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    • 7. 发明专利
    • 哈爾貝克磁陣列及採用其的磁懸浮減震設備
    • 哈尔贝克磁数组及采用其的磁悬浮减震设备
    • TW201522807A
    • 2015-06-16
    • TW103127215
    • 2014-08-08
    • 上海微電子裝備有限公司
    • 吳立偉
    • F16F15/03F16F6/00
    • H02K49/10H01F7/021H01F7/0231H01F7/0278
    • 本發明提供了一種哈爾貝克(Halbach)磁陣列,包括沿該哈爾貝克磁陣列的一寬度方向交錯排列的第一磁單元與第二磁單元,其中:每個第一磁單元包括沿該哈爾貝克磁陣列的一長度方向交錯排列的第一磁鐵組與第一磁柱,每個第一磁鐵組包括排列成2*2陣列的四個第一磁條;每個第二磁單元包括沿該長度方向交錯排列的第二磁柱與第二磁鐵組,每個第二磁鐵組包括排列成2*2陣列的四個第二磁條;每個該第一磁柱的激磁方向為沿該哈爾貝克磁陣列的一高度方向,每個該第二磁柱的激磁方向為沿該高度方向的一反方向。由於哈爾貝克磁陣列的單邊磁場密度為傳統NS陣列的倍,在等磁能積情況下實現更大的負載能力,並且單邊磁場特性最大化利用磁能積,同時有效減小了NS陣列的磁場洩露的干擾問題。
    • 本发明提供了一种哈尔贝克(Halbach)磁数组,包括沿该哈尔贝克磁数组的一宽度方向交错排列的第一磁单元与第二磁单元,其中:每个第一磁单元包括沿该哈尔贝克磁数组的一长度方向交错排列的第一磁铁组与第一磁柱,每个第一磁铁组包括排列成2*2数组的四个第一磁条;每个第二磁单元包括沿该长度方向交错排列的第二磁柱与第二磁铁组,每个第二磁铁组包括排列成2*2数组的四个第二磁条;每个该第一磁柱的激磁方向为沿该哈尔贝克磁数组的一高度方向,每个该第二磁柱的激磁方向为沿该高度方向的一反方向。由于哈尔贝克磁数组的单边磁场密度为传统NS数组的倍,在等磁能积情况下实现更大的负载能力,并且单边磁场特性最大化利用磁能积,同时有效减小了NS数组的磁场泄露的干扰问题。