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    • 76. 发明授权
    • Memory cell with improved write margin
    • 具有改善写入容限的存储单元
    • US09111600B2
    • 2015-08-18
    • US13997633
    • 2012-03-30
    • Yih WangMuhammad M. KhellahFatih Hamzaoglu
    • Yih WangMuhammad M. KhellahFatih Hamzaoglu
    • G11C7/00G11C5/14G11C11/413
    • G11C11/419G11C5/14G11C5/147G11C5/148G11C11/4074G11C11/412G11C11/413G11C11/417
    • Described is an apparatus and system for improving write margin in memory cells. In one embodiment, the apparatus comprises: a first circuit to provide a pulse signal with a width; and a second circuit to receive the pulse signal and to generate a power supply for the memory cell, wherein the second circuit to reduce a level of the power supply below a data retention voltage level of the memory cell for a time period corresponding to the width of the pulse signal. In one embodiment, the apparatus comprises a column of memory cells having a high supply node and a low supply node; and a charge sharing circuit positioned in the column of memory cells, the charge sharing circuit coupled to the high and low supply nodes, the charge sharing circuit operable to reduce direct-current (DC) power consumption.
    • 描述了一种用于改善存储器单元中的写入裕度的装置和系统。 在一个实施例中,该装置包括:提供具有宽度的脉冲信号的第一电路; 以及第二电路,用于接收所述脉冲信号并产生用于所述存储器单元的电源,其中所述第二电路将所述电源的电平降低到所述存储单元的数据保持电压电平以下一段对应于所述宽度的时间段 的脉冲信号。 在一个实施例中,该装置包括具有高供应节点和低供应节点的一列存储器单元; 以及位于存储单元列中的电荷共享电路,所述电荷共享电路耦合到所述高电源节点和所述低电源节点,所述电荷共享电路可操作以减少直流(DC)功率消耗。