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    • 31. 发明授权
    • Advanced program verify for page mode flash memory
    • 高级程序验证页面模式闪存
    • US5748535A
    • 1998-05-05
    • US612968
    • 1996-03-04
    • Tien-Ler LinKota SoejimaJun TakahashiChun-Hsiung HungKong-Mou LiouRay-Lin Wan
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    • G11C16/04G11C16/32G11C16/34G11C7/00
    • G11C16/3436G11C16/0491G11C16/32G11C16/3445G11C16/3459
    • Flash EEPROM cell and array designs, and methods for programming the same result in efficient and accurate programming of a flash EEPROM chip. The flash EEPROM chip comprises a memory array including at least M rows and N columns of flash EEPROM cells. M word lines are each coupled to the flash EEPROM cells in one of the M rows of flash EEPROM cells. A plurality of bit lines are each coupled to the flash EEPROM cells in one of the N columns of flash EEPROM cells. A page buffer coupled to the plurality of bit lines supplies input data to N columns of flash EEPROM cells. Write control circuitry supplies programming voltages for programming input data to the flash EEPROM cells in response to the input data stored in the data input buffer. Verify circuitry automatically verifies programming of the page by resetting bits in the page buffer for each cell which passes.
    • PCT No.PCT / US95 / 00077 Sec。 371日期:1996年3月4日 102(e)1996年3月4日PCT PCT 1995年1月5日PCT公布。 公开号WO96 / 21227 日期1996年7月11日闪存EEPROM单元和阵列设计以及用于编程相同结果的快速EEPROM芯片的高效准确编程的方法。 快闪EEPROM芯片包括至少包括M行和N列快闪EEPROM单元的存储器阵列。 M个字线各自耦合到M行的快闪EEPROM单元之一中的快闪EEPROM单元。 多个位线各自耦合到快速EEPROM单元的N列之一中的快闪EEPROM单元。 耦合到多个位线的页缓冲器将快速EEPROM单元的输入数据提供给N列。 响应于存储在数据输入缓冲器中的输入数据,写控制电路提供用于将输入数据编程到闪存EEPROM单元的编程电压。 验证电路通过复位通过的每个单元的页面缓冲区中的位来自动验证页面的编程。