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1. 发明专利

TWI699920B 覆有屏障之微透鏡膜有权
简体标题：覆有屏障之微透镜膜
公开(公告)号：TWI699920B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW103118143
申请日：2014-05-23
申请人：美商環球展覽公司 , UNIVERSAL DISPLAY CORPORATION
发明人：馬瑞青 , MA, RUIQING , 布朗茱麗亞J , BROWN, JULIA J. , 哈克麥可 , HACK, MICHAEL , 哈克斯納莫翰斯德哈西 , HARIKRISHNA MOHAN, SIDDHARTH , 麥可葛羅桂葛瑞 , MCGRAW, GREGORY
IPC分类号： H01L51/52 , H01L33/58 , H01L33/44

2. 发明专利

TW202027297A 量子點膜片總成及其製作方法审中-公开
简体标题：量子点膜片总成及其制作方法
公开(公告)号：TW202027297A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108101259
申请日：2019-01-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳奎百 , CHEN, KUEI-BAI , 陳宏碩 , CHEN, HUNG-SHAO , 蕭惠真 , HSIAO, HUI-CHEN , 鄭世彬 , CHENG, SHIH-PIN
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/44
摘要：一種量子點膜片總成，包含透明基板、量子點層、折射層、以及藍光吸收層。來自背光模組的光線能穿透透明基板。量子點層設置於透明基板上，將來透明基板的光線發散，其中量子點層的厚度小於20um。折射層設置於量子點層上，將來自量子點層所發散的光線聚歛，其中折射層的折射率為1.3至1.4。藍光吸收層設置於量子點層上，抑制通過量子點層所發散的光線中的藍光強度。如此，量子點膜片總成能透過連續製造過程，將量子點層達到更薄、更高均勻度，同時能抑制藍光，以達到所需色彩標準。
简体摘要：一种量子点膜片总成，包含透明基板、量子点层、折射层、以及蓝光吸收层。来自背光模块的光线能穿透透明基板。量子点层设置于透明基板上，将来透明基板的光线发散，其中量子点层的厚度小于20um。折射层设置于量子点层上，将来自量子点层所发散的光线聚敛，其中折射层的折射率为1.3至1.4。蓝光吸收层设置于量子点层上，抑制通过量子点层所发散的光线中的蓝光强度。如此，量子点膜片总成能透过连续制造过程，将量子点层达到更薄、更高均匀度，同时能抑制蓝光，以达到所需色彩标准。

3. 发明专利

TW202005110A 半導體發光元件以及半導體發光元件的製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件以及半导体发光组件的制造方法
公开(公告)号：TW202005110A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117940
申请日：2019-05-24
申请人：日商日機裝股份有限公司 , NIKKISO CO., LTD.
发明人：丹羽紀隆 , NIWA, NORITAKA , 稲津哲彦 , INAZU, TETSUHIKO
IPC分类号： H01L33/26 , H01L33/38 , H01L33/44
摘要：半導體發光元件10具備：n型半導體層24，設置於基板20上；AlGaN系半導體材料之活性層26，設置於n型半導體層24上之第一區域W1；p型半導體層30，設置於活性層26上；第一保護層36，設置於p型半導體層30上且由氧化矽(SiO2)或氮氧化矽(SiON)構成；第二保護層38，以被覆第一保護層36上、n型半導體層24上之與第一區域W1不同的第二區域W2、以及活性層26之側面的方式設置，且由氧化鋁(Al2O3)、氮氧化鋁(AlON)或氮化鋁(AlN)構成；p側電極34，與p型半導體層30上相接而設置；以及n側電極32，與n型半導體層24上相接而設置。
简体摘要：半导体发光组件10具备：n型半导体层24，设置于基板20上；AlGaN系半导体材料之活性层26，设置于n型半导体层24上之第一区域W1；p型半导体层30，设置于活性层26上；第一保护层36，设置于p型半导体层30上且由氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiON)构成；第二保护层38，以被覆第一保护层36上、n型半导体层24上之与第一区域W1不同的第二区域W2、以及活性层26之侧面的方式设置，且由氧化铝(Al2O3)、氮氧化铝(AlON)或氮化铝(AlN)构成；p侧电极34，与p型半导体层30上相接而设置；以及n侧电极32，与n型半导体层24上相接而设置。

4. 发明专利

TWI680589B 發光元件及其製造方法有权
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI680589B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW108106211
申请日：2019-02-25
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳祖偉 , CHEN, TSU-WEI , 郭雅佩 , KUO, YA-PEI , 洪仕馨 , HUNG, SHIH-HSING , 陳文斌 , CHEN, WEN-PIN , 李庚益 , LEE, KENT-YI , 張國瑞 , CHANG, KUO-JUI , 陳文泰 , CHEN, WEN-TAI , 陳國光 , CHEN, KUO-KUANG
IPC分类号： H01L33/26 , H01L33/44 , H01L33/48

5. 发明专利

TWI672829B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI672829B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107123133
申请日：2018-07-04
申请人：日商日機裝股份有限公司 , NIKKISO CO., LTD.
发明人：稲津哲彦 , INAZU, TETSUHIKO , 貝諾希利爾 , PERNOT, CYRIL
IPC分类号： H01L33/26 , H01L33/44

6. 发明专利

TW201921735A 半導體發光裝置及製造其之方法审中-公开
简体标题：半导体发光设备及制造其之方法
公开(公告)号：TW201921735A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130117
申请日：2018-08-29
申请人：日商斯坦雷電氣股份有限公司 , STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
发明人：大久保努 , OKUBO, TSUTOMU
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/44
摘要：本發明提供可輕易地調整輸出光之光強度的半導體發光裝置及製造該半導體發光裝置之方法。該半導體發光裝置包括：一基材；一發光元件，其安裝在該基材上；及一密封層，其設置在該基材上以便覆蓋該發光元件。該密封層包含樹脂及多數無機顏料顆粒。在藉由一雷射繞射散射粒徑分布測量方法測量之一體積基準粒徑分布中，該等無機顆粒具有等於或大於1mm且等於或小於50mm之一平均粒徑。該等無機顆粒係以朝向該基材之一方向變濃的一濃度分配。
简体摘要：本发明提供可轻易地调整输出光之光强度的半导体发光设备及制造该半导体发光设备之方法。该半导体发光设备包括：一基材；一发光组件，其安装在该基材上；及一密封层，其设置在该基材上以便覆盖该发光组件。该密封层包含树脂及多数无机颜料颗粒。在借由一激光绕射散射粒径分布测量方法测量之一体积基准粒径分布中，该等无机颗粒具有等于或大于1mm且等于或小于50mm之一平均粒径。该等无机颗粒系以朝向该基材之一方向变浓的一浓度分配。

7. 发明专利

TW201920487A 矽醇組成物、硬化物、接著劑、使矽醇組成物硬化之方法审中-公开
简体标题：硅醇组成物、硬化物、接着剂、使硅醇组成物硬化之方法
公开(公告)号：TW201920487A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128452
申请日：2018-08-15
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：山内一浩 , YAMAUCHI, KAZUHIRO
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/16 , C08G77/38 , C08K5/5435 , C08K3/36 , C09J183/04 , C09J11/06 , C09J11/04 , C09J5/06 , H01L33/44 , H01L33/56 , G02B3/00
摘要：本發明係提供一種矽醇組成物，其含有下述式(1)所示之環狀矽醇(A1)、及前述環狀矽醇的脫水縮合物(A2)；式(1)中，R1至R4分別獨立地為氟、芳基、乙烯基、烯丙基、經氟取代的直鏈狀或分支狀之碳數1至4的烷基、或非取代的直鏈狀或分支狀之碳數1至4的烷基；且該矽醇組成物在3μm的厚度時霧度為10%以下。
简体摘要：本发明系提供一种硅醇组成物，其含有下述式(1)所示之环状硅醇(A1)、及前述环状硅醇的脱水缩合物(A2)；式(1)中，R1至R4分别独立地为氟、芳基、乙烯基、烯丙基、经氟取代的直链状或分支状之碳数1至4的烷基、或非取代的直链状或分支状之碳数1至4的烷基；且该硅醇组成物在3μm的厚度时雾度为10%以下。

8. 实用新型

TWM569498U LED發光裝置有权
简体标题： LED发光设备
公开(公告)号：TWM569498U
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106219499
申请日：2017-12-29
申请人：大陸商廈門市三安光電科技有限公司
发明人：李興龍 , 廖啟維 , 徐宸科 , 黃永特
IPC分类号： H01L33/44

9. 发明专利

TW201840016A 陣列基板及其製造方法及顯示屏审中-公开
简体标题：数组基板及其制造方法及显示屏
公开(公告)号：TW201840016A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107126051
申请日：2018-07-27
申请人：大陸商昆山國顯光電有限公司 , KUNSHAN GO-VISIONOX OPTO-ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李瑶 , LI, YAO
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L51/56
摘要：本發明是關於一種陣列基板，包括：基底；形成於基底上的外連走線，該外連走線包括外連段和位於外連段內側的換線段；無機膜層，覆蓋在外連走線上，無機膜層中設置有用於使換線段部分露出的過孔以及用於使外連段露出的凹槽；以及金屬層，形成於無機膜層上，金屬層包括若干金屬走線，金屬走線通過過孔與換線段電性連接。上述陣列基板的外連段的上方沒有無機膜層，從而在彎折時，避免了無機膜層對外連段的擠壓，減小了應力，進而避免了外連段斷裂。本發明還提供了一種陣列基板的製造方法及顯示屏。
简体摘要：本发明是关于一种数组基板，包括：基底；形成于基底上的外连走线，该外连走线包括外连段和位于外连段内侧的换线段；无机膜层，覆盖在外连走在线，无机膜层中设置有用于使换线段部分露出的过孔以及用于使外连段露出的凹槽；以及金属层，形成于无机膜层上，金属层包括若干金属走线，金属走线通过过孔与换线段电性连接。上述数组基板的外连段的上方没有无机膜层，从而在弯折时，避免了无机膜层对外连段的挤压，减小了应力，进而避免了外连段断裂。本发明还提供了一种数组基板的制造方法及显示屏。

10. 发明专利

TW201832914A 波長轉換裝置审中-公开
简体标题：波长转换设备
公开(公告)号：TW201832914A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106127562
申请日：2017-08-15
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：郭柏村 , KUO, PO-TSUN , 陳琪 , CHEN, CHI , 呂俊賢 , LU, CHUN-HSIEN , 周彥伊 , CHOU, YEN-I , 張克蘇 , CHANG, KEH-SU
IPC分类号： B32B5/14 , B32B5/16 , B32B9/00 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/50
摘要：一種波長轉換裝置包含基板、波長轉換元件以及抗反射結構。波長轉換元件設置於基板上。抗反射結構包含複數個堆疊層。堆疊層由波長轉換元件依序堆疊。每一堆疊層由複數個奈米顆粒所排列而成。堆疊層的孔隙率由抗反射結構面向該波長轉換元件之第一側朝向抗反射結構背對波長轉換元件之第二側漸增。
简体摘要：一种波长转换设备包含基板、波长转换组件以及抗反射结构。波长转换组件设置于基板上。抗反射结构包含复数个堆栈层。堆栈层由波长转换组件依序堆栈。每一堆栈层由复数个奈米颗粒所排列而成。堆栈层的孔隙率由抗反射结构面向该波长转换组件之第一侧朝向抗反射结构背对波长转换组件之第二侧渐增。

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