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    • 2. 发明专利
    • 具有高深寬比微溝槽的導波管的製造方法
    • 具有高深宽比微沟槽的导波管的制造方法
    • TW201519502A
    • 2015-05-16
    • TW102141734
    • 2013-11-15
    • 財團法人金屬工業研究發展中心METAL INDUSTRIES RESEARCH&DEVELOPMENT CENTRE
    • 吳慶財鄭勝元
    • H01P11/00
    • 一種具有高深寬比微溝槽的導波管的製造方法,其步驟包括:首先製作具有高深寬比立體齒型天線的第一電鑄模具,其中心形成一通孔;其次將第一電鑄模具套接於第二電鑄模具,以組合為一組合電鑄模具,其第二電鑄模具有軸桿,軸桿表面係對應於通孔的形狀,並使第一電鑄模具以通孔緊密接合軸桿上;再以組合電鑄模具電鑄成形一包含組合電鑄模具的導波管組合件;去除導波管組合件中的組合電鑄模具,用以形成導波管,其對應於第二電鑄模具位置形成導波管之軸孔、對應於第一電鑄模具的立體齒型天線處的結構處形成導波管之多個高深寬比微溝槽。
    • 一种具有高深宽比微沟槽的导波管的制造方法,其步骤包括:首先制作具有高深宽比三維齿型天线的第一电铸模具,其中心形成一通孔;其次将第一电铸模具套接于第二电铸模具,以组合为一组合电铸模具,其第二电铸模具有轴杆,轴杆表面系对应于通孔的形状,并使第一电铸模具以通孔紧密接合轴杆上;再以组合电铸模具电铸成形一包含组合电铸模具的导波管组合件;去除导波管组合件中的组合电铸模具,用以形成导波管,其对应于第二电铸模具位置形成导波管之轴孔、对应于第一电铸模具的三維齿型天线处的结构处形成导波管之多个高深宽比微沟槽。
    • 7. 发明专利
    • 波導構造的製作方法
    • 波导构造的制作方法
    • TW201836209A
    • 2018-10-01
    • TW106109813
    • 2017-03-23
    • 國立中山大學NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
    • 邱逸仁CHIU, YI JEN王伯云WANG, PO YUN林蔚LIN, WEI陳揚臻CHEN, YANG JENG
    • H01P11/00
    • 一種波導構造的製作方法,其包含步驟:提供一層狀結構,包含:形成一第一型InGaAsP層於一基板上;形成一第一型InP層於該第一型InGaAsP層上;形成一主動層於該第一型InP層上,其中該主動層的材質包含鎵;形成一第二型InP層於該主動層上;以及形成一第二型InGaAsP層於該第二型InP層上;形成一SiO2圖案層於該第二型InGaAsP層上,其中該SiO2圖案層包含多個SiO2區域,且該些SiO2區域之間形成朝向一方向的至少一通道;以及對具有該SiO2圖案層的該層狀結構進行一快速熱退火處理,其中該快速熱退火處理的一處理溫度係介於720至760℃之間,一處理時間係介於60至240秒之間。
    • 一种波导构造的制作方法,其包含步骤:提供一层状结构,包含:形成一第一型InGaAsP层于一基板上;形成一第一型InP层于该第一型InGaAsP层上;形成一主动层于该第一型InP层上,其中该主动层的材质包含镓;形成一第二型InP层于该主动层上;以及形成一第二型InGaAsP层于该第二型InP层上;形成一SiO2图案层于该第二型InGaAsP层上,其中该SiO2图案层包含多个SiO2区域,且该些SiO2区域之间形成朝向一方向的至少一信道;以及对具有该SiO2图案层的该层状结构进行一快速热退火处理,其中该快速热退火处理的一处理温度系介于720至760℃之间,一处理时间系介于60至240秒之间。