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1. 发明专利

TWI673886B 太陽能電池及太陽能電池之製造方法有权
简体标题：太阳能电池及太阳能电池之制造方法
公开(公告)号：TWI673886B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104129041
申请日：2015-09-02
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡部武紀 , WATABE, TAKENORI , 大寛之 , OTSUKA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216

2. 发明专利

TWI650874B 高光電變換效率太陽電池及其製造方法有权
简体标题：高光电变换效率太阳电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI650874B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106110870
申请日：2017-03-30
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：三田怜 , MITTA, RYO , 渡部武紀 , WATABE, TAKENORI , 大寛之 , OHTSUKA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/18

3. 发明专利

TWI599684B 太陽能電池用ＦＺ矽單晶之製造方法及太陽能電池有权
简体标题：太阳能电池用ＦＺ硅单晶之制造方法及太阳能电池
公开(公告)号：TWI599684B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW105100160
申请日：2016-01-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大寛之 , OTSUKA, HIROYUKI
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/12 , H01L31/068
CPC分类号： C30B13/12 , C30B15/04 , C30B29/06 , H01L31/0288 , H01L31/068 , Y02E10/50

4. 发明专利

TWI559565B 具有鏡及光學披覆的垂直柱結構光伏打裝置有权
简体标题：具有镜及光学披覆的垂直柱结构光伏打设备
公开(公告)号：TWI559565B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW100141376
申请日：2011-11-11
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：俞榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L31/074 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/052
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/03529 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/103 , H01L31/105 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521

5. 发明专利

TW201637231A 太陽能電池用基板之製造方法及太陽能電池用基板审中-公开
简体标题：太阳能电池用基板之制造方法及太阳能电池用基板
公开(公告)号：TW201637231A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105100067
申请日：2016-01-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大寛之 , OTSUKA, HIROYUKI , 白井省三 , SHIRAI, SHOZO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/316
CPC分类号： H01L31/1804 , C30B29/06 , C30B31/08 , C30B31/185 , C30B33/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種太陽能電池用基板之製造方法，由單晶矽所構成的太陽能電池用基板之製造方法，其特徵為具有：製作矽單晶錠之步驟，從前述矽單晶錠切出矽基板之步驟，與對前述矽基板以溫度800℃以上、1200℃未滿進行低溫熱處理之步驟；在進行前述低溫熱處理之前，對前述矽單晶錠或前述矽基板以溫度1200℃以上進行30秒以上的高溫熱處理。藉此，提供一種即使在基板的氧濃度較多之場合下，也能抑制基板生命期低落之太陽能電池用基板之製造方法。
简体摘要：本发明系一种太阳能电池用基板之制造方法，由单晶硅所构成的太阳能电池用基板之制造方法，其特征为具有：制作硅单晶锭之步骤，从前述硅单晶锭切出硅基板之步骤，与对前述硅基板以温度800℃以上、1200℃未满进行低温热处理之步骤；在进行前述低温热处理之前，对前述硅单晶锭或前述硅基板以温度1200℃以上进行30秒以上的高温热处理。借此，提供一种即使在基板的氧浓度较多之场合下，也能抑制基板生命期低落之太阳能电池用基板之制造方法。

6. 发明专利

TW201635562A 用於太陽能電池的薄膜類金屬化之雷射終止層审中-公开
简体标题：用于太阳能电池的薄膜类金属化之激光终止层
公开(公告)号：TW201635562A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104141096
申请日：2015-12-08
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：夏班傑明伊恩 , HSIA, BENJAMIN IAN , 哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 希沃理察漢莫頓 , SEWELL, RICHARD HAMILTON , 金成德 , KIM, SUNG-DUG
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要：描述了一種太陽能電池的薄膜類金屬化方法以及所得的太陽能電池。舉例而言，太陽能電池的製造方法涉及了形成交替的複數個N型與P型半導體區域於基板中或基板上方。方法亦涉及形成漿料於交替的N型與P型半導體區域之相鄰者之間。方法亦涉及固化漿料以形成非導電性材料區域對準交替的N型與P型半導體區域之間的位置。方法亦包含黏著金屬薄膜至交替的N型與P型半導體區域。方法亦包含雷射剝蝕對準介於交替的N型與P型半導體區域之間的位置之金屬薄膜，以隔離對準交替的N型與P型半導體區域的剩餘金屬薄膜的區域。非導電性材料區域在雷射剝蝕期間作用為雷射終止。
简体摘要：描述了一种太阳能电池的薄膜类金属化方法以及所得的太阳能电池。举例而言，太阳能电池的制造方法涉及了形成交替的复数个N型与P型半导体区域于基板中或基板上方。方法亦涉及形成浆料于交替的N型与P型半导体区域之相邻者之间。方法亦涉及固化浆料以形成非导电性材料区域对准交替的N型与P型半导体区域之间的位置。方法亦包含黏着金属薄膜至交替的N型与P型半导体区域。方法亦包含激光剥蚀对准介于交替的N型与P型半导体区域之间的位置之金属薄膜，以隔离对准交替的N型与P型半导体区域的剩余金属薄膜的区域。非导电性材料区域在激光剥蚀期间作用为激光终止。

7. 发明专利

TW201630207A 太陽能電池及太陽能電池模組审中-公开
简体标题：太阳能电池及太阳能电池模块
公开(公告)号：TW201630207A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104137159
申请日：2015-11-11
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大寛之 , OTSUKA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/0288 , H01L31/03767 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種太陽能電池及太陽能電池模組，其中，具備將一方的主表面作為受光面，而將另一方的主表面作為背面之P型矽基板，而於前述背面上，部分性地加以形成之複數的背面電極，前述P型矽基板則於前述受光面之至少一部分具有N型層，且具有前述P型矽基板則與前述背面電極接觸之接觸範圍者之太陽能電池，其特徵為前述P型矽基板則為加以摻雜有鎵之矽基板，前述P型矽基板之阻抗率則為2.5Ω．cm以下，前述複數之背面電極之背面電極間距Prm[mm]與前述P型矽基板之阻抗率Rsub[Ω．cm]則滿足以下述式(1)所表示之關係之太陽能電池。經由此，加以提供在使用加以抑制光劣化的基板之太陽能電池中，加以抑制阻抗損失，而對於變換效率優越之太陽能電池及太陽能電池模組。
简体摘要：本发明系一种太阳能电池及太阳能电池模块，其中，具备将一方的主表面作为受光面，而将另一方的主表面作为背面之P型硅基板，而于前述背面上，部分性地加以形成之复数的背面电极，前述P型硅基板则于前述受光面之至少一部分具有N型层，且具有前述P型硅基板则与前述背面电极接触之接触范围者之太阳能电池，其特征为前述P型硅基板则为加以掺杂有镓之硅基板，前述P型硅基板之阻抗率则为2.5Ω．cm以下，前述复数之背面电极之背面电极间距Prm[mm]与前述P型硅基板之阻抗率Rsub[Ω．cm]则满足以下述式(1)所表示之关系之太阳能电池。经由此，加以提供在使用加以抑制光劣化的基板之太阳能电池中，加以抑制阻抗损失，而对于变换效率优越之太阳能电池及太阳能电池模块。

8. 发明专利

TW201624543A 具有擴散層的半導體基板的製造方法及具有擴散層的半導體基板审中-公开
简体标题：具有扩散层的半导体基板的制造方法及具有扩散层的半导体基板
公开(公告)号：TW201624543A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104127233
申请日：2015-08-20
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 倉田靖 , KURATA, YASUSHI , 芦沢寅之助 , ASHIZAWA, TORANOSUKE , 町井洋一 , MACHII, YOICHI , 佐藤英一 , SATOU, EIICHI , 清水成宜 , SHIMIZU, SHIGENORI , 清水麻理 , SHIMIZU, MARI , 佐藤鉄也 , SATO, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/22
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種具有擴散層的半導體基板的製造方法，其包括：將含有包含受體元素的化合物的p型擴散層形成組成物賦予至半導體基板上的步驟；實施熱擴散處理而形成p型擴散層的步驟；以及對所述半導體基板進行氧化的步驟。
简体摘要：一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，其包括：将含有包含受体元素的化合物的p型扩散层形成组成物赋予至半导体基板上的步骤；实施热扩散处理而形成p型扩散层的步骤；以及对所述半导体基板进行氧化的步骤。

9. 发明专利

TW201605065A 太陽能電池审中-公开
简体标题：太阳能电池
公开(公告)号：TW201605065A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103126058
申请日：2014-07-30
申请人：英穩達科技股份有限公司 , INVENTEC SOLAR ENERGY CORPORATION
发明人：陳傳祺 , CHEN, CHUAN CHI , 林佳龍 , LIN, CHIA LUNG , 簡榮吾 , CHIEN, JUNG WU
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池，包括基板、連續的射極擴散區、複數個不連續的基極擴散區、第一指狀電極與第二指狀電極。上述基板具有受光面與相對受光面之背光面。上述射極擴散區配置於背光面，用以收集太陽能電池中之少數電荷載子。上述基極擴散區配置於背光面，用以收集太陽能電池中之多數電荷載子。且射極擴散區環繞於複數個基極擴散區的周圍。上述每一基極擴散區為具有長軸與短軸之多邊形，其中短軸小於長軸。第一指狀電極配置於射極擴散區上方且電性連接射極擴散區。第二指狀電極配置於基極擴散區上方且電性連接基極擴散區。
简体摘要：一种太阳能电池，包括基板、连续的射极扩散区、复数个不连续的基极扩散区、第一指状电极与第二指状电极。上述基板具有受光面与相对受光面之背光面。上述射极扩散区配置于背光面，用以收集太阳能电池中之少数电荷载子。上述基极扩散区配置于背光面，用以收集太阳能电池中之多数电荷载子。且射极扩散区环绕于复数个基极扩散区的周围。上述每一基极扩散区为具有长轴与短轴之多边形，其中短轴小于长轴。第一指状电极配置于射极扩散区上方且电性连接射极扩散区。第二指状电极配置于基极扩散区上方且电性连接基极扩散区。

10. 发明专利

TWI517427B 結晶太陽能電池，其製造方法與太陽能電池模組之製造方法有权
简体标题：结晶太阳能电池，其制造方法与太阳能电池模块之制造方法
公开(公告)号：TWI517427B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW099131805
申请日：2010-09-17
申请人：首德太陽能股份有限公司 , SCHOTT SOLAR AG
发明人：納蓋爾漢寧 , NAGEL, HENNING
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02021 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/048 , H01L31/068 , Y02E10/547

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