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    • 99. 发明授权
    • Flat panel imaging device
    • 平板成像装置
    • US5917210A
    • 1999-06-29
    • US860544
    • 1997-06-30
    • Zhong Shou HuangJohn Wright
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    • G01T1/29G02F1/1368H01L27/12H01L27/146H01L29/786H01L31/119G02F1/13
    • H01L29/78696H01L27/12H01L27/146H01L29/786H01L29/78645H01L29/78648G02F1/1368
    • A novel thin film transistor (TFT) structure for minimizing parasitic capitances on both the drain and source electrodes. According to a first embodiment, a triple gate TFT is provided with an open gate structure in which the source and drain electrodes are non-overlapping with the top gate electrode. A pair of bottom gate electrodes being aligned respectively with the first gap between the gate and source and the second gap between the gate and drain. According to a second embodiment of the invention, a full transfer TFT switch is provided having a source, a drain, a bottom gate and semi-conductor layer therebetween, and a partial top gate overlapping a portion of the drain and a portion of the semiconductor layer for creating a generally triangular-shaped charge density distribution in the semiconductor layer for moving channel electrons toward the source electrode.
    • PCT No.PCT / CA95 / 00030 Sec。 371日期:1997年6月30日 102(e)日期1997年6月30日PCT 1995年1月19日PCT PCT。 公开号WO96 / 22616 PCT 日期1996年7月25日一种用于最小化漏极和源极两端的寄生电容的新型薄膜晶体管(TFT)结构。 根据第一实施例,三栅极TFT设置有栅极结构,其中源极和漏极与顶部栅电极不重叠。 一对底栅极分别对准栅极和源极之间的第一间隙以及栅极和漏极之间的第二间隙。 根据本发明的第二实施例,提供了一种全转印TFT开关,其中具有源极,漏极,底部栅极和半导体层,并且部分顶部栅极与漏极的一部分和半导体的一部分重叠 层,用于在半导体层中形成用于将沟道电子移向源电极的大致三角形的电荷密度分布。