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21. 外观设计

USD591259S1 Cellular phone 有权
公开(公告)号：USD591259S1
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：US29321985
申请日：2008-07-28
申请人： Jung-Hyun Choi , Sang-Min Hyun , Chang-Hwan Hwang
设计人： Jung-Hyun Choi , Sang-Min Hyun , Chang-Hwan Hwang

22. 外观设计

USD578988S1 Portable phone 有权
公开(公告)号：USD578988S1
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：US29290663
申请日：2007-12-31
申请人： Jin-Man Chung , Jung-Hyun Choi , Seung-Min Park , Chang-Hwan Hwang
设计人： Jin-Man Chung , Jung-Hyun Choi , Seung-Min Park , Chang-Hwan Hwang

23. 外观设计

USD572222S1 Mobile phone 有权
公开(公告)号：USD572222S1
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：US29257731
申请日：2006-04-10
申请人： Jung-Hyun Choi , Sang-Min Hyun , Chang-Soo Lee
设计人： Jung-Hyun Choi , Sang-Min Hyun , Chang-Soo Lee

24. 外观设计

USD570321S1 Mobile phone 有权
公开(公告)号：USD570321S1
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：US29274870
申请日：2007-06-01
申请人： Jung-Hyun Choi , Sang-Min Hyun
设计人： Jung-Hyun Choi , Sang-Min Hyun

25. 外观设计

USD553604S1 Portable phone 有权
公开(公告)号：USD553604S1
公开(公告)日：2007-10-23
申请号：US29266246
申请日：2006-09-18
申请人： Jung-Hyun Choi , Hyoung-Shin Park , Sang-Min Hyun
设计人： Jung-Hyun Choi , Hyoung-Shin Park , Sang-Min Hyun

26. 外观设计

USD552583S1 Portable phone 有权
公开(公告)号：USD552583S1
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：US29266243
申请日：2006-09-18
申请人： Jung-Hyun Choi , Hyoung-Shin Park , Sang-Min Hyun
设计人： Jung-Hyun Choi , Hyoung-Shin Park , Sang-Min Hyun

27. 外观设计

USD545802S1 Portable phone 有权
公开(公告)号：USD545802S1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：US29255075
申请日：2006-03-06
申请人： Jung-Hyun Choi , Sang-min Hyun , Chang-Soo Lee
设计人： Jung-Hyun Choi , Sang-min Hyun , Chang-Soo Lee

28. 发明授权

US07647218B2 MOS varactor property detection method and MOS varactor manufacturing method using the same 失效
标题翻译： MOS变容二极管属性检测方法和MOS变容二极管制造方法相同
公开(公告)号：US07647218B2
公开(公告)日：2010-01-12
申请号：US11585454
申请日：2006-10-24
申请人： Jung Hyun Choi
发明人： Jung Hyun Choi
IPC分类号： G06F17/50 , G06F17/10
CPC分类号： H01L29/93 , H01L29/94
摘要： Disclosed is a method for detecting properties of a Metal Oxide Silicon (MOS) varactor, which includes: establishing a MOS varactor model equation in conjunction with an area of a gate; calculating values of the coefficients of the MOS varactor model equation through measurements for test materials; and extracting the properties of a capacitor of the MOS varactor using the calculated values of the coefficients. According to the method, the MOS varactor model equation can be expressed by Cgate=[Cigate×Area+Cpgate×Perimeter]×N, wherein, Cgate denotes gate capacitance for voltage applied to the gate, Cigate denotes intrinsic gate capacitance, Cpgate denotes perimeter gate capacitance, and N denotes the number of gate fingers. The MOS varactor model equation can be applicable to various sized capacitors, so that it is possible to estimate a gate capacitance for voltage applied to a gate, considering the differences due to the surface shapes of a device.
摘要翻译：公开了一种用于检测金属氧化物硅（MOS）变容二极管的性能的方法，其包括：与栅极的区域一起建立MOS变容二极管模型方程; 通过测试材料计算MOS变容二极管模型方程的系数值; 以及使用所计算的系数值来提取MOS变容二极管的电容器的特性。根据该方法，可以通过Cgate = [CigatexArea + CpgatexPerimeter] xN表示MOS变容二极管模型方程，其中，Cgate表示施加到栅极的电压的栅极电容，Cigate表示本征栅极电容，Cpgate表示周边栅极电容，N 表示门指的数量。考虑到由于器件的表面形状的差异，MOS变容二极管模型方程式可以适用于各种尺寸的电容器，从而可以估计施加到栅极的电压的栅极电容。

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