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    • 4. 发明授权
      US07621782B1 Connector and light source apparatus 失效
    • Connector and light source apparatus
    • 连接器和光源装置
    • US07621782B1
    • 2009-11-24
    • US12368974
    • 2009-02-10
    • Yi-Hung Chen , Yu-Ju Liu , Chien-Chang Pei
    • Yi-Hung Chen , Yu-Ju Liu , Chien-Chang Pei
    • H01R33/00
    • H01R33/0854 , H01R4/06 , H01R12/57 , H01R12/58 , H01R12/7076 , H01R12/716 , H01R12/724 , H01R13/04 , H01R13/7175
    • A connector including an insulating base, two electrode rods, and two L-shaped electrode sheets is provided. The insulating base has a first side surface, a second side surface, a bottom surface connecting the first side surface and the second side surface, and two through holes. The two through holes pass through the insulating base and extend from the first side surface to the second side surface. The two electrode rods penetrate the two through holes, respectively. Each electrode rod has a first end and a second end, and the first end protrudes from the first side surface. Each L-shaped electrode sheet includes a bottom portion disposed on the bottom surface and a connection portion connected to the bottom portion. The connection portions are disposed on the second side surface and connected to the second ends of the two electrode rods, respectively. A light source apparatus is also provided.
    • 提供了包括绝缘基座，两个电极棒和两个L形电极片的连接器。 绝缘基底具有第一侧面，第二侧面，连接第一侧面和第二侧面的底面以及两个通孔。 两个通孔穿过绝缘基底并从第一侧表面延伸到第二侧表面。 两个电极棒分别穿透两个通孔。 每个电极棒具有第一端和第二端，并且第一端从第一侧表面突出。 每个L形电极片包括设置在底表面上的底部和连接到底部的连接部分。 连接部分分别设置在第二侧表面上并连接到两个电极棒的第二端。 还提供了光源装置。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 8. 发明授权
      US5328867A Peroxide clean before buried contact polysilicon deposition 失效
    • Peroxide clean before buried contact polysilicon deposition
    • 过氧化物清除后埋入多晶硅沉积
    • US5328867A
    • 1994-07-12
    • US57881
    • 1993-05-07
    • Sun-Chieh Chien , Yu-Ju Liu
    • Sun-Chieh Chien , Yu-Ju Liu
    • H01L21/306 , H01L21/44
    • H01L21/02052 , Y10S148/017 , Y10S148/118 , Y10S438/906
    • A method of removing impurities from the surface of an integrated circuit and forming a uniform thin native oxide layer on the same surface of an integrated circuit is described. A hydrofluoric acid solution, followed by a rinse and spin dry, is often used to remove gate oxide from within an opening etched in a polysilicon layer. The rinsing leaves water spots. Spin drying leaves impurities where water tracks were. An H.sub.2 O.sub.2 cleaning is performed to remove the water spots. After the cleaning, a uniform thin layer of native oxide is formed on the surface of the silicon substrate. A second layer of polysilicon is deposited over this first thin native oxide layer and doped with an implant dosage chosen so that it will go through the uniform native oxide layer. The substrate is annealed to drive in the buried contact. Processing continues to form polysilicon or silicide gate electrodes. Source and drain regions are formed within the openings to the silicon substrate between the gate electrodes. Spacers are formed on the sidewalls of the gate electrodes. An insulating layer is deposited over the surface of the silicon substrate. Contact openings are etched through the insulating layer to the second polysilicon layer and to the silicon substrate. A metal layer is deposited over the insulating layer and filling the openings to the second polysilicon layer and the silicon substrate. The metal layer is patterned, completing the formation of the buried contacts within the integrated circuit.
    • 描述了从集成电路的表面去除杂质并在集成电路的同一表面上形成均匀的薄的自然氧化物层的方法。 通常使用氢氟酸溶液，随后进行冲洗和旋转干燥，以从蚀刻在多晶硅层中的开口内除去栅极氧化物。 冲洗留下水斑。 旋转干燥留下水痕的杂质。 进行H2O2清洗以除去水斑。 在清洁之后，在硅衬底的表面上形成均匀的自然氧化物薄层。 第二层多晶硅沉积在该第一薄的自然氧化物层上，并且掺杂有选择的注入剂量，使得其将穿过均匀的自然氧化物层。 将衬底退火以在埋入触点中驱动。 处理继续形成多晶硅或硅化物栅电极。 源极和漏极区域形成在栅极电极之间的硅衬底的开口内。 隔板形成在栅电极的侧壁上。 绝缘层沉积在硅衬底的表面上。 接触开口通过绝缘层蚀刻到第二多晶硅层和硅衬底。 金属层沉积在绝缘层上并将开口填充到第二多晶硅层和硅衬底。 金属层被图案化，完成集成电路内的埋入触点的形成。
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    • 10. 发明授权
      US6086951A Method for forming metallic capacitor 有权
    • Method for forming metallic capacitor
    • 金属电容器形成方法
    • US6086951A
    • 2000-07-11
    • US332342
    • 1999-06-14
    • Chen-Bin Lin , Cheng-Hui Chung , Yu-Ju Liu
    • Chen-Bin Lin , Cheng-Hui Chung , Yu-Ju Liu
    • H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/8242
    • H01L28/55 , H01L28/60 , H01L21/76801 , H01L21/76838
    • A method of forming metallic capacitor. The method includes forming a lower electrode for forming the capacitor and a metal conductive line over an inter-layer dielectric such that there are gaps between and on the sides of the lower electrode and the metal conductive line. Thereafter, a first oxide layer is formed that fills the gap, and then a second oxide layer is formed over the inter-layer dielectric. The second oxide layer is later patterned to form a cap oxide layer having an opening that exposes a portion of the lower electrode. Subsequently, a thin dielectric layer is formed over the lower electrode and the cap oxide layer. Finally, an upper electrode is formed over the thin dielectric layer filling the opening.
    • 一种形成金属电容器的方法。 该方法包括形成用于形成电容器的下电极和在层间电介质上的金属导电线，使得在下电极和金属导线之间的两侧之间和之间存在间隙。 此后，形成填充间隙的第一氧化物层，然后在层间电介质上形成第二氧化物层。 随后将第二氧化物层图案化以形成具有暴露下部电极的一部分的开口的帽氧化物层。 随后，在下电极和盖氧化物层上形成薄介电层。 最后，在填充开口的薄介电层上形成上电极。
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