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1. 发明专利

TWI643531B 粒子加速系統及粒子加速系統的調節方法有权
简体标题：粒子加速系统及粒子加速系统的调节方法
公开(公告)号：TWI643531B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106101035
申请日：2017-01-12
申请人：日商住友重機械工業股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷口愛実 , TANIGUCHI, MANAMI
IPC分类号： H05H1/54 , H05H7/22

2. 发明专利

TW201826888A 粒子加速系統及粒子加速系統的調節方法审中-公开
简体标题：粒子加速系统及粒子加速系统的调节方法
公开(公告)号：TW201826888A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106101035
申请日：2017-01-12
申请人：日商住友重機械工業股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷口愛実 , TANIGUCHI, MANAMI
IPC分类号： H05H1/54 , H05H7/22
摘要：本發明提供一種能夠與離子的種類無關地產生離子，並且將離子向加速器輸送之粒子加速系統及粒子加速系統的調節方法。該粒子加速系統及粒子加速系統的調節方法中，依離子的種類，調節離子源(10)相對於輸送部(30)之安裝角度及安裝位置。藉此，依離子的種類，適當調節離子的輸送路徑(P)。從而，無需改變以能夠將電子閉鎖於離子源(10)內的方式適當地調節之磁場的強度，便能夠將以期望的能量從離子源(10)內引出之離子經由輸送部(30)中規定之到達目標點(T)輸送，而到達加速器(20)。故此，能夠與離子的種類無關地產生離子，並且將離子向加速器(20)輸送。
简体摘要：本发明提供一种能够与离子的种类无关地产生离子，并且将离子向加速器输送之粒子加速系统及粒子加速系统的调节方法。该粒子加速系统及粒子加速系统的调节方法中，依离子的种类，调节离子源(10)相对于输送部(30)之安装角度及安装位置。借此，依离子的种类，适当调节离子的输送路径(P)。从而，无需改变以能够将电子闭锁于离子源(10)内的方式适当地调节之磁场的强度，便能够将以期望的能量从离子源(10)内引出之离子经由输送部(30)中规定之到达目标点(T)输送，而到达加速器(20)。故此，能够与离子的种类无关地产生离子，并且将离子向加速器(20)输送。

3. 发明专利

TW201519311A 具有離子加速器之雙腔室電漿蝕刻器审中-公开
简体标题：具有离子加速器之双腔室等离子蚀刻器
公开(公告)号：TW201519311A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103123849
申请日：2014-07-10
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：古哈喬伊迪普 , GUHA, JOYDEEP
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/54
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F4/00 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/32139 , H01L21/67069
摘要：本文中的實施例大體上係關於半導體處理方法及設備。更具體而言，本發明係關於用以蝕刻半導體基板的方法及設備。在反應腔室中設置一半導體基板之半成品。藉由格柵組件將該反應腔室分隔為一上子腔室及一下子腔室。於上子腔室中產生電漿，並將基板設置於下子腔室中。該格柵組件包括至少二格柵，對該等格柵其中每一者施加負偏壓，且該等格柵其中每一者包括了容許某些物種通過的穿孔。對最上面的格柵施加負偏壓以排斥電子。對最下面的格柵施加更強的負偏壓(相較於最上面的格柵)以使正離子從上子腔室加速至下子腔室。直接將蝕刻劑氣體供應至下子腔室。該蝕刻劑氣體及離子與基板表面進行反應以如吾人想要地蝕刻該基板。
简体摘要：本文中的实施例大体上系关于半导体处理方法及设备。更具体而言，本发明系关于用以蚀刻半导体基板的方法及设备。在反应腔室中设置一半导体基板之半成品。借由格栅组件将该反应腔室分隔为一上子腔室及一下子腔室。于上子腔室中产生等离子，并将基板设置于下子腔室中。该格栅组件包括至少二格栅，对该等格栅其中每一者施加负偏压，且该等格栅其中每一者包括了容许某些物种通过的穿孔。对最上面的格栅施加负偏压以排斥电子。对最下面的格栅施加更强的负偏压(相较于最上面的格栅)以使正离子从上子腔室加速至下子腔室。直接将蚀刻剂气体供应至下子腔室。该蚀刻剂气体及离子与基板表面进行反应以如吾人想要地蚀刻该基板。

4. 发明专利

TWI532085B 用於離子植入機之控制模組有权
简体标题：用于离子植入机之控制模块
公开(公告)号：TWI532085B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW101136688
申请日：2012-10-04
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/67 , H05H1/36 , H05H1/38 , H05H1/54
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32311 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32917 , H01J37/32972

5. 发明专利

TW201531169A 電漿蝕刻系統审中-公开
简体标题：等离子蚀刻系统
公开(公告)号：TW201531169A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103142658
申请日：2014-12-08
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：楊平 , 梁潔
IPC分类号： H05H1/54
摘要：一種電漿蝕刻系統，其特徵在於，包括，射頻源、終點檢測系統以及反應腔，所述終點檢測系統包括光譜儀，所述光譜儀包括光柵，其中，所述射頻源和所述光譜儀分別與所述反應腔連接，所述射頻源和所述光譜儀並聯連接；所述射頻源由第一脈衝訊號控制，所述光譜儀光柵的開關由第二脈衝訊號控制，所述第一脈衝訊號和所述第二脈衝訊號同步。通過本發明提供的電漿蝕刻系統能夠檢測脈衝電漿蝕刻工藝的終點。
简体摘要：一种等离子蚀刻系统，其特征在于，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。通过本发明提供的等离子蚀刻系统能够检测脉冲等离子蚀刻工艺的终点。

6. 发明专利

TWI544839B 電漿蝕刻系統有权
简体标题：等离子蚀刻系统
公开(公告)号：TWI544839B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103142658
申请日：2014-12-08
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司
发明人：楊平 , 梁潔
IPC分类号： H05H1/54

7. 发明专利

TW201334037A 用於離子植入機之控制模組审中-公开
简体标题：用于离子植入机之控制模块
公开(公告)号：TW201334037A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101136688
申请日：2012-10-04
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/67 , H05H1/36 , H05H1/38 , H05H1/54
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32311 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32917 , H01J37/32972
摘要：本發明涉及一種用於離子植入機的控制模組，具有電源供應，此電源供應包含：發電機(HT)，具有其正極連接到地；第一開關(SW1)，具有其連接到發電機(HT)的負極之第一極和其連接到電源供應的出口端子(S)之第二極；第二開關(SW2)，具有其連接到出口端子(S)之第一極，和具有其連接到中性化端子(N)之第二極；此控制模組亦包含用於測量第二開關(SW2)的第二極和中性化端子(N)之間流動的電流之電流測量電路(AMP)。本發明亦提供一種具有本控制模組之離子植入機。
简体摘要：本发明涉及一种用于离子植入机的控制模块，具有电源供应，此电源供应包含：发电机(HT)，具有其正极连接到地；第一开关(SW1)，具有其连接到发电机(HT)的负极之第一极和其连接到电源供应的出口端子(S)之第二极；第二开关(SW2)，具有其连接到出口端子(S)之第一极，和具有其连接到中性化端子(N)之第二极；此控制模块亦包含用于测量第二开关(SW2)的第二极和中性化端子(N)之间流动的电流之电流测量电路(AMP)。本发明亦提供一种具有本控制模块之离子植入机。

8. 发明专利

TWI685279B 電漿裝置有权
简体标题：等离子设备
公开(公告)号：TWI685279B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW108113263
申请日：2019-04-16
申请人：馗鼎奈米科技股份有限公司 , CREATING NANO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：徐逸明 , HSU, YI MING , 王朝俊 , WANG, CHAO CHUN , 李安仁 , LI, AN JEN
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/26 , H05H1/54 , H05H1/34

9. 发明专利

TW201922065A 用於保護光微影系統之壓力容器中之密封件之方法和裝置审中-公开
简体标题：用于保护光微影系统之压力容器中之密封件之方法和设备
公开(公告)号：TW201922065A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107133028
申请日：2018-09-19
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：貝瑟斯大衛 , BESSEMS, DAVID , 泰德羅瓊大衛 , TEDROW, JON DAVID , 歐登尼爾柯林麥可 , ODNEAL, COLIN MICHAEL
IPC分类号： H05H1/42 , H05H1/54
摘要：一種容器具有一密封件，該密封件藉由一定體積的氣體保護以免受該容器內之液體材料影響。該容器具有一分隔件，該分隔件將該容器劃分成兩個容積空間，使得與第一容積空間氣體連通之該密封件藉由該第一容積空間中之一定體積的氣體保護以免受第二容積空間中之該液體材料影響。
简体摘要：一种容器具有一密封件，该密封件借由一定体积的气体保护以免受该容器内之液体材料影响。该容器具有一分隔件，该分隔件将该容器划分成两个容积空间，使得与第一容积空间气体连通之该密封件借由该第一容积空间中之一定体积的气体保护以免受第二容积空间中之该液体材料影响。

10. 发明专利

TWI647757B 具有離子加速器之雙腔室電漿蝕刻器有权
简体标题：具有离子加速器之双腔室等离子蚀刻器
公开(公告)号：TWI647757B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103123849
申请日：2014-07-10
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：古哈喬伊迪普 , GUHA, JOYDEEP
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/54

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