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1. 发明授权

US08729661B2 Semiconductor structure and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：US08729661B2
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：US13379533
申请日：2011-04-25
申请人： Zhijiong Luo , Haizhou Yin , Huilong Zhu
发明人： Zhijiong Luo , Haizhou Yin , Huilong Zhu
IPC分类号： H01L21/70
CPC分类号： H01L21/02647 , H01L21/02639 , H01L21/76229
摘要： A semiconductor structure and a method for manufacturing the same are disclosed. The method comprises: disposing a first dielectric material layer on a first semiconductor layer and defining openings in the first dielectric material layer; epitaxially growing a second semiconductor layer on the first semiconductor layer via the openings defined in the first dielectric material layer, wherein the second semiconductor layer and the first semiconductor layer comprise different materials from each other; and forming plugs of a second dielectric material in the second semiconductor layer at positions where the openings are defined in the first dielectric material layer and also at middle positions between adjacent openings. According to embodiments of the disclosure, defects occurring during the heteroepitaxial growth can be effectively suppressed.
摘要翻译：公开了一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：在第一半导体层上设置第一介电材料层并在第一介电材料层中限定开口; 通过限定在第一介电材料层中的开口在第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中第二半导体层和第一半导体层包括彼此不同的材料; 以及在所述第二半导体层中形成所述第一介电材料层中所述开口的位置以及在相邻开口之间的中间位置处形成第二电介质材料的插塞。根据本公开的实施例，可以有效地抑制在异质外延生长期间发生的缺陷。

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