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1. 发明授权

US07601991B2 On-chip structure for electrostatic discharge (ESD) protection 失效
标题翻译：用于静电放电（ESD）保护的片上结构
公开(公告)号：US07601991B2
公开(公告)日：2009-10-13
申请号：US11691018
申请日：2007-03-26
申请人： Javier A. Salcedo , Juin J. Liou , Joseph C. Bernier , Donald K. Whitney, Jr.
发明人： Javier A. Salcedo , Juin J. Liou , Joseph C. Bernier , Donald K. Whitney, Jr.
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要： A complementary SCR-based structure enables a tunable holding voltage for robust and versatile ESD protection. The structureare n-channel high-holding-voltage low-voltage -trigger silicon controller rectifier (N-HHLVTSCR) device and p-channel high-holding-voltage low-voltage -trigger silicon controller rectifier (P-HHLVTSCR) device. The regions of the N-HHLVTSCR and P-HHLVTSCR devices are formed during normal processing steps in a CMOS or BICMOS process. The spacing and dimensions of the doped regions of N-HHLVTSCR and P-HHLVTSCR devices are used to produce the desired characteristics. The tunable HHLVTSCRs makes possible the use of this protection circuit in a broad range of ESD applications including protecting integrated circuits where the I/O signal swing can be either within the range of the bias of the internal circuit or below/above the range of the bias of the internal circuit.
摘要翻译：互补的基于SCR的结构使得可调谐的保持电压具有稳健和通用的ESD保护。结构为n沟道高压保护电压低电压触发器硅控整流器（N-HHLVTSCR）器件和p沟道高保持电压低电压触发器硅控整流器（P-HHLVTSCR）器件。 N-HHLVTSCR和P-HHLVTSCR器件的区域在CMOS或BICMOS工艺的正常处理步骤期间形成。使用N-HHLVTSCR和P-HHLVTSCR器件的掺杂区域的间距和尺寸来产生所需的特性。可调谐的HHLVTSCR可以在广泛的ESD应用中使用该保护电路，包括保护集成电路，其中I / O信号摆幅可以在内部电路的偏置范围内或低于/高于内部电路的偏置。

2. 发明授权

US07202114B2 On-chip structure for electrostatic discharge (ESD) protection 失效
标题翻译：用于静电放电（ESD）保护的片上结构
公开(公告)号：US07202114B2
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：US11032154
申请日：2005-01-11
申请人： Javier A. Salcedo , Juin J. Liou , Joseph C. Bernier , Donald K. Whitney, Jr.
发明人： Javier A. Salcedo , Juin J. Liou , Joseph C. Bernier , Donald K. Whitney, Jr.
IPC分类号： H01L29/72 , H01L29/74 , H01L31/111
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要： A complementary SCR-based structure enables a tunable holding voltage for robust and versatile ESD protection. The structure are n-channel high-holding-voltage low-voltage-trigger silicon controller rectifier (N-HHLVTSCR) device and p-channel high-holding-voltage low-voltage-trigger silicon controller rectifier (P-HHLVTSCR) device. The regions of the N-HHLVTSCR and P-HHLVTSCR devices are formed during normal processing steps in a CMOS or BICMOS process. The spacing and dimensions of the doped regions of N-HHLVTSCR and P-HHLVTSCR devices are used to produce the desired characteristics. The tunable HHLVTSCRs makes possible the use of this protection circuit in a broad range of ESD applications including protecting integrated circuits where the I/O signal swing can be either within the range of the bias of the internal circuit or below/above the range of the bias of the internal circuit.
摘要翻译：互补的基于SCR的结构使得可调谐的保持电压具有稳健和通用的ESD保护。结构是n沟道高保持电压低压触发硅控整流器（N-HHLVTSCR）器件和p沟道高保持电压低压触发硅控整流器（P-HHLVTSCR）器件。 N-HHLVTSCR和P-HHLVTSCR器件的区域在CMOS或BICMOS工艺的正常处理步骤期间形成。使用N-HHLVTSCR和P-HHLVTSCR器件的掺杂区域的间距和尺寸来产生所需的特性。可调谐的HHLVTSCR可以在广泛的ESD应用中使用该保护电路，包括保护集成电路，其中I / O信号摆幅可以在内部电路的偏置范围内或低于/高于内部电路的偏置。

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