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61. 发明授权

US06657259B2 Multiple-plane FinFET CMOS 有权
标题翻译：多平面FinFET CMOS
公开(公告)号：US06657259B2
公开(公告)日：2003-12-02
申请号：US10011846
申请日：2001-12-04
申请人： David M. Fried , Edward J. Nowak
发明人： David M. Fried , Edward J. Nowak
IPC分类号： H01L2701
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/045 , H01L29/66795
摘要： The present invention provides FinFETs on the same substrate utilizing various crystal planes for FET current channels in order to optimize mobility and/or to reduce mobility. An embodiment of the present invention provides a substrate having a surface oriented on a first crystal plane that enables subsequent crystal planes for channels to be utilized. A first transistor is also provided having a first fin body. The first fin body has a sidewall forming a first channel, the sidewall oriented on a second crystal plane to provide a first carrier mobility. A second transistor is also provided having a second fin body. The second fin body has a sidewall forming a second channel, the sidewall oriented on a third crystal plane to provide a second carrier mobility that is different from the first carrier mobility.
摘要翻译：本发明在同一衬底上提供用于FET电流通道的各种晶面的FinFET，以优化移动性和/或降低移动性。本发明的一个实施例提供了一种具有取向在第一晶体平面上的表面的基板，其使得能够利用通道的随后的晶面。还提供了第一晶体管，其具有第一鳍体。第一翅片体具有形成第一通道的侧壁，所述侧壁定向在第二晶体平面上以提供第一载流子迁移率。还提供了具有第二鳍体的第二晶体管。第二鳍体具有形成第二通道的侧壁，所述侧壁定向在第三晶面上以提供不同于第一载流子迁移率的第二载流子迁移率。

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