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21. 发明申请

US20130081688A1 BACK CONTACTS FOR THIN FILM SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：对薄膜太阳能电池返回联系
公开(公告)号：US20130081688A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：US13251509
申请日：2011-10-03
申请人： Haifan Liang , Hien Minh Huu Le , Jeroen Van Duren
发明人： Haifan Liang , Hien Minh Huu Le , Jeroen Van Duren
IPC分类号： H01L31/02
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/056 , H01L31/073 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： Method for forming back contact stacks for CIGS and CZTS TFPV solar cells are described wherein some embodiments include adhesion promoter layers, bulk current transport layers, stress management/diffusion barrier layers, optical reflector layers, and ohmic contact layers. Other back contact stacks include adhesion promoter layers, bulk current transport layers, diffusion barrier layers, and ohmic contact layers.
摘要翻译：描述了用于形成CIGS和CZTS TFPV太阳能电池的后接触堆叠的方法，其中一些实施方案包括粘合促进剂层，体电流传输层，应力管理/扩散阻挡层，光反射层和欧姆接触层。其它背接触堆叠包括粘附促进剂层，体电流传输层，扩散阻挡层和欧姆接触层。

22. 发明申请

US20120168304A1 Physical Vapor Deposition Tool with Gas Separation 审中-公开
标题翻译：具有气体分离的物理气相沉积工具
公开(公告)号：US20120168304A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：US12982397
申请日：2010-12-30
申请人： Hien Minh Huu Le , Mohd Fadzli Anwar Hassan
发明人： Hien Minh Huu Le , Mohd Fadzli Anwar Hassan
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/0036
摘要： Embodiments of the current invention describe a physical vapor deposition tool. The physical vapor deposition tool includes a housing, a substrate support positioned within the housing and configured to support a substrate, a first process head positioned over the substrate support and having a first target, a second process head positioned over the substrate support and having a second target, and a gas line to provide gas to the first process head. The first process head and the gas line are configured such that the gas provided to the first process head through the gas line interacts with ions ejected from the first target and does not interact with ions ejected from the second target.
摘要翻译：本发明的实施例描述了一种物理气相沉积工具。物理气相沉积工具包括壳体，位于壳体内并被配置为支撑衬底的衬底支撑件，位于衬底支撑件上并具有第一靶的第一工艺头，位于衬底支撑件上方的第二工艺头，第二目标和用于向第一处理头提供气体的气体管线。第一处理头和气体管线被配置为使得通过气体管线提供给第一处理头的气体与从第一靶标喷出的离子相互作用，并且不与从第二靶材排出的离子相互作用。

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