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1. 发明专利

TW201522034A 玻璃核心基板及其製造方法审中-公开
简体标题：玻璃内核基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201522034A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103126129
申请日：2014-07-31
申请人：三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：閔太泓 , MIN, TAE HONG
IPC分类号： B32B17/06 , B32B7/02 , H05K1/02 , H05K1/11 , H05K3/00 , H05K3/42 , H05K3/46
CPC分类号： H05K1/115 , B32B17/06 , B32B2307/206 , B32B2457/08 , C03C23/0025 , H05K1/0306 , H05K1/036 , H05K3/0029 , H05K3/4076 , H05K3/42 , H05K2201/09563 , H05K2201/09827 , H05K2201/09854 , H05K2201/2072 , H05K2203/108 , Y10T156/1057
摘要：本發明揭示一種玻璃核心基板及其製造方法。根據本發明之一實施例，係提供一種玻璃核心基板，此玻璃核心基板包括：一玻璃核心疊層、一通孔洞、以及一導電材料。玻璃核心疊層包括一玻璃層以及絕緣層，絕緣層係堆疊在玻璃層的上部和下部上。通孔洞係藉由穿透過玻璃核心疊層所形成，且此通孔洞提供至少一裂縫，此至少一裂縫係藉由穿透至該玻璃層中以形成於一穿透的內壁。一導電材料係填充於通孔洞與裂縫中。此外，係提供一種製造玻璃核心基板之方法。
简体摘要：本发明揭示一种玻璃内核基板及其制造方法。根据本发明之一实施例，系提供一种玻璃内核基板，此玻璃内核基板包括：一玻璃内核叠层、一通孔洞、以及一导电材料。玻璃内核叠层包括一玻璃层以及绝缘层，绝缘层系堆栈在玻璃层的上部和下部上。通孔洞系借由穿透过玻璃内核叠层所形成，且此通孔洞提供至少一裂缝，此至少一裂缝系借由穿透至该玻璃层中以形成于一穿透的内壁。一导电材料系填充于通孔洞与裂缝中。此外，系提供一种制造玻璃内核基板之方法。

2. 发明专利

TWI436716B 用以防止導電性陽極細絲物的阻障層有权
简体标题：用以防止导电性阳极细丝物的阻障层
公开(公告)号：TWI436716B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW098139290
申请日：2009-11-19
申请人：吉林克斯公司 , XILINX, INC.
发明人：張蕾蕾 , ZHANG, LEILEI
IPC分类号： H05K3/42
CPC分类号： H05K3/42 , H05K1/0366 , H05K3/0055 , H05K3/16 , H05K3/4076 , H05K2201/0769 , H05K2201/09581 , H05K2201/09827

3. 发明专利

TWI232712B 中介板,具有半導體裝置之中介板,具有中介板之基板,包含半導體裝置之結構元件,中介板及基板,暨中介板之製造方法 INTERMEDIATE BOARD, INTERMEDIATE BOARD WITH A SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE BOARD WITH AN INTERMEDIATE BOARD, STRUCTURAL MEMBER INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AN INTERMEDIATE BOARD AND A SUBSTRATE BOARD, AND METHOD OF PRODUCING AN INTERMEDIATE BOARD 失效
简体标题：中介板,具有半导体设备之中介板,具有中介板之基板,包含半导体设备之结构组件,中介板及基板,暨中介板之制造方法 INTERMEDIATE BOARD, INTERMEDIATE BOARD WITH A SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE BOARD WITH AN INTERMEDIATE BOARD, STRUCTURAL MEMBER INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AN INTERMEDIATE BOARD AND A SUBSTRATE BOARD, AND METHOD OF PRODUCING AN INTERMEDIATE BOARD
公开(公告)号：TWI232712B
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：TW093107423
申请日：2004-03-19
申请人：日本特殊陶業股份有限公司 NGK SPARK PLUG CO., LTD.
发明人：今井隆治 RYUJI IMAI , 黑田正雄 MASAO KURODA , 杉本康宏 YASUHIRO SUGIMOTO
IPC分类号： H05K , H01L
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H05K1/0306 , H05K3/3436 , H05K3/4076 , H05K2201/09572 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , Y02P70/613 , H01L2924/00
摘要：一種中介板，包含：具有第一及第二面之中介板本體，其中半導體裝置係要裝置於該第一及第二面之至少一者上，該半導體裝置具有等於或大於2.0ppm／℃及小於5.0 ppm／℃之熱膨脹係數，及具有表面裝置端子，該中介板本體具有複數個藉以使該第一及第二面彼此相通之通孔，該中介板本體含有無機絕緣材料；及複數個填補該通孔且含有導電性金屬之導體柱，該導體柱係要與該表面裝置端子連接。
简体摘要：一种中介板，包含：具有第一及第二面之中介板本体，其中半导体设备系要设备于该第一及第二面之至少一者上，该半导体设备具有等于或大于2.0ppm／℃及小于5.0 ppm／℃之热膨胀系数，及具有表面设备端子，该中介板本体具有复数个借以使该第一及第二面彼此相通之通孔，该中介板本体含有无机绝缘材料；及复数个填补该通孔且含有导电性金属之导体柱，该导体柱系要与该表面设备端子连接。

4. 发明专利

TW201540140A 多層硬化性樹脂薄膜、預浸材、積層體、硬化物、複合體及多層電路基板审中-公开
简体标题：多层硬化性树脂薄膜、预浸材、积层体、硬化物、复合体及多层电路基板
公开(公告)号：TW201540140A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104107143
申请日：2015-03-06
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：川上修 , KAWAKAMI, OSAMU , 藤田茂 , FUJITA, SHIGERU
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC分类号： H05K3/4644 , B32B27/12 , B32B27/20 , B32B27/26 , B32B27/32 , B32B37/182 , B32B37/24 , B32B2037/243 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2307/304 , B32B2457/08 , C08J5/24 , C08J2323/00 , C08J2371/12 , C23C18/31 , H05K1/032 , H05K1/036 , H05K1/115 , H05K3/0026 , H05K3/22 , H05K3/4076 , H05K3/4611 , H05K3/4676 , H05K2203/107
摘要：本發明提供一種多層硬化性樹脂薄膜、及於其含有纖維基材而成之預浸材、使用該等而得到之積層體、硬化物、複合體及多層電路基板，其中該多層硬化性樹脂薄膜係具備：第1樹脂層，其係由含有末端以芳香族乙烯基改性而成的聚苯醚寡聚物(A1)及硬化劑(A2)之第1硬化性樹脂組成物所構成；及第2樹脂層，其係由含有極性基的脂環式烯烴聚合物(B1)及硬化劑(B2)之第2硬化性樹脂組成物所構成。
简体摘要：本发明提供一种多层硬化性树脂薄膜、及于其含有纤维基材而成之预浸材、使用该等而得到之积层体、硬化物、复合体及多层电路基板，其中该多层硬化性树脂薄膜系具备：第1树脂层，其系由含有末端以芳香族乙烯基改性而成的聚苯醚寡聚物(A1)及硬化剂(A2)之第1硬化性树脂组成物所构成；及第2树脂层，其系由含有极性基的脂环式烯烃聚合物(B1)及硬化剂(B2)之第2硬化性树脂组成物所构成。

5. 发明专利

TWI468093B 多層基板之導孔結構及其製造方法有权
简体标题：多层基板之导孔结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI468093B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW097142237
申请日：2008-10-31
申请人：巨擘科技股份有限公司 , PRINCO CORP.
发明人：楊之光 , YANG, CHIH KUANG
IPC分类号： H05K3/42
CPC分类号： H05K1/116 , H05K1/0393 , H05K1/115 , H05K3/048 , H05K3/4076 , H05K2201/09509 , H05K2201/09545 , H05K2201/09645 , H05K2201/09827 , Y10T29/49204

6. 发明专利

TW200425808A 中介板,具有半導體裝置之中介板,具有中介板之基板,包含半導體裝置之結構元件,中介板及基板,暨中介板之製造方法 INTERMEDIATE BOARD, INTERMEDIATE BOARD WITH A SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE BOARD WITH AN INTERMEDIATE BOARD, STRUCTURAL MEMBER INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AN INTERMEDIATE BOARD AND A SUBSTRATE BOARD, AND METHOD OF PRODUCING AN INTERMEDIATE BOARD 失效
简体标题：中介板,具有半导体设备之中介板,具有中介板之基板,包含半导体设备之结构组件,中介板及基板,暨中介板之制造方法 INTERMEDIATE BOARD, INTERMEDIATE BOARD WITH A SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE BOARD WITH AN INTERMEDIATE BOARD, STRUCTURAL MEMBER INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AN INTERMEDIATE BOARD AND A SUBSTRATE BOARD, AND METHOD OF PRODUCING AN INTERMEDIATE BOARD
公开(公告)号：TW200425808A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093107423
申请日：2004-03-19
申请人：日本特殊陶業股份有限公司 NGK SPARK PLUG CO., LTD.
发明人：今井隆治 RYUJI IMAI , 黑田正雄 MASAO KURODA , 杉本康宏 YASUHIRO SUGIMOTO
IPC分类号： H05K , H01L
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H05K1/0306 , H05K3/3436 , H05K3/4076 , H05K2201/09572 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , Y02P70/613 , H01L2924/00
摘要：一種中介板，包含：具有第一及第二面之中介板本體，其中半導體裝置係要裝置於該第一及第二面之至少一者上，該半導體裝置具有等於或大於2.0ppm／℃及小於5.0ppm／℃之熱膨脹係數，及具有表面裝置端子，該中介板本體具有複數個藉以使該第一及第二面彼此相通之通孔，該中介板本體含有無機絕緣材料；及複數個填補該通孔且含有導電性金屬之導體柱，該導體柱係要與該表面裝置端子連接。
简体摘要：一种中介板，包含：具有第一及第二面之中介板本体，其中半导体设备系要设备于该第一及第二面之至少一者上，该半导体设备具有等于或大于2.0ppm／℃及小于5.0ppm／℃之热膨胀系数，及具有表面设备端子，该中介板本体具有复数个借以使该第一及第二面彼此相通之通孔，该中介板本体含有无机绝缘材料；及复数个填补该通孔且含有导电性金属之导体柱，该导体柱系要与该表面设备端子连接。

7. 发明专利

TWI619414B 電路板及其製造方法有权
简体标题：电路板及其制造方法
公开(公告)号：TWI619414B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105139120
申请日：2016-11-28
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：林緯迪 , LIN, WEI TI , 簡俊賢 , CHIEN, CHUN HSIEN , 謝育忠 , HSIEH, YU CHUNG , 陳裕華 , CHEN, YU HUA
IPC分类号： H05K3/32 , H01F41/02 , H05K1/16
CPC分类号： H05K1/115 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F27/24 , H01F27/2804 , H01F2017/002 , H01F2027/2809 , H05K1/036 , H05K1/0366 , H05K1/165 , H05K3/4076 , H05K3/42 , H05K3/423 , H05K3/426 , H05K3/4644 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/086 , H05K2201/0959

8. 发明专利

TWI592295B 玻璃核心基板及其製造方法有权
简体标题：玻璃内核基板及其制造方法
公开(公告)号：TWI592295B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW103126129
申请日：2014-07-31
申请人：三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：閔太泓 , MIN, TAE HONG
IPC分类号： B32B17/06 , B32B7/02 , H05K1/02 , H05K1/11 , H05K3/00 , H05K3/42 , H05K3/46
CPC分类号： H05K1/115 , B32B17/06 , B32B2307/206 , B32B2457/08 , C03C23/0025 , H05K1/0306 , H05K1/036 , H05K3/0029 , H05K3/4076 , H05K3/42 , H05K2201/09563 , H05K2201/09827 , H05K2201/09854 , H05K2201/2072 , H05K2203/108 , Y10T156/1057

9. 发明专利

TW201627542A 用來在基材上電鍍金屬之方法及設備审中-公开
简体标题：用来在基材上电镀金属之方法及设备
公开(公告)号：TW201627542A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104140765
申请日：2015-12-04
申请人：亞托德克德國股份有限公司 , ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人：托希亞藤原 , TOSHIA, FUJIWARA , 后斯特布吉曼 , HORST, BRUGGMANN , 羅蘭德希洛德 , ROLAND, HEROLD , 托馬士史希文 , THOMAS, SCHIWON
IPC分类号： C25D5/08 , C25D5/18 , C25D3/38 , C25D17/00 , C25D7/12
CPC分类号： C25D5/18 , C25D3/38 , C25D7/123 , H05K3/4076 , H05K2203/0723
摘要：為改善在基材表面上或孔中沈積金屬之均一度，在此提供一種在平面基材上電鍍金屬之方法。該方法包含下列步驟：(a)提供該具有相反的第一以及第二基材表面之基材、一包含至少一種反電極之電鍍設備以及一電鍍液；(b)使各該基材以及該至少一種反電極，與該電鍍液接觸；(c)藉由供給至少一種各由連續的第一正向-反向脈衝周期構成之第一正向-反向脈衝電流序列給該第一基材表面，以及至少一種各由連續的第二正向-反向脈衝周期構成之第二正向-反向脈衝電流序列給該第二基材表面，電極化該基材之該第一以及第二基材表面，使金屬沈積在該第一以及第二基材表面上；(d)該至少一種第一正向-反向脈衝電流序列中之每一個，在各連續的第一正向-反向脈衝周期中，至少包含一第一正向脈衝，其在第一正向脈衝持續時間期間，在該第一基材表面處，產生一第一陰極電流，該第一正向脈衝具有一第一正向脈衝波峰電流，以及包含一第一反向脈衝，其在第一反向脈衝持續時間期間，在該第一基材表面處，產生一第一陽極電流，該第一反向脈衝具有一第一反向脈衝波峰電流；以及該至少一種第二正向-反向脈衝電流序列中之每一個，在各連續的第二正向-反向脈衝周期中，至少包含一第二正向脈衝，其在第二正向脈衝持續時間期間，在該第二基材表面處，產生一第二陰極電流，該第二正向脈衝具有一第二正向脈衝波峰電流，以及包含一第二反向脈衝，其在第二反向脈衝持續時間期間，在該第二基材表面處，產生一第二陽極電流，該第二反向脈衝具有一第二反向脈衝波峰電流；其中該第一以及第二正向脈衝進一步疊加上各自的第一或第二疊加陰極脈衝，其等具有比各自的第一或第二正向脈衝持續時間短之各自的第一或第二疊加陰極脈衝持續時間。
简体摘要：为改善在基材表面上或孔中沉积金属之均一度，在此提供一种在平面基材上电镀金属之方法。该方法包含下列步骤：(a)提供该具有相反的第一以及第二基材表面之基材、一包含至少一种反电极之电镀设备以及一电镀液；(b)使各该基材以及该至少一种反电极，与该电镀液接触；(c)借由供给至少一种各由连续的第一正向-反向脉冲周期构成之第一正向-反向脉冲电流串行给该第一基材表面，以及至少一种各由连续的第二正向-反向脉冲周期构成之第二正向-反向脉冲电流串行给该第二基材表面，电极化该基材之该第一以及第二基材表面，使金属沉积在该第一以及第二基材表面上；(d)该至少一种第一正向-反向脉冲电流串行中之每一个，在各连续的第一正向-反向脉冲周期中，至少包含一第一正向脉冲，其在第一正向脉冲持续时间期间，在该第一基材表面处，产生一第一阴极电流，该第一正向脉冲具有一第一正向脉冲波峰电流，以及包含一第一反向脉冲，其在第一反向脉冲持续时间期间，在该第一基材表面处，产生一第一阳极电流，该第一反向脉冲具有一第一反向脉冲波峰电流；以及该至少一种第二正向-反向脉冲电流串行中之每一个，在各连续的第二正向-反向脉冲周期中，至少包含一第二正向脉冲，其在第二正向脉冲持续时间期间，在该第二基材表面处，产生一第二阴极电流，该第二正向脉冲具有一第二正向脉冲波峰电流，以及包含一第二反向脉冲，其在第二反向脉冲持续时间期间，在该第二基材表面处，产生一第二阳极电流，该第二反向脉冲具有一第二反向脉冲波峰电流；其中该第一以及第二正向脉冲进一步叠加上各自的第一或第二叠加阴极脉冲，其等具有比各自的第一或第二正向脉冲持续时间短之各自的第一或第二叠加阴极脉冲持续时间。

10. 发明专利

TWI463629B 低阻值貫穿晶圓通孔有权
简体标题：低阻值贯穿晶圆通孔
公开(公告)号：TWI463629B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW097125466
申请日：2008-07-04
申请人： AAC微特公司 , AAC MICROTEC AB
发明人：彼得尼爾森 , NILSSON, PETER
IPC分类号： H01L23/535 , H01L21/768
CPC分类号： H05K3/4076 , B81B2207/07 , B81C1/00095 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H05K1/0306 , H05K3/002 , H05K3/0041 , H05K3/42 , H05K2201/09827 , H05K2201/09854 , H01L2924/00

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