专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201540881A 導電性ＧａＡｓ之結晶與基板及其等之製作方法审中-公开
简体标题：导电性ＧａＡｓ之结晶与基板及其等之制作方法
公开(公告)号：TW201540881A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104125136
申请日：2010-01-20
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：櫻田隆 , SAKURADA, TAKASHI , 川瀬智博 , KAWASE, TOMOHIRO
IPC分类号： C30B29/42 , C30B33/02
CPC分类号： H01B1/02 , C22F1/16 , C30B29/42 , C30B33/02 , Y10T428/24355
摘要：本發明之導電性GaAs結晶之特徵為：其具有大於1×1017cm-3之Si原子濃度，且結晶中所含有之尺寸為30nm以上之析出物之密度為400個cm-2以下。該情況下，導電性GaAs結晶較佳為具有2×102cm-2以下或1×103cm-2以上之位錯密度。
简体摘要：本发明之导电性GaAs结晶之特征为：其具有大于1×1017cm-3之Si原子浓度，且结晶中所含有之尺寸为30nm以上之析出物之密度为400个cm-2以下。该情况下，导电性GaAs结晶较佳为具有2×102cm-2以下或1×103cm-2以上之位错密度。

2. 发明专利

TWI381428B 具有ｐｎ接合之化合物半導體磊晶基板之製造方法有权
简体标题：具有ｐｎ接合之化合物半导体磊晶基板之制造方法
公开(公告)号：TWI381428B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW094122568
申请日：2005-07-04
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小廣健司 , KOHIRO, KENJI , 上田和正 , UEDA, KAZUMASA , 秦雅彥 , HATA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/04 , C30B29/42
CPC分类号： H01L29/861 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01L21/02639 , H01L29/66136

3. 发明专利

TW202027289A 發光元件用半導體基板之製造方法及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件用半导体基板之制造方法及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW202027289A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138141
申请日：2019-10-23
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：石崎順也 , ISHIZAKI, JUN-YA
IPC分类号： H01L31/0392 , C30B29/42 , C30B33/10
摘要：本發明為一種發光元件用半導體基板之製造方法及發光元件之製造方法，該發光元件用半導體基板之製造方法包含：於初始基板上形成選擇蝕刻層之步驟；將第一半導體層、活性層及第二半導體層依序藉由磊晶成長而形成，形成發光部之步驟；將支持基板與該初始基板接合，使其成為接合基板之步驟；以及藉由以蝕刻將該選擇蝕刻層除去，而將該初始基板從該接合基板除去之步驟；該方法，準備接合面側具有呈凸形之翹曲的支持基板，藉由利用該支持基板之該翹曲將該選擇蝕刻層從該接合基板之外周部緩緩往內側蝕刻，而將該初始基板從該接合基板剝離。藉此，提供一種發光元件用半導體基板之製造方法，藉由僅將選擇蝕刻層選擇性地蝕刻而將初始基板從磊晶功能層剝離，藉以使初始基板成為可再利用，可追求低成本化。
简体摘要：本发明为一种发光组件用半导体基板之制造方法及发光组件之制造方法，该发光组件用半导体基板之制造方法包含：于初始基板上形成选择蚀刻层之步骤；将第一半导体层、活性层及第二半导体层依序借由磊晶成长而形成，形成发光部之步骤；将支持基板与该初始基板接合，使其成为接合基板之步骤；以及借由以蚀刻将该选择蚀刻层除去，而将该初始基板从该接合基板除去之步骤；该方法，准备接合面侧具有呈凸形之翘曲的支持基板，借由利用该支持基板之该翘曲将该选择蚀刻层从该接合基板之外周部缓缓往内侧蚀刻，而将该初始基板从该接合基板剥离。借此，提供一种发光组件用半导体基板之制造方法，借由仅将选择蚀刻层选择性地蚀刻而将初始基板从磊晶功能层剥离，借以使初始基板成为可再利用，可追求低成本化。

4. 发明专利

TWI572752B GaAs單結晶晶圓有权
简体标题： GaAs单结晶晶圆
公开(公告)号：TWI572752B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105126455
申请日：2012-05-21
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：中村良一 , NAKAMURA,RYOICHI , 村上元一 , MURAKAMI,MOTOICHI , 宮地岳廣 , MIYAJI,TAKEHIRO
IPC分类号： C30B29/42
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/00 , C30B27/00 , C30B29/42

5. 发明专利

TWI641825B ＧａＡｓ結晶有权
简体标题：ＧａＡｓ结晶
公开(公告)号：TWI641825B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW104108193
申请日：2015-03-13
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷崎圭祐 , TANIZAKI, KEISUKE , 並川靖生 , NAMIKAWA, YASUO
IPC分类号： G01N21/65 , H01L33/30 , C01G15/00 , C30B29/42

6. 发明专利

TWI582277B ＧａＡｓ單結晶之製造方法及ＧａＡｓ單結晶晶圓有权
简体标题：ＧａＡｓ单结晶之制造方法及ＧａＡｓ单结晶晶圆
公开(公告)号：TWI582277B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW101117973
申请日：2012-05-21
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：中村良一 , NAKAMURA, RYOICHI , 村上元一 , MURAKAMI, MOTOICHI , 宮地岳廣 , MIYAJI, TAKEHIRO
IPC分类号： C30B29/42 , C30B11/04
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/00 , C30B27/00 , C30B29/42

7. 发明专利

TWI451008B 製造半導體或金屬氧化物鑄塊之裝置有权
简体标题：制造半导体或金属氧化物铸块之设备
公开(公告)号：TWI451008B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW101130142
申请日：2012-08-20
申请人：韓國化學研究院 , KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY
发明人：文相珍 , MOON, SANG JIN , 蘇源郁 , SO, WON WOOK , 朴東淳 , PARK, DONG SOON , 具明會 , KOO, MYUNG HOI
IPC分类号： C30B28/06 , F27B14/20 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/20 , C30B29/42
CPC分类号： C30B11/003 , B29C39/38 , B29C39/44 , C30B11/006 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/40 , Y10T117/1092

8. 发明专利

TW201907060A 砷化鎵晶體及砷化鎵結晶基板审中-公开
简体标题：砷化镓晶体及砷化镓结晶基板
公开(公告)号：TW201907060A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107109950
申请日：2018-03-23
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：福永寛 , FUKUNAGA, HIROSHI , 秋田勝史 , AKITA, KATSUSHI , 石川幸雄 , ISHIKAWA, YUKIO
IPC分类号： C30B29/42 , H01L21/18
摘要：本發明之砷化鎵晶體之蝕坑密度為10個・cm-2以上且10000個・cm-2以下，且氧濃度未達7.0×1015原子・cm-3。本發明之砷化鎵結晶基板之蝕坑密度為10個・cm-2以上且10000個・cm-2以下，且氧濃度未達7.0×1015原子・cm-3。
简体摘要：本发明之砷化镓晶体之蚀坑密度为10个・cm-2以上且10000个・cm-2以下，且氧浓度未达7.0×1015原子・cm-3。本发明之砷化镓结晶基板之蚀坑密度为10个・cm-2以上且10000个・cm-2以下，且氧浓度未达7.0×1015原子・cm-3。

9. 发明专利

TW201704569A GaAs單結晶晶圓审中-公开
简体标题： GaAs单结晶晶圆
公开(公告)号：TW201704569A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105126455
申请日：2012-05-21
申请人：同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：中村良一 , NAKAMURA,RYOICHI , 村上元一 , MURAKAMI,MOTOICHI , 宮地岳廣 , MIYAJI,TAKEHIRO
IPC分类号： C30B29/42
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/00 , C30B27/00 , C30B29/42
摘要：提供一種具有高載子濃度且具有高結晶性之GaAs單結晶之製造方法及GaAs單結晶晶圓。本發明係一種GaAs單結晶之製造方法，於將晶種10、成為雜質之Si原料12、GaAs原料14、固體之二氧化矽16、及氧化硼原料18收容至坩堝4內之狀態下進行垂直型晶舟法，使GaAs單結晶20成長。
简体摘要：提供一种具有高载子浓度且具有高结晶性之GaAs单结晶之制造方法及GaAs单结晶晶圆。本发明系一种GaAs单结晶之制造方法，于将晶种10、成为杂质之Si原料12、GaAs原料14、固体之二氧化硅16、及氧化硼原料18收容至坩埚4内之状态下进行垂直型晶舟法，使GaAs单结晶20成长。

10. 发明专利

TWI545237B 導電性ＧａＡｓ之結晶與基板及其等之製作方法有权
简体标题：导电性ＧａＡｓ之结晶与基板及其等之制作方法
公开(公告)号：TWI545237B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW099101509
申请日：2010-01-20
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：櫻田隆 , SAKURADA, TAKASHI , 川瀬智博 , KAWASE, TOMOHIRO
IPC分类号： C30B29/42 , C30B33/02
CPC分类号： H01B1/02 , C22F1/16 , C30B29/42 , C30B33/02 , Y10T428/24355

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式