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    • 1. 发明专利
    • 上下樁之焊接裝置
    • 上下桩之焊接设备
    • TW201536467A
    • 2015-10-01
    • TW103141330
    • 2014-11-28
    • 日本倍思股份有限公司NIHON BASE CO., LTD.
    • 駒澤辰弥KOMAZAWA, TATSUYA
    • B23K37/02B23K9/028B23K9/127E02D5/24
    • B23K37/0276B23K9/0286B23K37/0217B23K37/027E02D5/24
    • 本發明關於上下樁之焊接裝置。其課題在於,提供能在短時間內簡單地進行準備作業之焊接裝置。焊接裝置包括:環狀導軌(1),設置於從上下樁(P1、P2)朝其半徑方向離開的外周位置之地基上;台車(2),於導軌(1)上移動;移動機構(3),設於台車(2)上,具有朝沿著上下樁之半徑方向的水平方向及垂直方向移動之移動部件;仿形探測器(4),與移動部件連結,藉由仿照形成於從上下樁間的焊接坡口(G)平行地離開所設定尺寸之上樁或下樁的外周面的仿形線(59),探測沿著上下樁之半徑方向的台車的水平位移及垂直位移;以及焊槍(5),與移動部件連結,使得在所設定位置面對上下樁間的焊接坡口(G);當仿形探測器(4)探測到台車(2)的水平位移或垂直位移時,移動部件朝水平方向或垂直方向移動,焊槍總來到所設定位置。
    • 本发明关于上下桩之焊接设备。其课题在于,提供能在短时间内简单地进行准备作业之焊接设备。焊接设备包括:环状导轨(1),设置于从上下桩(P1、P2)朝其半径方向离开的外周位置之地基上;台车(2),于导轨(1)上移动;移动机构(3),设于台车(2)上,具有朝沿着上下桩之半径方向的水平方向及垂直方向移动之移动部件;仿形探测器(4),与移动部件链接,借由仿照形成于从上下桩间的焊接坡口(G)平行地离开所设置尺寸之上桩或下桩的外周面的仿形线(59),探测沿着上下桩之半径方向的台车的水平位移及垂直位移;以及焊枪(5),与移动部件链接,使得在所设置位置面对上下桩间的焊接坡口(G);当仿形探测器(4)探测到台车(2)的水平位移或垂直位移时,移动部件朝水平方向或垂直方向移动,焊枪总来到所设置位置。
    • 7. 发明专利
    • 碳化矽晶體切片移動設備及移動方法
    • 碳化硅晶体切片移动设备及移动方法
    • TW201822931A
    • 2018-07-01
    • TW106124187
    • 2017-07-19
    • 上海新昇半導體科技有限公司ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 三重野文健MIENO, FUMITAKE
    • B23K26/38B23K37/02B28D5/00H01L29/43
    • 本發明提供了一種碳化矽(SiC)晶體切片移動設備及移動方法,SiC切片移動設備包括支撐台、平行設置的兩個支撐架以及頂盤。對SiC錠進行雷射照射之後,在SiC錠上形成多個SiC切片。將SiC錠放置於支撐台上,兩個支撐架固定SiC錠,移動頂盤至SiC錠的頂部。吸附第一SiC切片,移動頂盤,使頂盤吸附第一SiC切片離開SiC錠。將第一SiC切片放置於切片接收台上,完成第一SiC切片的分離。然後移動支撐架,對其餘的SiC切片進行分離。其分離SiC切片的方法簡單,操作方便,從一定程度上提高了SiC切片的分離效率。
    • 本发明提供了一种碳化硅(SiC)晶体切片移动设备及移动方法,SiC切片移动设备包括支撑台、平行设置的两个支撑架以及顶盘。对SiC锭进行激光照射之后,在SiC锭上形成多个SiC切片。将SiC锭放置于支撑台上,两个支撑架固定SiC锭,移动顶盘至SiC锭的顶部。吸附第一SiC切片,移动顶盘,使顶盘吸附第一SiC切片离开SiC锭。将第一SiC切片放置于切片接收台上,完成第一SiC切片的分离。然后移动支撑架,对其余的SiC切片进行分离。其分离SiC切片的方法简单,操作方便,从一定程度上提高了SiC切片的分离效率。