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    • 44. 发明授权
      US6069061A Method for forming polysilicon gate 有权
    • Method for forming polysilicon gate
    • 多晶硅栅极形成方法
    • US6069061A
    • 2000-05-30
    • US245648
    • 1999-02-08
    • Tony Lin , Water Lur
    • Tony Lin , Water Lur
    • H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49
    • H01L29/4933 , H01L21/28052 , H01L29/6659
    • A method is provided for forming a polysilicon gate. A stacked gate with a first polysilicon layer/an oxide layer/a second polysilicon layer multiple structure is formed. The invention provides another method for forming a polysilicon gate, in which a first polysilicon layer is formed and waits for a period of time. Then, a second polysilicon layer is formed on the first polysilicon layer. A grain boundary is formed between the first polysilicon layer and the second polysilicon layer. The invention provides still another method for forming a polysilicon gate, in which a polysilicon layer is formed at the temperature of about 600-700.degree. C. and the pressure of about 1-5 torr to form a small-grained polysilicon layer. The three methods for forming a polysilicon gate can prevent the heavy ions from passing through the polysilicon gate and the gate oxide layer into the substrate while performing a pre-amorphization implant process. The absence of these heavy ions in the substrate avoids the subthreshold kink side-effect.
    • 提供了形成多晶硅栅极的方法。 形成具有第一多晶硅层/氧化物层/第二多晶硅层多重结构的堆叠栅极。 本发明提供了形成多晶硅栅极的另一种方法，其中形成第一多晶硅层并等待一段时间。 然后，在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层。 在第一多晶硅层和第二多晶硅层之间形成晶界。 本发明提供另一种形成多晶硅栅极的方法，其中在约600-700℃的温度和约1-5托的压力下形成多晶硅层以形成小粒度多晶硅层。 用于形成多晶硅栅极的三种方法可以防止重离子在进行预非晶化注入工艺时通过多晶硅栅极和栅极氧化物层进入衬底。 衬底中没有这些重离子避免了亚阈值扭结副作用。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 46. 发明授权
      US6022785A Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor 失效
    • Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor
    • 制造金属氧化物半导体晶体管的方法
    • US6022785A
    • 2000-02-08
    • US126462
    • 1998-07-30
    • Wen-Kuan Yeh , Tony Lin
    • Wen-Kuan Yeh , Tony Lin
    • H01L21/336 , H01L29/10 , H01L21/425
    • H01L29/6659 , H01L29/1083
    • The invention discloses a method of forming a metal-oxide-semiconductor transistor. The method provides a substrate, where a gate structure is formed thereon. Next, a first spacer is formed on the sidewall of the gate structure. A pair of heavily doped regions is formed in the substrate. Then, an annealing process is performed to make the doped ions in the heavily doped regions uniformly distributed. Next, the first spacer is removed and a thin pad dielectric layer is formed over the substrate. Next, a first type halo structure is formed in the bottom portion of the source/drain region beneath the gate structure. A lightly doped region is formed between the gate structure and the first type halo structure and above the first type halo structure. An etching process is performed on the pad dielectric layer to form a second spacer and then the MOS transitor is completed.
    • 本发明公开了一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法。 该方法提供了其上形成栅极结构的衬底。 接下来，在栅极结构的侧壁上形成第一间隔物。 在衬底中形成一对重掺杂区域。 然后，进行退火处理以使重掺杂区域中的掺杂离子均匀分布。 接下来，去除第一间隔物，并在衬底上形成薄的衬垫介电层。 接下来，在栅极结构下面的源极/漏极区域的底部形成第一类型的晕结构。 在栅极结构和第一类型卤素结构之间并且在第一类型的晕结构之上形成轻掺杂区。 在焊盘电介质层上进行蚀刻处理以形成第二间隔物，然后完成MOS过渡电极。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 48. 发明授权
      US5874353A Method of forming a self-aligned silicide device 失效
    • Method of forming a self-aligned silicide device
    • 形成自对准硅化物器件的方法
    • US5874353A
    • 1999-02-23
    • US927321
    • 1997-09-11
    • Tony Lin , Water Lur , Shih-Wei Sun
    • Tony Lin , Water Lur , Shih-Wei Sun
    • H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L21/3205 , H01L21/4763
    • H01L29/665 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L29/4925 , H01L29/4941
    • A method of forming self-aligned silicide devices which includes providing a silicon substrate having shallow trench isolation regions for defining a device area formed therein; then, forming sequentially a gate oxide layer, a polysilicon layer, a first titanium nitride layer, a titanium silicide layer, a second titanium nitride layer and a silicon nitride layer over the substrate. After a gate electrode is etched out from the above layers, a titanium layer is deposited over the device, and then a self-aligned titanium silicide layer is formed using a heating process. The use of a titanium silicide layer having protective top and bottom titanium nitride layers, compared with a single tungsten silicide layer in a conventional method, provides for a self-aligned silicide device having a rather low gate resistance; being free from narrow width effect of a titanium self-aligned silicide layer; is applicable to self-aligned contact window processes, and avoids the cross-diffusion of doped ions in the polysilicon layer of a dual gate electrode having a tungsten polycide layer.
    • 一种形成自对准硅化物器件的方法，其包括提供具有浅沟槽隔离区域的硅衬底，用于限定其中形成的器件区域; 然后在衬底上依次形成栅氧化层，多晶硅层，第一氮化钛层，硅化钛层，第二氮化钛层和氮化硅层。 在从上述层蚀刻出栅电极之后，在器件上沉积钛层，然后使用加热工艺形成自对准硅化钛层。 与常规方法中的单个硅化钨层相比，使用具有保护性顶部和底部氮化钛层的硅化钛层提供具有相当低的栅极电阻的自对准硅化物器件; 没有钛自对准硅化物层的窄宽度效应; 适用于自对准接触窗工艺，并避免掺杂离子在具有钨多硅化物层的双栅电极的多晶硅层中的交叉扩散。
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