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1. 发明申请

US20040152271A1 Method of forming bottom oxide layer in trench structure 有权
标题翻译：在沟槽结构中形成底部氧化物层的方法
公开(公告)号：US20040152271A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：US10668454
申请日：2003-09-22
申请人： MOSEL VITELIC, INC.
发明人： Ta-Chung Wu , Yi-Chuan Yang , Shih-Chi Lai , Yew-Jung Chang
IPC分类号： H01L021/42 , H01L021/336 , H01L021/324 , H01L021/26 , H01L021/477
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L29/42368 , H01L29/7813
摘要： Embodiments of the invention are directed to a method of forming a bottom oxide in a trench structure. In one embodiment, the method includes steps of providing a semiconductor substrate and forming a trench structure in the semiconductor substrate; performing an PECVD process with TEOS as a source to deposit an oxide layer on the bottom and sidewall of the trench structure and the semiconductor substrate; and removing the oxide layer on the sidewall of the trench structure substantially completely and the oxide layer on the bottom of the trench structure partially to define the remained oxide layer as the bottom oxide layer.
摘要翻译：本发明的实施例涉及在沟槽结构中形成底部氧化物的方法。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底并在半导体衬底中形成沟槽结构; 以TEOS作为源进行PECVD处理，以在沟槽结构和半导体衬底的底部和侧壁上沉积氧化物层; 并且基本上完全去除沟槽结构的侧壁上的氧化物层，并且部分地去除沟槽结构的底部上的氧化物层以限定作为底部氧化物层的剩余氧化物层。

2. 发明申请

US20040203217A1 Bottom oxide formation process for preventing formation of voids in trench 有权
标题翻译：用于防止在沟槽中形成空隙的底部氧化物形成工艺
公开(公告)号：US20040203217A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：US10677568
申请日：2003-10-01
申请人： MOSEL VITELIC, INC.
发明人： Shih-Chi Lai , Yifu Chung , Yi-Chuan Yang , Jen-Chieh Chang , Jason Chien-Sung Chu , Chun-De Lin
IPC分类号： H01L021/76
CPC分类号： H01L21/763 , H01L21/76224 , H01L29/42368 , H01L29/66734
摘要： Embodiments of the present invention are directed to a method of forming a bottom oxide layer in the trench in semiconductor devices, such as Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor (DMOS) devices. In one embodiment, a method of forming a bottom oxide layer in a trench structure comprises providing a semiconductor substrate; forming a silicon nitride layer on the semiconductor substrate; forming a first oxide layer on the silicon nitride layer; forming a trench structure in the semiconductor substrate; forming a second oxide layer on a bottom and sidewalls of the trench and on a surface of the first oxide layer; removing the first oxide layer and the second oxide layer on the surface of the silicon nitride layer; and removing the second oxide layer on the sidewalls of the trench and a portion of the second oxide layer on the bottom of the trench.
摘要翻译：本发明的实施例涉及在诸如双扩散金属氧化物半导体（DMOS）器件的半导体器件中的沟槽中形成底部氧化物层的方法。在一个实施例中，在沟槽结构中形成底部氧化物层的方法包括提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成氮化硅层; 在所述氮化硅层上形成第一氧化物层; 在所述半导体衬底中形成沟槽结构; 在所述沟槽的底部和侧壁上以及所述第一氧化物层的表面上形成第二氧化物层; 去除氮化硅层表面上的第一氧化物层和第二氧化物层; 并且去除沟槽的侧壁上的第二氧化物层和沟槽底部上的第二氧化物层的一部分。

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