专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

US5252514A Process for producing a low-loss optical waveguide in an epitaxial silicon film 失效
标题翻译：在外延硅膜中制造低损耗光波导的方法
公开(公告)号：US5252514A
公开(公告)日：1993-10-12
申请号：US781249
申请日：1992-03-02
申请人： Bernd Schuppert
发明人： Bernd Schuppert
IPC分类号： G02B6/13 , G02B6/134 , H01L21/20
CPC分类号： G02B6/1342 , Y10S148/03 , Y10S148/035
摘要： A process for the production of a low-loss optical waveguide in an epitaxial silicon film is employed to form a silicon structural element with integrated electronic components in a silicon substrate. Between the silicon substrate and the epitaxial silicon film is an insulating film. The epitaxial film consists of silicon-on-insulator (SOI) material, which is an uncommon material. In order to carry out this process relatively cheaply, a lightly doped epitaxial silicon film is applied to the silicon substrate. A substance germanium and having a refractive index with a real component higher than that of silicon is diffused into the epitaxial silicon film.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE90 / 00497 Sec。 371日期：1992年3月2日 102（e）日期1992年3月2日PCT提交1990年6月29日PCT公布。公开号WO91 / 00534 1991年1月10日。用于在外延硅膜中制造低损耗光波导的方法用于在硅衬底中形成具有集成电子部件的硅结构元件。在硅衬底和外延硅膜之间是绝缘膜。外延膜由绝缘体上硅（SOI）材料构成，其是不常见的材料。为了相对便宜地进行该方法，将轻掺杂的外延硅膜施加到硅衬底。具有高于硅的实部成分的折射率的物质锗扩散到外延硅膜中。

2. 发明授权

US5280189A Semiconductor element with a silicon layer 失效
标题翻译：具有硅层的半导体元件
公开(公告)号：US5280189A
公开(公告)日：1994-01-18
申请号：US941051
申请日：1992-12-02
申请人： Bernd Schuppert , Armin Splett , Joachim Schmidtchen , Klaus Petermann
发明人： Bernd Schuppert , Armin Splett , Joachim Schmidtchen , Klaus Petermann
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/42 , G02F1/015 , G02F1/025 , H01L31/10 , H01L31/105 , H01L31/108 , H01L29/165 , H01L31/00
CPC分类号： H01L31/105 , G02B6/12004 , G02B6/42 , G02F1/025 , G02F2001/0151 , G02F2202/105
摘要： In a semiconductor element is shown having a silicon layer, a waveguide comprising silicon and a diode structure connected with external, conductive contacts. The diode structure is provided in such an arrangement to the waveguide that the diode structure can be influenced by electron hole pairs generated by photons in the waveguide. In order to create a semiconductor element with an optical waveguide and an integrated diode structure, in which high losses in the optical waveguide are avoided, the waveguide is weakly doped, and a germanium-rich layer is a component of the diode structure. The semiconductor element is well suited as a component in integrated optics for optical-electrical conversion.
摘要翻译：在具有硅层（1），含硅波导（2）和连接到外部导电触点（6,7）的二极管结构的半导体部件中，二极管结构与波导（2）的布置在它可以受到光子在波导（2）中产生的电子 - 空穴对的影响。为了构建具有光波导（2）的半导体部件和其中避免了光波导（2）的高损耗的集成二极管结构，波导（2）被轻微掺杂，锗层是二极管结构的一部分。该半导体元件适用于光电转换的集成光学元件。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式