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1. 发明授权

US08435419B2 Methods of processing substrates having metal materials 有权
标题翻译：处理具有金属材料的基板的方法
公开(公告)号：US08435419B2
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：US13014813
申请日：2011-01-27
申请人： Guowen Ding , Herrick Ng , Teh-Tien Sue , Benjamin Schwarz , Zhuang Li
发明人： Guowen Ding , Herrick Ng , Teh-Tien Sue , Benjamin Schwarz , Zhuang Li
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/31122 , H01L21/32136 , H01L21/32137
摘要： Methods of processing substrates having metal layers are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate comprising a metal layer having a patterned mask layer disposed above the metal layer, the method may include etching the metal layer through the patterned mask layer; and removing the patterned mask layer using a first plasma formed from a first process gas comprising oxygen (O2) and a carbohydrate. In some embodiments, a two step method with an additional second process gas comprising chlorine (Cl2) or a sulfur (S) containing gas, may provide an efficient way to remove patterned mask residue.
摘要翻译：本文提供了处理具有金属层的基板的方法。在一些实施例中，一种处理包括具有设置在金属层上方的图案化掩模层的金属层的衬底的方法，所述方法可以包括通过图案化掩模层蚀刻金属层; 以及使用由包含氧（O 2）和碳水化合物的第一工艺气体形成的第一等离子体去除图案化掩模层。在一些实施方案中，具有包含氯（Cl 2）或含硫（S））气体的另外的第二工艺气体的两步法可以提供去除图案化掩模残余物的有效方式。

2. 发明申请

US20110303639A1 METHODS FOR PROCESSING SUBSTRATES HAVING METAL HARD MASKS 审中-公开
标题翻译：用于处理金属硬掩模的基板的方法
公开(公告)号：US20110303639A1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：US13014832
申请日：2011-01-27
申请人： HERRICK NG , GUOWEN DING , TEH-TIEN SUE , BENJAMIN SCHWARZ , ZHUANG LI
发明人： HERRICK NG , GUOWEN DING , TEH-TIEN SUE , BENJAMIN SCHWARZ , ZHUANG LI
IPC分类号： C23F1/02
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136
摘要： Methods of processing metal hard masks are provided herein. In some embodiments, a method for processing a metal hard mask layer having a tri-layer resist disposed thereon is provided. A pattern is etched from a patterned photoresist layer into a second anti-reflective layer using a first plasma comprising chlorine. The pattern is etched into a first anti-reflective layer using a second plasma formed from a second process gas. The second anti-reflective layer is removed using a third plasma comprising chlorine (Cl2). The metal hard mask layer is etched using a fourth plasma comprising chlorine. The first anti-reflective layer is removed using a fifth plasma comprising oxygen (O2). In some embodiments, the process may be performed in a single process chamber. In some embodiments, the metal hard mask layer may be a titanium nitride (TiN) hard mask.
摘要翻译：本文提供了处理金属硬掩模的方法。在一些实施例中，提供了一种用于处理其上设置有三层抗蚀剂的金属硬掩模层的方法。使用包含氯的第一等离子体将图案从图案化的光致抗蚀剂层蚀刻成第二抗反射层。使用由第二工艺气体形成的第二等离子体将图案蚀刻到第一抗反射层中。使用包含氯（Cl 2）的第三等离子体去除第二抗反射层。使用包含氯的第四等离子体蚀刻金属硬掩模层。使用包含氧（O 2）的第五等离子体去除第一抗反射层。在一些实施方案中，该方法可以在单个处理室中进行。在一些实施例中，金属硬掩模层可以是氮化钛（TiN）硬掩模。

3. 发明申请

US20110306215A1 METHODS OF PROCESSING SUBSTRATES HAVING METAL MATERIALS 有权
标题翻译：处理金属材料基板的方法
公开(公告)号：US20110306215A1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：US13014813
申请日：2011-01-27
申请人： GUOWEN DING , HERRICK NG , TEH-TIEN SU , BENJAMIN SCHWARZ , ZHUANG LI
发明人： GUOWEN DING , HERRICK NG , TEH-TIEN SU , BENJAMIN SCHWARZ , ZHUANG LI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/31122 , H01L21/32136 , H01L21/32137
摘要： Methods of processing substrates having metal layers are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate comprising a metal layer having a patterned mask layer disposed above the metal layer, the method may include etching the metal layer through the patterned mask layer; and removing the patterned mask layer using a first plasma formed from a first process gas comprising oxygen (O2) and a carbohydrate. In some embodiments, a two step method with an additional second process gas comprising chlorine (Cl2) or a sulfur (S) containing gas, may provide an efficient way to remove patterned mask residue.
摘要翻译：本文提供了处理具有金属层的基板的方法。在一些实施例中，一种处理包括具有设置在金属层上方的图案化掩模层的金属层的衬底的方法，所述方法可以包括通过图案化掩模层蚀刻金属层; 以及使用由包含氧（O 2）和碳水化合物的第一工艺气体形成的第一等离子体去除图案化掩模层。在一些实施方案中，具有包含氯（Cl 2）或含硫（S））气体的另外的第二工艺气体的两步法可以提供去除图案化掩模残余物的有效方式。

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