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1. 发明专利

TW201420770A 雷射熱處理設備审中-公开
简体标题：激光热处理设备
公开(公告)号：TW201420770A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102141167
申请日：2013-11-13
申请人： AP系統股份有限公司 , AP SYSTEMS INC. , 三星顯示有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：梁相熙 , YANG, SANG HEE , 沈亨基 , SIM, HYUNG KI , 羅玉鈞 , NA, OK GYUN , 安珍榮 , AHN, JIN YOUNG
IPC分类号： C21D1/34 , B23K26/12
摘要：提供一種在使用雷射光束進行用於結晶的熱處理的同時防止晶圓暴露於氧之下的雷射熱處理設備。所述設備包含：反應腔室，允許晶圓支撐件位於其內部空間中且包括設置在其頂面上的視窗；部分除氧模組(OPDM)，位於視窗與晶圓支撐件之間且包括注射狹縫，惰性氣體經由注射狹縫而注入；惰性氣體注射管，插入到圓筒中且允許惰性氣體經由注射狹縫流入；惰性氣體供應管，分別向惰性氣體注射管的一端和另一端供應惰性氣體；以及注射控制單元，根據惰性氣體的測量注射量來個別地控制惰性氣體供應管的一端和另一端的注射量。
简体摘要：提供一种在使用激光光束进行用于结晶的热处理的同时防止晶圆暴露于氧之下的激光热处理设备。所述设备包含：反应腔室，允许晶圆支撑件位于其内部空间中且包括设置在其顶面上的窗口；部分除氧模块(OPDM)，位于窗口与晶圆支撑件之间且包括注射狭缝，惰性气体经由注射狭缝而注入；惰性气体注射管，插入到圆筒中且允许惰性气体经由注射狭缝流入；惰性气体供应管，分别向惰性气体注射管的一端和另一端供应惰性气体；以及注射控制单元，根据惰性气体的测量注射量来个别地控制惰性气体供应管的一端和另一端的注射量。

2. 发明专利

TW200618088A 分割半導體晶圓的方法及半導體元件的製造方法 METHOD FOR DIVIDING SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
简体标题：分割半导体晶圆的方法及半导体组件的制造方法 METHOD FOR DIVIDING SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
公开(公告)号：TW200618088A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094134646
申请日：2005-10-04
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD
发明人：土師宏 HAJI, HIROSHI , 有田潔 ARITA, KIYOSHI , 中川顯 NAKAGAWA, AKIRA , 野田和宏 NODA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L , B23K , B02 , B23K26/12 , B23K101
CPC分类号： H01L21/78
摘要：在一包括多數假想分割區域之半導體晶圓中，該假想分割區域係藉由分別以似柵狀排列佈置在該半導體晶圓上之假想分割線，以及為該半導體晶圓之外周圍輪廓之圓周線所分隔，放置一光罩，以致能暴露對應個別去除區域的該晶圓的整體表面，該去除區域為藉由該晶圓之圓周線及該假想分割線所分隔之近似三角形的區域，且為該假想分割區域的部分，以及接著在光罩放置側進行電漿蝕刻，藉此當去除對應該晶圓之該去除區域的部分時，將該半導體晶圓沿著分割線分割成個別的半導體元件。
简体摘要：在一包括多数假想分割区域之半导体晶圆中，该假想分割区域系借由分别以似栅状排列布置在该半导体晶圆上之假想分割线，以及为该半导体晶圆之外周围轮廓之圆周线所分隔，放置一光罩，以致能暴露对应个别去除区域的该晶圆的整体表面，该去除区域为借由该晶圆之圆周线及该假想分割线所分隔之近似三角形的区域，且为该假想分割区域的部分，以及接着在光罩放置侧进行等离子蚀刻，借此当去除对应该晶圆之该去除区域的部分时，将该半导体晶圆沿着分割线分割成个别的半导体组件。

3. 实用新型

TWM572796U 雷射加工機及其噴頭有权
简体标题：激光加工机及其喷头
公开(公告)号：TWM572796U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW107213857
申请日：2018-10-12
申请人：林育勤
发明人：方菘嶺 , FANG, SUNG LING
IPC分类号： B23K26/12 , B23K26/14

5. 发明专利

TW201343304A 具有氣簾構造之雷射工作機审中-公开
简体标题：具有气帘构造之激光工作机
公开(公告)号：TW201343304A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101114151
申请日：2012-04-20
申请人：星雲電腦股份有限公司 , GREAT COMPUTER CORP.
发明人：龔哲民 , KUNG, CHE MIN , 林獻章 , LIN, HSIEH CHANG , 陳志麟 , CHEN, CHIH LIN
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/16 , B23K26/12
摘要：一種具有氣簾構造之雷射工作機，包括一機台，該機台上係設有一工作平台、一加工裝置與一氣簾裝置，其中該工作平台供一加工件置放於上進行加工作業，該加工裝置係包括有一軌道台，供一雷射輸出裝置設置於上後，可於該軌道台上位移，而於該加工件上進行輸出，而該氣簾裝置包括至少一進氣管路，其中該進氣管路相對於該軌道台上之雷射輸出裝置方向係至少設有一出風口，使該氣簾裝置與一供氣裝置連接後，該供氣裝置所提供之氣體可自該進氣管路進入，自出風口而向該雷射輸出裝置方向吹氣，以形成一道氣簾。
简体摘要：一种具有气帘构造之激光工作机，包括一机台，该机台上系设有一工作平台、一加工设备与一气帘设备，其中该工作平台供一加工件置放于上进行加工作业，该加工设备系包括有一轨道台，供一激光输出设备设置于上后，可于该轨道台上位移，而于该加工件上进行输出，而该气帘设备包括至少一进气管路，其中该进气管路相对于该轨道台上之激光输出设备方向系至少设有一出风口，使该气帘设备与一供气设备连接后，该供气设备所提供之气体可自该进气管路进入，自出风口而向该激光输出设备方向吹气，以形成一道气帘。

6. 发明专利

TW201815511A 細胞層片之切斷方法审中-公开
简体标题：细胞层片之切断方法
公开(公告)号：TW201815511A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106131787
申请日：2017-09-15
申请人：日商澁谷工業股份有限公司 , SHIBUYA CORPORATION
发明人：高橋政代 , TAKAHASHI, MASAYO , 小出直史 , KOIDE, NAOSHI , 大西琢也 , ONISHI, TAKUYA , 佐佐木基 , SASAKI, MOTOI , 江尻雅成 , EJIRI, MASANARI
IPC分类号： B23K26/70 , B23K26/12 , B23K26/50 , C12M1/00 , G01N1/28
摘要：本發明係關於將於收容有培養基M之容器4之內部培養之細胞層片S藉由照射雷射光L之切斷裝置3而切斷的細胞層片S之切斷方法。於維持為無菌狀態之無菌室2之內部，將培養基M自上述容器4去除，並且藉由設置有由雷射光L能夠穿透之素材所構成之穿透部的蓋部13密閉該容器4，將藉由上述蓋部13而密閉之容器4自無菌室2取出並移動至設置於該無菌室2之外部之上述切斷裝置3，於上述切斷裝置3中，使上述雷射光L穿透上述蓋部13之穿透部，藉由該雷射光L而將上述細胞層片S切斷。可維持無菌狀態而將細胞層片S切斷。
简体摘要：本发明系关于将于收容有培养基M之容器4之内部培养之细胞层片S借由照射激光光L之切断设备3而切断的细胞层片S之切断方法。于维持为无菌状态之无菌室2之内部，将培养基M自上述容器4去除，并且借由设置有由激光光L能够穿透之素材所构成之穿透部的盖部13密闭该容器4，将借由上述盖部13而密闭之容器4自无菌室2取出并移动至设置于该无菌室2之外部之上述切断设备3，于上述切断设备3中，使上述激光光L穿透上述盖部13之穿透部，借由该激光光L而将上述细胞层片S切断。可维持无菌状态而将细胞层片S切断。

7. 发明专利

TWI613028B 雷射加工裝置及雷射加工排屑裝置有权
简体标题：激光加工设备及激光加工排屑设备
公开(公告)号：TWI613028B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105129291
申请日：2016-09-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳峻明 , CHEN, CHUN MING , 李閔凱 , LEE, MIN KAI , 任春平 , JEN, CHUN PING
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/12 , B23K26/36 , B23K26/142
CPC分类号： B23K26/16 , B23K26/388 , B23K37/08

8. 发明专利

TWI548750B 雷射熱處理設備有权
简体标题：激光热处理设备
公开(公告)号：TWI548750B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW102141167
申请日：2013-11-13
申请人： AP系統股份有限公司 , AP SYSTEMS INC. , 三星顯示有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：梁相熙 , YANG, SANG HEE , 沈亨基 , SIM, HYUNG KI , 羅玉鈞 , NA, OK GYUN , 安珍榮 , AHN, JIN YOUNG
IPC分类号： C21D1/34 , B23K26/12

9. 发明专利

TW201433554A 利用雷射破壞與蝕刻製造玻璃物件的方法审中-公开
简体标题：利用激光破坏与蚀刻制造玻璃对象的方法
公开(公告)号：TW201433554A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102143471
申请日：2013-11-28
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：斯特列利佐夫亞歷山大米哈伊洛維奇 , STRELTSOV, ALEXANDER MIKHAILOV , 茹博勞倫 , JOUBAUD, LAURENT , 哈維丹尼爾羅福 , HARVEY, DANIEL RALPH , 金宇輝 , JIN, YUHUI , 巴茲摩爾布蘭登A , BAZEMORE, BRANDON A. , 古佛依爾戴安娜金柏利 , QUIFOYLE, DIANE KIMBERLIE , 戴克傑佛瑞A , DECKER, JEFFREY A.
IPC分类号： C03C25/62 , C03C25/68 , B23K26/12
CPC分类号： C03C15/00 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/082 , B23K26/361 , B23K26/362 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2201/18 , B23K2201/40 , B23K2203/00 , B23K2203/50 , B23K2203/54 , C03B23/0066 , C03B23/023 , C03B23/0235 , C03B23/025 , C03B23/03 , C03B23/0352 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/091 , C03C3/097 , C03C17/328 , C03C21/00 , C03C21/002 , C03C23/0025 , C03C2218/328 , C03C2218/34 , C03C2218/355 , Y02P40/57 , Y10T428/24331
摘要：本文揭示了形成玻璃物件之方法。在一個實施例中，形成玻璃物件之方法包括將脈衝雷射束平移(translating)至玻璃基板片上以在該玻璃基板片之第一表面與第二表面之間形成雷射破壞區域。該方法進一步包括將蝕刻劑溶液施加至玻璃基板片以移除雷射破壞區域周圍的玻璃基板片之一部分。該方法可進一步包括藉由離子交換強化製程強化玻璃基板片，及使用耐酸塗層塗佈玻璃基板片。本文亦揭示方法，該等方法中，雷射破壞區域具有初始幾何形狀，該初始幾何形狀在玻璃基板片之再成形之後改變為所需幾何形狀，以使得雷射破壞區域之初始幾何形狀對玻璃基板片之彎曲進行補償。
简体摘要：本文揭示了形成玻璃对象之方法。在一个实施例中，形成玻璃对象之方法包括将脉冲激光束平移(translating)至玻璃基板片上以在该玻璃基板片之第一表面与第二表面之间形成激光破坏区域。该方法进一步包括将蚀刻剂溶液施加至玻璃基板片以移除激光破坏区域周围的玻璃基板片之一部分。该方法可进一步包括借由离子交换强化制程强化玻璃基板片，及使用耐酸涂层涂布玻璃基板片。本文亦揭示方法，该等方法中，激光破坏区域具有初始几何形状，该初始几何形状在玻璃基板片之再成形之后改变为所需几何形状，以使得激光破坏区域之初始几何形状对玻璃基板片之弯曲进行补偿。

10. 发明专利

TW201811478A 雷射加工裝置及雷射加工排屑裝置审中-公开
简体标题：激光加工设备及激光加工排屑设备
公开(公告)号：TW201811478A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105129291
申请日：2016-09-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳峻明 , CHEN, CHUN MING , 李閔凱 , LEE, MIN KAI , 任春平 , JEN, CHUN PING
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/12 , B23K26/36 , B23K26/142
CPC分类号： B23K26/16 , B23K26/388 , B23K37/08
摘要：一種雷射加工裝置包含一雷射產生元件、一光學繞孔元件、一氣源及一雷射加工排屑裝置。雷射產生元件用以產生一雷射光束並穿過光學通道。光學繞孔元件位於雷射光束之光路上，並令雷射光束沿一環形加工路徑移動。雷射加工排屑裝置利用噴嘴之內部流道設計，提高噴出的流速，使得吸附區域壓力變小。氣源用以提供一氣流，並裝設於雷射加工排屑裝置上，與噴嘴之內部流道相連通。本雷射加工排屑裝置針對雷射加工掃描區域產生吸力，並輔助雷射切割/鑽孔製程，達到大面積碎屑排除動作，提昇產速與孔洞品質。
简体摘要：一种激光加工设备包含一激光产生组件、一光学绕孔组件、一气源及一激光加工排屑设备。激光产生组件用以产生一激光光束并穿过光学信道。光学绕孔组件位于激光光束之光路上，并令激光光束沿一环形加工路径移动。激光加工排屑设备利用喷嘴之内部流道设计，提高喷出的流速，使得吸附区域压力变小。气源用以提供一气流，并装设于激光加工排屑设备上，与喷嘴之内部流道相连通。本激光加工排屑设备针对激光加工扫描区域产生吸力，并辅助激光切割/钻孔制程，达到大面积碎屑排除动作，提升产速与孔洞品质。

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