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    • 7. 发明申请
    • Lithographic method of manufacturing a device
    • 制造器件的平版印刷方法
    • US20060160029A1
    • 2006-07-20
    • US11367810
    • 2006-03-01
    • Peter DirksenCasparus JuffermansJohannes Van Wingerden
    • Peter DirksenCasparus JuffermansJohannes Van Wingerden
    • G03F7/00
    • H01L21/32139G03F1/26G03F1/36G03F7/0035
    • For lithographically manufacturing a device with a very high density, a design mask pattern (120) is distributed on a number of sub-patterns (120a, 120b, 120c) by means of a new method. The sub-patterns do not comprise “forbidden” structures (135) and can be transferred by conventional apparatus to a substrate layer to be patterned. For the transfer, a new stack of layers is used, which comprise a pair of a processing layer (22; 26) and an inorganic anti-reflection layer (24; 28) for each sub-pattern. After a first processing layer (26) has been patterned with a first sub-pattern, it is coated with a new resist layer (30) which is exposed with a second sub-pattern, and a second processing layer (22) under the first processing layer is processed with the second sub-pattern.
    • 为了光刻制造具有非常高密度的器件,通过新的方法将设计掩模图案(120)分布在多个子图案(120a,120b,120c)上。 子图案不包括“禁止”结构(135)并且可以通过常规设备传送到待图案化的基底层。 为了传送,使用新的层叠层,其包括用于每个子图案的一对处理层(22; 26)和无机抗反射层(24; 28)。 在第一处理层(26)已经被图案化为第一子图案之后,其被涂覆有用第二子图案曝光的新抗蚀剂层(30)和在第一子图案下方的第二处理层(22) 用第二子图案处理处理层。