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    • 52. 发明授权
    • Method for pattern formation
    • 图案形成方法
    • US08597873B2
    • 2013-12-03
    • US13592635
    • 2012-08-23
    • Yoshihisa Kawamura
    • Yoshihisa Kawamura
    • G03F7/26
    • H01L21/0271B82Y10/00B82Y40/00G03F7/0002G03F7/0035G03F7/0042G03F7/0043G03F7/038G03F7/0755G03F7/0757H01L21/31144H01L27/1052
    • According to one embodiment, a method for pattern formation comprises forming a first pattern on a first region of a processed film, forming a reverse material film, having a photosensitive compound, on the processed film so that the reverse material film covers the first pattern, exposing and developing the reverse material film and processing the reverse material film into a second pattern in a second region different from the first region on the processed film, applying etch-back, after exposing and developing the reverse material film, to the reverse material film to expose an upper surface of the first pattern and processing the reverse material film into a third pattern in the first region, and etching the processed film using the second pattern and the third pattern as masks.
    • 根据一个实施例,一种用于图案形成的方法包括在处理膜的第一区域上形成第一图案,在加工膜上形成具有感光性化合物的反向材料膜,使得反向材料膜覆盖第一图案, 曝光和显影反向材料膜并将反相材料膜在与处理膜上的第一区域不同的第二区域中处理成第二图案,在将反向材料膜曝光和显影之后施加回蚀刻到反向材料膜 以暴露第一图案的上表面,并将反向材料膜处理成第一区域中的第三图案,并且使用第二图案和第三图案作为掩模蚀刻处理的膜。