METALLSCHMELZEN
    • 用于生产III族氮化物的体积或晶体-KRISTALLSCHICHTEN金属液
    • WO2006037310A1
    • 2006-04-13
    • PCT/DE2005/001771
    • 2005-10-04
    • FRAUNHOFER-GESELLSSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.FRIEDRICH, JochenMÜLLER, GeorgAPELT, RainerMEISSNER, ElkeBIRKMANN, BernhardHUSSY, Stephan
    • FRIEDRICH, JochenMÜLLER, GeorgAPELT, RainerMEISSNER, ElkeBIRKMANN, BernhardHUSSY, Stephan
    • C30B29/40C30B19/02C30B17/00C30B9/00
    • C30B29/403C30B17/00C30B19/02
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kristallschichten oder Volumenkristallen aus Gruppe- III-Nitrid oder aus Mischungen verschiedener Gruppe- III-Nitride durch Abscheidung aus einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze bei einer ersten Temperatur in einem ersten Temperaturbereich, auf einem in die Metallschmelze eingebrachten Gruppe- III-Nitrid-Kristallkeim oder auf einem Fremdsubstrat, mit einem Stickstoffeintrag in die Metallschmelze bei einem Druck P. Bei dem Verfahren wird der Metallschmelze ein Lösungsmittelzusatz, der den Umsatz von Gruppe III Metall zu Gruppe- III-Nitrid in der Metallschmelze erhöht, zugegeben. Die Metallschmelze durchläuft zumindest einen Temperaturzyklus mit einer ersten und einer zweiten Prozessphase, in dem die Metallschmelze am Ende der ersten Prozessphase von der ersten Temperatur auf eine zweite Temperatur unterhalb des ersten Temperaturbereiches gekühlt und am Ende der zweiten Prozessphase von der zweiten Temperatur wieder auf eine Temperatur innerhalb des ersten Temperaturbereiches erwärmt wird. Mit dem angegebenen Verfahren lassen sich Gruppe III-Nitrid-Kristallschichten mit Dicken > 10 µm bzw. Massivkristalle mit einem Durchmesser > 10 mm bei Versetzungsdichten von 8 cm -2 bei Temperaturen unter 1100°C und Prozessdrücken unter 5 x 10 5 Pa herstellen.
    • 本发明涉及一种方法,用于生产液晶层或III族氮化物的或从组不同组III族氮化物通过沉积的混合物的块状晶体III含在第一温度范围内的第一温度的熔融金属,以一个在 熔融金属引入基团 - 或III族氮化物晶种异质衬底,在氮气进入金属在该方法的压力P.熔化,熔融金属是,另外的溶剂,从组金属三组销售III族氮化物中的金属熔液 增加补充说。 熔融金属通过至少一个温度循环与第一和第二过程阶段,其中所述熔融金属在从所述第一温度的所述第一处理阶段结束低于第一温度范围和在第二处理阶段的从第二温度结束回的温度冷却到第二温度 在第一温度范围内加热。 利用上述方法,用厚度> 10微米或固体晶体直径> 10毫米的<10的位错密度空白III族氮化物晶体层