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    • 11. 发明授权
    • Method for manufacturing a reclaimable test pattern wafer for CMP applications
    • 制造用于CMP应用的可回收测试图案晶片的方法
    • US06809031B1
    • 2004-10-26
    • US09752610
    • 2000-12-27
    • Michael S. Lacy
    • Michael S. Lacy
    • H01L21302
    • H01L22/34H01L21/31051
    • In a method for manufacturing a test pattern wafer, a silicon substrate is provided. A sacrificial oxide layer is deposited over the silicon substrate, and simulated transistor structure test features are fabricated into and on the sacrificial oxide layer. Chemical mechanical polishing characterization is performed using the test pattern wafer which provides data for the characterization of the chemical mechanical polishing. The sacrificial oxide layer is then stripped along with the simulated transistor structure test features, allowing the silicon substrate to be reclaimed and to be used in the fabrication of subsequent test pattern wafers.
    • 在制造测试图案晶片的方法中,提供硅衬底。 在硅衬底上沉积牺牲氧化物层,并且将模拟的晶体管结构测试特征制造在牺牲氧化物层中和上。 使用提供化学机械抛光表征的数据的测试图案晶片进行化学机械抛光表征。 然后将牺牲氧化物层与模拟的晶体管结构测试特征一起剥离,允许回收硅衬底并用于后续测试图案晶片的制造。