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11. 发明授权

US08988924B2 Method, system, and device for heating a phase change memory (PCM)cell 有权
标题翻译：用于加热相变存储器（PCM）单元的方法，系统和装置
公开(公告)号：US08988924B2
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：US13457363
申请日：2012-04-26
申请人： Jun Liu , Jian Li
发明人： Jun Liu , Jian Li
IPC分类号： G11C11/00 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/52 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/141
摘要： Embodiments disclosed herein may relate to heating a phase change memory (PCM) cell.
摘要翻译：本文公开的实施例可以涉及加热相变存储器（PCM）单元。

12. 发明授权

US08980930B2 Angiogenesis inhibitors 有权
标题翻译：血管生成抑制剂
公开(公告)号：US08980930B2
公开(公告)日：2015-03-17
申请号：US11630596
申请日：2005-06-27
申请人： Jun Liu , Curtis Chong , David J. Sullivan
发明人： Jun Liu , Curtis Chong , David J. Sullivan
IPC分类号： A01N43/64 , A61K31/41 , A61K31/58 , A61K31/00 , A61K31/365 , A61K31/4164 , A61K31/4196 , A61K31/47 , A61K31/496 , A61K31/7072 , A61K38/50 , A61F9/00 , A61K45/06
CPC分类号： A61K31/58 , A61F9/0008 , A61F9/0017 , A61K31/00 , A61K31/365 , A61K31/4164 , A61K31/4196 , A61K31/47 , A61K31/496 , A61K31/7072 , A61K38/50 , A61K45/06 , Y02A50/401
摘要： Described herein are methods of inhibiting angiogenesis, and treating or preventing a disease or disorder (or symptoms thereof) associated with angiogenesis, wherein an anti-angiogenesis compound is administered to a subject.
摘要翻译：本文描述了抑制血管发生，治疗或预防与血管发生相关的疾病或病症（或其症状）的方法，其中向受试者施用抗血管生成化合物。

13. 发明授权

US08961964B2 High concentration antibody and protein formulations 有权
标题翻译：高浓度抗体和蛋白质配方
公开(公告)号：US08961964B2
公开(公告)日：2015-02-24
申请号：US13165643
申请日：2011-06-21
申请人： Jun Liu , Steven J. Shire
发明人： Jun Liu , Steven J. Shire
IPC分类号： A61K39/395 , C07K16/42 , A61K9/00 , A61K47/18 , A61K47/26
CPC分类号： A61K39/39591 , A61K9/0019 , A61K9/08 , A61K39/39566 , A61K45/06 , A61K47/183 , A61K47/22 , A61K47/26 , A61K2039/505 , A61M5/20 , C07K16/4291 , C07K2317/21 , C07K2317/24 , C07K2317/94 , Y10S435/80
摘要： The present application relates to highly concentrated antibody and protein formulations with reduced viscosity that are stable, relatively isotonic and are of low turbidity. The formulations are particularly suitable for subcutaneous administration. The application further describes articles of manufacture containing such formulations and method for using them to treat disorders treatable by the formulated antibody or protein.
摘要翻译：本申请涉及具有降低的粘度的高度浓缩的抗体和蛋白质制剂，其是稳定的，相对等渗的并且具有低浊度。制剂特别适用于皮下给药。本申请进一步描述了含有这些制剂的制品及使用它们治疗由配制的抗体或蛋白质可治疗的疾病的方法。

14. 发明授权

US08878155B2 Resistance variable memory device with nanoparticle electrode and method of fabrication 有权
标题翻译：具有纳米颗粒电极的电阻可变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：US08878155B2
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：US13315557
申请日：2011-12-09
申请人： Jun Liu , Kristy A. Campbell
发明人： Jun Liu , Kristy A. Campbell
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1675 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , Y10S977/773
摘要： A chalcogenide-based programmable conductor memory device and method of forming the device, wherein a nanoparticle is provided between an electrode and a chalcogenide glass region. The method of forming the nanoparticle utilizes a template over the electrode or random deposition of the nanoparticle.
摘要翻译：一种基于硫族化物的可编程导体存储器件和形成该器件的方法，其中在电极和硫族化物玻璃区域之间提供纳米颗粒。形成纳米颗粒的方法利用电极上的模板或纳米颗粒的随机沉积。

15. 发明授权

US08835893B2 Resistive memory cell fabrication methods and devices 有权
标题翻译：电阻式存储单元制造方法和装置
公开(公告)号：US08835893B2
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：US13467920
申请日：2012-05-09
申请人： Jun Liu , Mike Violette
发明人： Jun Liu , Mike Violette
IPC分类号： H01L21/02 , H01L45/00 , G11C13/00 , H01L23/02 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C13/0004 , H01L21/02 , H01L23/02 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A phase change memory cell and methods of fabricating the same are presented. The memory cell includes a variable resistance region and a top and bottom electrode. The shapes of the variable resistance region and the top electrode are configured to evenly distribute a current with a generally hemispherical current density distribution around the first electrode.
摘要翻译：提出了相变存储单元及其制造方法。存储单元包括可变电阻区域和顶部和底部电极。可变电阻区域和顶部电极的形状被配置为在第一电极周围均匀地分布具有大致半球形的电流密度分布的电流。

16. 发明授权

US08809108B2 Phase change memory cell with constriction structure 有权
标题翻译：具有收缩结构的相变记忆体
公开(公告)号：US08809108B2
公开(公告)日：2014-08-19
申请号：US12950827
申请日：2010-11-19
申请人： Jun Liu , Michael P. Violette
发明人： Jun Liu , Michael P. Violette
IPC分类号： H01L21/00 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： Some embodiments include methods of forming memory cells. Such methods can include forming a first electrode, a second electrode, and a memory element directly contacting the first and second electrodes. Forming the memory element can include forming a programmable portion of the memory element isolated from the first electrode by a first portion of the memory element and isolated from the second electrode by a second portion of the memory element. Other embodiments are described.
摘要翻译：一些实施例包括形成存储器单元的方法。这样的方法可以包括形成第一电极，第二电极和直接接触第一和第二电极的存储元件。存储元件的形成可以包括通过存储元件的第一部分形成与第一电极隔离的存储元件的可编程部分，并通过存储元件的第二部分与第二电极隔离。描述其他实施例。

17. 发明授权

US08793674B2 Computer-guided holistic optimization of MapReduce applications 有权
标题翻译： MapReduce应用程序的计算机引导整体优化
公开(公告)号：US08793674B2
公开(公告)日：2014-07-29
申请号：US13622048
申请日：2012-09-18
申请人： Nishkam Ravi , Jun Liu , Srimat T. Chakradhar
发明人： Nishkam Ravi , Jun Liu , Srimat T. Chakradhar
IPC分类号： G06F9/45 , G06F9/44
CPC分类号： G06F8/443 , G06F8/433 , G06F9/4488
摘要： A method for compiler-guided optimization of MapReduce type applications that includes applying transformations and optimizations to JAVA bytecode of an original application by an instrumenter which carries out static analysis to determine application properties depending on the optimization being performed and provides an output of optimized JAVA bytecode, and executing the application and analyzing generated trace and feeds information back into the instrumenter by a trace analyzer, the trace analyzer and instrumenter invoking each other iteratively and exchanging information through files.
摘要翻译：一种用于MapReduce类型应用程序的编译器引导优化的方法，其中包括通过执行静态分析以根据正在执行的优化来确定应用程序属性的原始应用程序的JAVA字节码应用转换和优化，并提供优化的JAVA字节码输出，并通过跟踪分析器，跟踪分析器和检测器进行迭代调用并通过文件交换信息来执行应用程序并分析产生的跟踪并将信息反馈给检测器。

18. 发明授权

US08774087B2 Signaling message prioritization 有权
标题翻译：信令消息优先级
公开(公告)号：US08774087B2
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：US12748288
申请日：2010-03-26
申请人： Pablo Tapia , Jun Liu , Mark McDiarmid
发明人： Pablo Tapia , Jun Liu , Mark McDiarmid
IPC分类号： H04W4/00
CPC分类号： H04L47/2441 , H04L47/14 , H04L47/2466 , H04W28/0268
摘要： Methods, system, and articles are described herein for receiving and prioritizing a plurality of signaling messages based at least on classifications of the signaling messages. At least a number of the signaling messages are processed in order of priority, the number processed being based at least on a volume of the signaling messages.
摘要翻译：本文描述了方法，系统和文章，用于至少基于信令消息的分类来接收和优先化多个信令消息。至少多个信令消息按照优先级的顺序进行处理，所处理的数量至少基于信令消息的卷。

19. 发明授权

US08735862B2 Memory cells, methods of forming memory cells and methods of forming memory arrays 有权
标题翻译：存储单元，形成存储单元的方法和形成存储器阵列的方法
公开(公告)号：US08735862B2
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：US13084011
申请日：2011-04-11
申请人： Jun Liu , John K. Zahurak
发明人： Jun Liu , John K. Zahurak
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要： Some embodiments include memory cells which have multiple programmable material structures between a pair of electrodes. One of the programmable material structures has a first edge, and another of the programmable material structures has a second edge that contacts the first edge. Some embodiments include methods of forming an array of memory cells. First programmable material segments are formed over bottom electrodes. The first programmable material segments extend along a first axis. Lines of second programmable material are formed over the first programmable material segments, and are formed to extend along a second axis that intersects the first axis. The second programmable material lines have lower surfaces that contact upper surfaces of the first programmable material segments. Top electrode lines are formed over the second programmable material lines.
摘要翻译：一些实施例包括在一对电极之间具有多个可编程材料结构的存储器单元。可编程材料结构之一具有第一边缘，另一个可编程材料结构具有接触第一边缘的第二边缘。一些实施例包括形成存储器单元阵列的方法。第一可编程材料段形成在底部电极上。第一可编程材料段沿第一轴线延伸。第二可编程材料的线形成在第一可编程材料段上，并且形成为沿与第一轴相交的第二轴线延伸。第二可编程材料线具有接触第一可编程材料段的上表面的下表面。顶部电极线形成在第二可编程材料线上。

20. 发明授权

US08717799B2 Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same 有权
标题翻译：具有界面粘合加热层的可变电阻记忆装置，使用其的系统及其形成方法
公开(公告)号：US08717799B2
公开(公告)日：2014-05-06
申请号：US13587465
申请日：2012-08-16
申请人： Jun Liu
发明人： Jun Liu
IPC分类号： G11C17/00
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
摘要： A variable resistance memory element and method of forming the same. The memory element includes a first electrode, a resistivity interfacial layer having a first surface coupled to said first electrode; a resistance changing material, e.g. a phase change material, having a first surface coupled to a second surface of said resistivity interfacial layer, and a second electrode coupled to a second surface of said resistance changing material.
摘要翻译：一种可变电阻记忆元件及其形成方法。存储元件包括第一电极，电阻率界面层，其具有耦合到所述第一电极的第一表面; 电阻变化材料，例如相变材料，具有耦合到所述电阻率界面层的第二表面的第一表面，以及耦合到所述电阻变化材料的第二表面的第二电极。

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