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1. 发明专利

TWI448714B 磁阻感測元件及其形成方法有权
简体标题：磁阻传感组件及其形成方法
公开(公告)号：TWI448714B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW101117790
申请日：2012-05-18
申请人：宇能電科技股份有限公司 , VOLTAFIELD TECHNOLOGY CORP.
发明人：劉富臺 , LIOU, FU TAI , 汪大鏞 , WONG, TA YUNG , 彭偉棟 , PENG, WEI TUNG , 湯泰郎 , TANG, TAI LANG
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0035 , G01R33/09 , H01L43/08 , Y10T29/413 , Y10T29/49155

2. 发明专利

TW201248177A 磁阻感測元件及其形成方法 MAGNETO-RESISTANCE SENSING DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：磁阻传感组件及其形成方法 MAGNETO-RESISTANCE SENSING DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201248177A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101117790
申请日：2012-05-18
申请人：宇能電科技股份有限公司
发明人：劉富臺 , 汪大鏞 , 彭偉棟 , 湯泰郎
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/0035 , G01R33/09 , H01L43/08 , Y10T29/413 , Y10T29/49155
摘要：磁阻感測元件及其形成方法,用以於具有第一介電層之基板上方形成一多功能電路結構與磁阻結構,且多功能電路結構與磁阻結構形成上下交疊之配置。
简体摘要：磁阻传感组件及其形成方法,用以于具有第一介电层之基板上方形成一多功能电路结构与磁阻结构,且多功能电路结构与磁阻结构形成上下交叠之配置。

3. 发明专利

TW386242B 用以處理半導體晶圓之裝置失效
简体标题：用以处理半导体晶圆之设备
公开(公告)号：TW386242B
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：TW087112194
申请日：1998-07-23
申请人： ASM國際股份有限公司
发明人：伊斯特.葛尼曼 , 愛伯特.賀斯伯 , 詹.林格
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67781 , Y10S414/135 , Y10T29/41 , Y10T29/413
摘要：處理半導體晶圓之裝置，包含至少一完全封閉之處理室，但連接至一分配系統除外。此至少一處理室中，較佳位有二反應器及一共同饋除系統，令選擇地安排於舟皿中之晶圓接受同一處理。
简体摘要：处理半导体晶圆之设备，包含至少一完全封闭之处理室，但连接至一分配系统除外。此至少一处理室中，较佳位有二反应器及一共同馈除系统，令选择地安排于舟皿中之晶圆接受同一处理。

4. 发明专利

TW201427796A 翹曲矽片吸附裝置及其吸附方法审中-公开
简体标题：翘曲硅片吸附设备及其吸附方法
公开(公告)号：TW201427796A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102148651
申请日：2013-12-27
申请人：上海微電子裝備有限公司
发明人：王鑫鑫 , 江旭初 , 徐濤 , 朱文靜 , 孫方雄 , 孫君
IPC分类号： B25B11/00 , B65G47/91 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6838 , G03F7/707 , G03F7/70783 , H01L21/67288 , Y10T29/413 , Y10T279/11
摘要：本發明涉及一種翹曲矽片吸附裝置及其吸附方法，該裝置包括吸盤和至少三個吸頭組件，該吸頭組件分佈於該吸盤上，該吸頭組件包括吸嘴、球頭以及氣缸，該吸嘴與該氣缸通過該球頭活動連接，並在該氣缸的作用下相對吸盤表面作升降運動。本發明在吸盤上增加至少三個吸頭組件，當翹曲矽片無法被該吸盤吸附時，該吸頭元件通過吸嘴以及氣缸對該翹曲矽片進行吸附並進行拉伸，直至該翹曲矽片的下表面與該吸盤的上表面貼合，從而完成對翹曲矽片的吸附。
简体摘要：本发明涉及一种翘曲硅片吸附设备及其吸附方法，该设备包括吸盘和至少三个吸头组件，该吸头组件分布于该吸盘上，该吸头组件包括吸嘴、球头以及气缸，该吸嘴与该气缸通过该球头活动连接，并在该气缸的作用下相对吸盘表面作升降运动。本发明在吸盘上增加至少三个吸头组件，当翘曲硅片无法被该吸盘吸附时，该吸头组件通过吸嘴以及气缸对该翘曲硅片进行吸附并进行拉伸，直至该翘曲硅片的下表面与该吸盘的上表面贴合，从而完成对翘曲硅片的吸附。

5. 发明专利

TW200842977A 半導體裝置之製造方法及製造裝置以及記憶媒體审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及制造设备以及记忆媒体
公开(公告)号：TW200842977A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW097100722
申请日：2008-01-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐古卓司 SAKO, TAKUJI , 柏木勇作 KASHIWAGI, YUSAKU , 戶島宏至 TOSHIMA, HIROYUKI , 前川薰 MAEKAWA, KAORU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53238 , H01J37/32192 , H01L21/02074 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T29/413 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置之製造方法,該方法在採用向含銅金屬膜之表面導入Si,並將該部分氮化而形成CuSiN阻障層之技術時,不易產生對層間絕緣膜之損傷及因曝露於大氣而引起之水分吸附。其解決方法係藉由如下步驟,即:準備在表面露出含銅金屬膜狀態之半導體基板,藉由自由基或熱化學之方法清潔化處理含銅金屬膜之表面,向含銅金屬膜之表面導入Si,及藉由自由基氮化含銅金屬膜之導入Si部分來製造半導體裝置時,不破壞真空而連續進行清潔化處理步驟、Si導入步驟及氮化步驟。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备之制造方法,该方法在采用向含铜金属膜之表面导入Si,并将该部分氮化而形成CuSiN阻障层之技术时,不易产生对层间绝缘膜之损伤及因曝露于大气而引起之水分吸附。其解决方法系借由如下步骤,即:准备在表面露出含铜金属膜状态之半导体基板,借由自由基或热化学之方法清洁化处理含铜金属膜之表面,向含铜金属膜之表面导入Si,及借由自由基氮化含铜金属膜之导入Si部分来制造半导体设备时,不破坏真空而连续进行清洁化处理步骤、Si导入步骤及氮化步骤。

6. 发明专利

TW484151B 製備鉭固態電解電容器之方法及裝置失效
简体标题：制备钽固态电解电容器之方法及设备
公开(公告)号：TW484151B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW089124479
申请日：2000-11-18
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：大森實 , 上西謙次 , 富田修 , 川北成一 , 荻野昌邦 , 增田洋二 , 吉野剛
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G9/012 , Y10T29/41 , Y10T29/413 , Y10T29/417
摘要：定長金屬引線框伸展於鉭固態電解電容器製造裝置之上模具與下模具間，該引線框具有彼此一體成形的陽極端子及陰極端子。陰極端子首先塗布一熱固導電黏著劑，然後電容器元件之陰極層置於導電黏著劑上。隨後由電容器元件向外伸出的陽極引線置於陽極端子上且藉熔接而接合於陽極端子上。施加壓力於電容器元件，因此部份導電黏著劑由多個電容器元件之各元件之一表面擠壓出至其鄰近側表面。然後陰極端子藉加熱硬化導電黏著劑個別接合至電容器元件，以及最後電容器元件以保護層樹脂覆蓋。
简体摘要：定长金属引线框伸展于钽固态电解电容器制造设备之上模具与下模具间，该引线框具有彼此一体成形的阳极端子及阴极端子。阴极端子首先涂布一热固导电黏着剂，然后电容器组件之阴极层置于导电黏着剂上。随后由电容器组件向外伸出的阳极引线置于阳极端子上且藉熔接而接合于阳极端子上。施加压力于电容器组件，因此部份导电黏着剂由多个电容器组件之各组件之一表面挤压出至其邻近侧表面。然后阴极端子藉加热硬化导电黏着剂个别接合至电容器组件，以及最后电容器组件以保护层树脂覆盖。

7. 发明专利

TWI495541B 翹曲矽片吸附裝置及其吸附方法有权
简体标题：翘曲硅片吸附设备及其吸附方法
公开(公告)号：TWI495541B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW102148651
申请日：2013-12-27
申请人：上海微電子裝備有限公司
发明人：王鑫鑫 , 江旭初 , 徐濤 , 朱文靜 , 孫方雄 , 孫君
IPC分类号： B25B11/00 , B65G47/91 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6838 , G03F7/707 , G03F7/70783 , H01L21/67288 , Y10T29/413 , Y10T279/11

8. 发明专利

TWI453521B 視差屏障元件及其製造方法有权
简体标题：视差屏障组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI453521B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW100135762
申请日：2011-10-03
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李建宏 , LEE, JIAN HONG , 黃日鋒 , HUANG, JIH FON , 鍾儀文 , CHUNG, YI WEN
IPC分类号： G02F1/153 , G02B27/22
CPC分类号： G02B27/2214 , G02F1/153 , Y10T29/413

9. 发明专利

TW201227130A 視差屏障元件及其製造方法 PARALLAX BARRIER DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：视差屏障组件及其制造方法 PARALLAX BARRIER DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201227130A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100135762
申请日：2011-10-03
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：李建宏 , 黃日鋒 , 鍾儀文
IPC分类号： G02F , G02B
CPC分类号： G02B27/2214 , G02F1/153 , Y10T29/413
摘要：一種視差屏障元件，包括：第一基板；第一圖案化透明電極層，設置於第一基板上；第一圖案化電致變色材料層，設置於第一圖案化透明電極層上，第一圖案化電致變色材料層包括多個電致變色結構，其中電致變色結構的長度、寬度或直徑為50nm至500nm，並且電致變色結構與第一基板被沈積面的夾角為30°～89°；第二基板；第二圖案化透明電極層，設置於第二基板上；第二圖案化電致變色材料層，設置於第二圖案化透明電極層上，以及電解質，設置於第一圖案化電致變色材料層與第二圖案化電致變色材料層之間。
简体摘要：一种视差屏障组件，包括：第一基板；第一图案化透明电极层，设置于第一基板上；第一图案化电致变色材料层，设置于第一图案化透明电极层上，第一图案化电致变色材料层包括多个电致变色结构，其中电致变色结构的长度、宽度或直径为50nm至500nm，并且电致变色结构与第一基板被沉积面的夹角为30°～89°；第二基板；第二图案化透明电极层，设置于第二基板上；第二图案化电致变色材料层，设置于第二图案化透明电极层上，以及电解质，设置于第一图案化电致变色材料层与第二图案化电致变色材料层之间。

10. 发明专利

TW200412603A 陶瓷電容器本體抑制電暈效應之電極層製出方法审中-公开
简体标题：陶瓷电容器本体抑制电晕效应之电极层制出方法
公开(公告)号：TW200412603A
公开(公告)日：2004-07-16
申请号：TW092127314
申请日：2002-11-22
申请人：張圍豪
发明人：張圍豪
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/005 , H01G2/20 , H01G4/01 , H01G13/006 , Y10T29/413 , Y10T29/417 , Y10T29/435
摘要：一種陶瓷電容器本體抑制電暈效應之電極層製出方法，主要係將陶瓷電容器本體兩極面採以印刷或電鍍(或蒸鍍)刷滿電極層之實施方式，再將陶瓷電容器本體外緣溢出電極層部份予以研磨處理，以令陶瓷電容器本體兩極面截面積上能形成完全佈滿且外緣無溢漏之電極層，得以提高耐電壓且能抑制電暈效應之工作電性者。
简体摘要：一种陶瓷电容器本体抑制电晕效应之电极层制出方法，主要系将陶瓷电容器本体两极面采以印刷或电镀(或蒸镀)刷满电极层之实施方式，再将陶瓷电容器本体外缘溢出电极层部份予以研磨处理，以令陶瓷电容器本体两极面截面积上能形成完全布满且外缘无溢漏之电极层，得以提高耐电压且能抑制电晕效应之工作电性者。

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