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    • 16. 发明授权
    • State-monitoring memory element
    • 状态监视记忆元素
    • US08705309B2
    • 2014-04-22
    • US13915464
    • 2013-06-11
    • Cypress Semiconductor Corporation
    • Michael SheetsTimothy John Williams
    • G11C5/14
    • G11C5/14H03K19/17764
    • Embodiments of the invention relate to a state-monitoring memory element. The state-monitoring memory element may have a reduced ability to retain a logic state than other regular memory elements on an IC. Thus, if the state-monitoring memory elements fails or loses state during testing, it may be a good indicator that the IC's state retention may be in jeopardy, possibly requiring the IC to be reset. The state-monitoring memory element may be implemented by degrading an input voltage supply to the state-monitoring memory element across a diode and/or a transistor. One or more current sources may be used to stress the state-monitoring memory element. A logic analyzer may be used to analyze the integrity of the state-monitoring memory element and trigger appropriate actions in the IC, e.g., reset, halt, remove power, interrupt, responsive to detecting a failure in the state-monitoring memory element. Multiple state-monitoring memory elements may be distributed in different locations on the IC for better coverage.
    • 本发明的实施例涉及一种状态监视存储元件。 状态监视存储器元件可以具有比IC上的其它常规存储器元件保持逻辑状态更低的能力。 因此,如果在测试期间状态监视存储器元件失败或失去状态,则可能是IC的状态保持可能存在危险的良好指示,可能需要IC复位。 状态监视存储元件可以通过在二极管和/或晶体管上降低对状态监视存储元件的输入电压供应来实现。 可以使用一个或多个电流源来压力状态监视存储元件。 可以使用逻辑分析器来分析状态监视存储器元件的完整性,并且响应于检测状态监视存储器元件中的故障而触发IC中的适当动作,例如复位,停止,去除电源,中断。 多个状态监视存储器元件可以分布在IC上的不同位置以获得更好的覆盖。