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1. 发明专利

TWI685279B 電漿裝置有权
简体标题：等离子设备
公开(公告)号：TWI685279B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW108113263
申请日：2019-04-16
申请人：馗鼎奈米科技股份有限公司 , CREATING NANO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：徐逸明 , HSU, YI MING , 王朝俊 , WANG, CHAO CHUN , 李安仁 , LI, AN JEN
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/26 , H05H1/54 , H05H1/34

2. 发明专利

TWI674040B 用於均勻電漿處理的噴嘴有权
简体标题：用于均匀等离子处理的喷嘴
公开(公告)号：TWI674040B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104125127
申请日：2015-08-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：米喜拉羅西特 , MISHRA, ROHIT , 伯瑟提席瓦蘇利錢德拉饒 , BHESETTI, SIVA SURI CHANDRA RA , 白永勝 , PEH, ENG SHENG , 希魯納弗卡羅蘇司瑞斯坎薩羅傑 , THIRUNAVUKARASU, SRISKANTHARAJ , 維亞普榮修裘 , VAYYAPRON, SHOJU , 孫誠 , SUN CHENG
IPC分类号： H05H1/26 , H05H1/34

3. 发明专利

TW201904355A 電漿熔射頭、電漿熔射裝置及電漿熔射方法审中-公开
简体标题：等离子熔射头、等离子熔射设备及等离子熔射方法
公开(公告)号：TW201904355A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107118257
申请日：2018-05-29
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小林義之 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI
IPC分类号： H05H1/02 , H05H1/26 , H05H1/42
摘要：本發明提供一種能夠將複數個熔射槍之間隔配置為較窄之電漿熔射頭。一實施形態之電漿熔射頭係利用電漿使熔射材料之粉末熔融，藉由已熔融之粉末於被對象物上成膜者，且具有：熔射槍，其包含噴嘴及電漿產生部，該噴嘴係利用電漿產生氣體運送上述熔射材料之粉末，並將該粉末自前端部之開口噴射，該電漿產生部係藉由直流電源輸出之電力將上述噴嘴所噴射之上述電漿產生氣體分解，產生軸芯與上述噴嘴共通之電漿；以及本體部，其將複數個上述熔射槍一體支持，且於內部包含供冷媒流經之冷媒流路。
简体摘要：本发明提供一种能够将复数个熔射枪之间隔配置为较窄之等离子熔射头。一实施形态之等离子熔射头系利用等离子使熔射材料之粉末熔融，借由已熔融之粉末于被对象物上成膜者，且具有：熔射枪，其包含喷嘴及等离子产生部，该喷嘴系利用等离子产生气体运送上述熔射材料之粉末，并将该粉末自前端部之开口喷射，该等离子产生部系借由直流电源输出之电力将上述喷嘴所喷射之上述等离子产生气体分解，产生轴芯与上述喷嘴共通之等离子；以及本体部，其将复数个上述熔射枪一体支持，且于内部包含供冷媒流经之冷媒流路。

4. 发明专利

TWI686106B 場發射手持式常壓電漿產生裝置有权
简体标题：场发射手持式常压等离子产生设备
公开(公告)号：TWI686106B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW108102892
申请日：2019-01-25
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：蔡宏營 , TSAI, HUNG YIN , 林子耘 , LIN, TZU YUN , 陳藝友 , CHEN, YI YOU , 吳尙儒 , WU, SHANG RU , 李東哲 , LEE, TUNG CHE
IPC分类号： H05H1/26 , H05H1/34 , H01J5/02 , H01J37/32

6. 发明专利

TW201309101A 軸向進給型電漿熔射裝置审中-公开
简体标题：轴向进给型等离子熔射设备
公开(公告)号：TW201309101A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101122326
申请日：2012-06-22
申请人： SHINWA工業股份有限公司 , SHINWA INDUSTRY CO., LTD.
发明人：豐田建藏 , TOYOTA, KENZO
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/26 , H05H1/34
CPC分类号： B05B7/226 , C23C4/134 , H05H1/42 , H05H1/44
摘要：本發明係使熔化的熔射材料不附著於電漿產生室內及電極以及電漿噴射流噴射孔上，並且熱效率佳地熔化從熔射材料噴射孔噴出的熔射材料，使良率提升，而且不會因為熔射材料的粒徑或質量等之差異而在電漿火焰外周部反射或穿過電漿火焰而飛散。陰極電極8與陽極噴嘴2配設一對，在前述陽極噴嘴前面3設置(3個以上的)複數個電漿噴射流噴出孔4，並且在被前述噴出孔4包圍的中心設置熔射材料噴出孔5。將熔射材料從前述噴出孔5噴出，投入複合電漿弧31或複合電漿噴射流32的軸心。
简体摘要：本发明系使熔化的熔射材料不附着于等离子产生室内及电极以及等离子喷射流喷射孔上，并且热效率佳地熔化从熔射材料喷射孔喷出的熔射材料，使良率提升，而且不会因为熔射材料的粒径或质量等之差异而在等离子火焰外周部反射或穿过等离子火焰而飞散。阴极电极8与阳极喷嘴2配设一对，在前述阳极喷嘴前面3设置(3个以上的)复数个等离子喷射流喷出孔4，并且在被前述喷出孔4包围的中心设置熔射材料喷出孔5。将熔射材料从前述喷出孔5喷出，投入复合等离子弧31或复合等离子喷射流32的轴心。

7. 发明专利

TW202027562A 用於管內壁接枝改質之大氣電漿表面處理設備审中-公开
简体标题：用于管内壁接枝改质之大气等离子表面处理设备
公开(公告)号：TW202027562A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108100734
申请日：2019-01-08
申请人：明志科技大學 , MING CHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：謝章興 , HSIEH, JANG HSING , 陳榮三 , CHEN, JUNG SAN
IPC分类号： H05H1/26 , H05H1/46
摘要：一種用於管內壁接枝改質之大氣電漿表面處理設備，用以對一管材內壁進行表面處理，包括一脈衝產生器、一第一氣體源、一第二氣體源、一高分子單體源、一噴嘴、一第一氣體流路、一第二氣體流路與一導電板。脈衝產生器係用以產生一高壓脈衝。第一氣體流路係由第一氣體源連接至噴嘴。高壓脈衝係施加於第一氣體流路，以產生電漿於管材內部。第二氣體流路係由第二氣體源透過高分子單體源連接至噴嘴，以提供高分子單體至管材內部進行接枝改質。導電板係對準噴嘴之一噴發方向。管材係設置於噴嘴與導電板之間。
简体摘要：一种用于管内壁接枝改质之大气等离子表面处理设备，用以对一管材内壁进行表面处理，包括一脉冲产生器、一第一气体源、一第二气体源、一高分子单体源、一喷嘴、一第一气体流路、一第二气体流路与一导电板。脉冲产生器系用以产生一高压脉冲。第一气体流路系由第一气体源连接至喷嘴。高压脉冲系施加于第一气体流路，以产生等离子于管材内部。第二气体流路系由第二气体源透过高分子单体源连接至喷嘴，以提供高分子单体至管材内部进行接枝改质。导电板系对准喷嘴之一喷发方向。管材系设置于喷嘴与导电板之间。

8. 发明专利

TWI580581B 具備碳膜之結構體及形成碳膜之方法有权
简体标题：具备碳膜之结构体及形成碳膜之方法
公开(公告)号：TWI580581B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104102916
申请日：2015-01-28
申请人：太陽誘電化學技術股份有限公司 , TAIYO YUDEN CHEMICAL TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：澀澤邦彥 , SHIBUSAWA, KUNIHIKO
IPC分类号： B32B9/00 , B32B3/30 , B32B33/00 , C23C16/26 , C23C16/56 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/58 , H05H1/26 , F16C33/12 , H01M2/14
CPC分类号： C23C16/26 , C01B32/00 , C23C16/50 , C23C16/515 , C23C16/56 , H01M2/0242

9. 发明专利

TW201711528A 電漿烤箱审中-公开
简体标题：等离子烤箱
公开(公告)号：TW201711528A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104129037
申请日：2015-09-02
申请人：馗鼎奈米科技股份有限公司 , CREATING NANO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：徐逸明 , HSU, YI MING , 王立民 , WANG, LI MIN , 劉燕玲 , LIU, YEN LING , 黃智偉 , HUANG, CHIH WEI
IPC分类号： H05H1/26 , H05B7/02
摘要：一種電漿烤箱。此電漿烤箱包含腔室、輸送裝置、隔板以及至少一大氣電漿源。腔室之一面設有活動門。輸送裝置設於腔室下方，且配置以承載並輸送一工件由活動門進出腔室。隔板設於腔室中，且隔板在輸送裝置上方之腔室中定義出電漿處理區。大氣電漿源包含電漿噴口，其中此大氣電漿源設於腔室內且穿設於隔板中，電漿噴口位於隔板之下方。
简体摘要：一种等离子烤箱。此等离子烤箱包含腔室、输送设备、隔板以及至少一大气等离子源。腔室之一面设有活动门。输送设备设于腔室下方，且配置以承载并输送一工件由活动门进出腔室。隔板设于腔室中，且隔板在输送设备上方之腔室中定义出等离子处理区。大气等离子源包含等离子喷口，其中此大气等离子源设于腔室内且穿设于隔板中，等离子喷口位于隔板之下方。

10. 发明专利

TW201419947A 基板的電漿處理审中-公开
简体标题：基板的等离子处理
公开(公告)号：TW201419947A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102116174
申请日：2013-05-07
申请人：道康寧法國公司 , DOW CORNING FRANCE , 中央國家研究科學學會 , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人：馬錫尼斯法蘭克斯 , MASSINES, FRANCOISE , 考弟托馬士 , GAUDY, THOMAS , 迪斯坎普斯皮爾 , DESCAMPS, PIERRE , 林姆普爾派翠克 , LEEMPOEL, PATRICK , 凱賽芬森特 , KAISER, VINCENT , 阿達德賽曼薩爾曼 , ADAD, SYED SALMAN
IPC分类号： H05H1/26
CPC分类号： C23C16/50 , H05H1/2406 , H05H1/42 , H05H1/48 , H05H2001/2418 , H05H2245/123
摘要：一種用於電漿處理一基材之裝置，包括連接到至少一針狀電極(11)且頻率為3kHz至30kHz之高電壓源，該針狀電極(11)位於一介電殼體(14)內的通道(16)中，該介電殼體(14)具有一製程氣體入口及一出口。該通道(16)具有一形成該製程氣體入口之進入口(16a)及一進入該介電殼體之排出口(16e)，其係設置以使製程氣體從該入口流經該通道(16)通過該電極(11)至該介電殼體之出口。該裝置包含用以於該介電殼體內採用一霧化表面處理劑之手段及鄰接該介電殼體之出口的基材(25)用支撐手段(27,28)。該針狀電極(11)從該通道進入口(16a)延伸至一靠近該通道之排出口(16e)的尖端(11t)且從該通道(16)向外突出，以使該針狀電極之尖端(11t)位於該介電殼體內靠近該通道之排出口(16e)在該通道外相距至少0.5mm至多5倍於該通道的水力直徑。該通道(16)具有一大於10：1的長度對水力直徑之比例。
简体摘要：一种用于等离子处理一基材之设备，包括连接到至少一针状电极(11)且频率为3kHz至30kHz之高电压源，该针状电极(11)位于一介电壳体(14)内的信道(16)中，该介电壳体(14)具有一制程气体入口及一出口。该信道(16)具有一形成该制程气体入口之进入口(16a)及一进入该介电壳体之排出口(16e)，其系设置以使制程气体从该入口流经该信道(16)通过该电极(11)至该介电壳体之出口。该设备包含用以于该介电壳体内采用一雾化表面处理剂之手段及邻接该介电壳体之出口的基材(25)用支撑手段(27,28)。该针状电极(11)从该信道进入口(16a)延伸至一靠近该信道之排出口(16e)的尖端(11t)且从该信道(16)向外突出，以使该针状电极之尖端(11t)位于该介电壳体内靠近该信道之排出口(16e)在该信道外相距至少0.5mm至多5倍于该信道的水力直径。该信道(16)具有一大于10：1的长度对水力直径之比例。

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