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    • 40. 发明申请
    • METHOD OF FORMING A STRUCTURE HAVING A GIANT RESISTANCE ANISOTROPY OR LOW-K DIELECTRIC
    • 形成具有抗电偶性或低K电介质结构的方法
    • US20100068828A1
    • 2010-03-18
    • US11584078
    • 2006-10-20
    • Shawn ThomasSteven SmithYi Wei
    • Shawn ThomasSteven SmithYi Wei
    • H01L21/3205
    • B82Y30/00B82Y40/00H01L27/2472H01L45/06H01L45/1233H01L45/1273H01L45/14H01L45/144H01L45/148
    • A method is provided involving the growth of carbon nanotubes to provide giant resistance anisotropy or a low-k dielectric. The method comprises growing a plurality of one-dimensional nanostructures (18) orthogonal to a first conductive layer (14). A dielectric material (22, 32, 60) is formed covering the plurality of one-dimensional nanostructures and then etched to remove a portion of the dielectric material (22, 32, 60) to expose the ends (24, 34, 68) of the one-dimensional nanostructures (18). A second conductive layer (26, 36, 84) is formed over the dielectric material (22, 32, 60) to make contact with the ends (24, 34, 68) of the one-dimensional nanostructures (18). One or both of the first (14) and second (26, 36, 84) layers may be patterned for accessing individual or groups of the one-dimensional nanostructures (18). In another exemplary embodiment, the one-dimensional nanostructures (18) may be removed prior to forming the second layer (84), thereby creating a high-k dielectric layer (32) between the first and second layers (14, 84).
    • 提供了一种涉及碳纳米管生长以提供巨大电阻各向异性或低k电介质的方法。 该方法包括生长与第一导电层(14)正交的多个一维纳米结构(18)。 形成覆盖多个一维纳米结构的电介质材料(22,32,60),然后蚀刻以去除电介质材料(22,32,60)的一部分以暴露端部(24,34,68)的端部 一维纳米结构(18)。 在电介质材料(22,32,60)之上形成第二导电层(26,36,84)以与一维纳米结构(18)的端部(24,34,68)接触。 第一(14)和第二(26,36,84)层中的一个或两个可以被图案化以访问一维纳米结构(18)的单个或一组。 在另一示例性实施例中,可以在形成第二层(84)之前去除一维纳米结构(18),从而在第一和第二层(14,84)之间形成高k电介质层(32)。