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1. 发明专利

TWI333306B 藉由單一步驟金屬有機化學蒸氣沉積法（ＭＯＣＶＤ）製造之具有積集波導光柵的隱埋式異質結構元件 BURIED HETEROSTRUCTURE DEVICE HAVING INTEGRATED WAVEGUIDE GRATING FABRICATED BY SINGLE STEP MOCVD 失效
简体标题：借由单一步骤金属有机化学蒸气沉积法（ＭＯＣＶＤ）制造之具有积集波导光栅的隐埋式异质结构组件 BURIED HETEROSTRUCTURE DEVICE HAVING INTEGRATED WAVEGUIDE GRATING FABRICATED BY SINGLE STEP MOCVD
公开(公告)号：TWI333306B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW095120586
申请日：2006-06-09
申请人：安華高科技纖維IP(新加坡)有限公司
发明人：波爾大衛P. , 柯勒尼史考特W.
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , G02B6/131 , H01S5/1231 , H01S5/1237 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要：本發明所揭露之元件係為一光電元件或透明波導元件，其包含一成長表面、一成長罩幕、一光學波導核心台面及一包覆層。成長罩幕設置於半導體表面上且界定一具有一週期性光柵輪廓之長形窗口。光學波導核心台面係設置於成長窗口中且具有一梯形橫剖面形狀。包覆層係覆蓋光學波導核心台面且延伸於成長罩幕的至少部分上方。藉由提供一包含一成長表面之晶圓、利用一第一成長溫度的微選擇性區域成長將一光學波導核心台面成長於成長表面上及以一低於第一成長溫度的第二成長溫度由包覆材料來覆蓋光學波導核心台面藉以製造此等元件。
简体摘要：本发明所揭露之组件系为一光电组件或透明波导组件，其包含一成长表面、一成长罩幕、一光学波导内核台面及一包覆层。成长罩幕设置于半导体表面上且界定一具有一周期性光栅轮廓之长形窗口。光学波导内核台面系设置于成长窗口中且具有一梯形横剖面形状。包覆层系覆盖光学波导内核台面且延伸于成长罩幕的至少部分上方。借由提供一包含一成长表面之晶圆、利用一第一成长温度的微选择性区域成长将一光学波导内核台面成长于成长表面上及以一低于第一成长温度的第二成长温度由包覆材料来覆盖光学波导内核台面借以制造此等组件。

2. 发明专利

TWI524611B 分佈回饋型半導體雷射元件及分佈回饋型半導體雷射元件的製造方法有权
简体标题：分布回馈型半导体激光组件及分布回馈型半导体激光组件的制造方法
公开(公告)号：TWI524611B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103136966
申请日：2014-10-27
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：上辻哲也 , UETSUJI, TETSUYA , 川和重 , KAWASAKI, KAZUSHIGE , 南政史 , MINAMI, MASAFUMI
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/323 , H01S5/1225 , H01S5/1231 , H01S5/3211

3. 发明专利

TW577188B 半導體雷射之製造方法及包含該半導體雷射之光學積體半導體裝置失效
简体标题：半导体激光之制造方法及包含该半导体激光之光学积体半导体设备
公开(公告)号：TW577188B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW092103592
申请日：2003-02-20
申请人：恩意西化合物裝置股份有限公司 NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES, LTD.
发明人：山崎裕幸 YAMAZAKI, HIROYUKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/1014 , H01S5/106 , H01S5/1064 , H01S5/1231 , H01S5/2077
摘要：藉由本發明之方法所製造的半導體雷射包括一半導體基板、一繞射光柵，具有一凹凸狀表面且形成於該半導體基板上、以及一光波導層，成長於該繞射光柵上。該光波導層之成長時間係選定成使得該光波導層並未填滿該繞射光柵之凹谷。亦且，無論該繞射光柵之高度如何變動，該成長時間仍維持實質上固定。五、(一)、本案代表圖為：第＿＿＿7＿＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
3 n-InP基板
6 p-InP電流阻擋層
7 P型電極
9 n型電極
12 繞射光柵
13 光波導層
14 n-InP緩衝層
15 主動層
简体摘要：借由本发明之方法所制造的半导体激光包括一半导体基板、一绕射光栅，具有一凹凸状表面且形成于该半导体基板上、以及一光波导层，成长于该绕射光栅上。该光波导层之成长时间系选定成使得该光波导层并未填满该绕射光栅之凹谷。亦且，无论该绕射光栅之高度如何变动，该成长时间仍维持实质上固定。五、(一)、本案代表图为：第＿＿＿7＿＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 3 n-InP基板 6 p-InP电流阻挡层 7 P型电极 9 n型电极 12 绕射光栅 13 光波导层 14 n-InP缓冲层 15 主动层

4. 发明专利

TWI445267B 製作半導體雷射之方法有权
简体标题：制作半导体激光之方法
公开(公告)号：TWI445267B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW097124417
申请日：2008-06-27
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：吉本晉 , YOSHIMOTO, SUSUMU , 松原秀樹 , MATSUBARA, HIDEKI
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1231 , H01S5/2009

5. 发明专利

TWI434433B 形成發光二極體裝置的方法有权
简体标题：形成发光二极管设备的方法
公开(公告)号：TWI434433B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW098128993
申请日：2009-08-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳鼎元 , CHEN, DING YUAN , 余振華 , YU, CHEN HUA , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L2924/01078 , H01S5/1231 , H01S5/2275

6. 发明专利

TW315527B 具有耦合光學波導之DFB雷射二極體的製造方法及DFB雷射二極體之層結構失效
简体标题：具有耦合光学波导之DFB激光二极管的制造方法及DFB激光二极管之层结构
公开(公告)号：TW315527B
公开(公告)日：1997-09-11
申请号：TW085103730
申请日：1996-03-28
申请人：西門斯股份有限公司
发明人：伯納德斯特米勒 , 李察馬茲
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/12 , H01S5/1231 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S5/3434
摘要：利用本發明的方法, 可以在四個磊晶步驟中完成具有耦合光學波導之MCRW高溫電射二極體的製造。其優點為, 在這四個磊晶程序中, 前兩個程序和後兩個程序實質上除了製造光柵時的中斷之外, 是立即互相連續進行的前面的。其它像光控二極體之類的元件也可以根據本發明的方法來製造。圖一
简体摘要：利用本发明的方法, 可以在四个磊晶步骤中完成具有耦合光学波导之MCRW高温电射二极管的制造。其优点为, 在这四个磊晶进程中, 前两个进程和后两个进程实质上除了制造光栅时的中断之外, 是立即互相连续进行的前面的。其它像光控二极管之类的组件也可以根据本发明的方法来制造。图一

7. 发明专利

TW201530946A 分佈回饋型半導體雷射元件及分佈回饋型半導體雷射元件的製造方法审中-公开
简体标题：分布回馈型半导体激光组件及分布回馈型半导体激光组件的制造方法
公开(公告)号：TW201530946A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103136966
申请日：2014-10-27
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：上辻哲也 , UETSUJI, TETSUYA , 川和重 , KAWASAKI, KAZUSHIGE , 南政史 , MINAMI, MASAFUMI
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/323 , H01S5/1225 , H01S5/1231 , H01S5/3211
摘要：本發明以提供可以縮短電子束描繪需要的時間之分佈回饋型半導體雷射元件及分佈回饋型半導體雷射元件的製造方法為目的。其特徵在於包括基板12；活性層16，在上述基板12的上方形成；以及繞射光柵20，具有第1圖案20a、以及比上述第1圖案20a短並與上述第1圖案20a的中央部相對之第2圖案20b，繞射上述活性層16中產生的光。
简体摘要：本发明以提供可以缩短电子束描绘需要的时间之分布回馈型半导体激光组件及分布回馈型半导体激光组件的制造方法为目的。其特征在于包括基板12；活性层16，在上述基板12的上方形成；以及绕射光栅20，具有第1图案20a、以及比上述第1图案20a短并与上述第1图案20a的中央部相对之第2图案20b，绕射上述活性层16中产生的光。

8. 发明专利

TW201123537A 具有經由在主動裝置上結合結構化材料之嵌入式空隙結構之發光裝置 LIGHT EMITTING DEVICES WITH EMBEDDED VOID-GAP STRUCTURES THROUGH BONDING OF STRUCTURED MATERIALS ON ACTIVE DEVICES 审中-公开
简体标题：具有经由在主动设备上结合结构化材料之嵌入式空隙结构之发光设备 LIGHT EMITTING DEVICES WITH EMBEDDED VOID-GAP STRUCTURES THROUGH BONDING OF STRUCTURED MATERIALS ON ACTIVE DEVICES
公开(公告)号：TW201123537A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099129136
申请日：2010-08-30
申请人：美國加利福尼亞大學董事會
发明人：史貝克詹姆士S , 威史布起克勞帝C A , 馬帝歐理艾利森迪那薩瑞司
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/0079 , B82Y20/00 , H01L33/20 , H01L2933/0083 , H01S5/1017 , H01S5/1231 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/34333
摘要：本發明提供一種經由結合而製造具有嵌入式空隙結構之光電子裝置於半導體層上之方法。該等嵌入式空隙係藉由將一圖案化層或板結合至一平坦表面上或藉由將一平坦層或板結合至一圖案化表面上而製造於一半導體結構上。為提供光模與消耗區域之更佳隔離或更佳光提取屬性，可使用空氣、氣體、導電或介電材料或其他物質來填充該等空隙。
简体摘要：本发明提供一种经由结合而制造具有嵌入式空隙结构之光电子设备于半导体层上之方法。该等嵌入式空隙系借由将一图案化层或板结合至一平坦表面上或借由将一平坦层或板结合至一图案化表面上而制造于一半导体结构上。为提供光模与消耗区域之更佳隔离或更佳光提取属性，可使用空气、气体、导电或介电材料或其他物质来填充该等空隙。

9. 发明专利

TW200919881A 製作半導體雷射之方法审中-公开
简体标题：制作半导体激光之方法
公开(公告)号：TW200919881A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097124417
申请日：2008-06-27
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：吉本晉 YOSHIMOTO, SUSUMU , 松原秀樹 MATSUBARA, HIDEKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1231 , H01S5/2009
摘要：本發明提供一種含有光子晶體構造之半導體雷射之製造方法,上述光子晶體構造具有空孔之排列,於該方法中,將基板W2設置於成長爐13中,於使載氣(氮)流動之同時,將成長爐13之溫度上升至成長溫度TG。於該升溫過程中,形成有圖案之InGaN層17a之開口17b受到影響,開口17b中之AlX2Ga1-X2N成長及遷移與AlX2Ga1-X2N之表面相比受到抑制。於InGaN層17a上形成氮化鎵系半導體層23(例如GaN層)。氮化鎵系半導體層(AlX2Ga1-X2N)23以形成與開口17b相對應之空孔25之方式而成長。藉此,形成二維光子晶體之二維繞射光柵26。
简体摘要：本发明提供一种含有光子晶体构造之半导体激光之制造方法,上述光子晶体构造具有空孔之排列,于该方法中,将基板W2设置于成长炉13中,于使载气(氮)流动之同时,将成长炉13之温度上升至成长温度TG。于该升温过程中,形成有图案之InGaN层17a之开口17b受到影响,开口17b中之AlX2Ga1-X2N成长及迁移与AlX2Ga1-X2N之表面相比受到抑制。于InGaN层17a上形成氮化镓系半导体层23(例如GaN层)。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1-X2N)23以形成与开口17b相对应之空孔25之方式而成长。借此,形成二维光子晶体之二维绕射光栅26。

10. 发明专利

TW594059B 光柵結構的製作方法失效
简体标题：光栅结构的制作方法
公开(公告)号：TW594059B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW092107312
申请日：2003-03-31
申请人：華新麗華股份有限公司 WALSIN LIHWA CORP.
发明人：黃榮山 HUANG, JUNG SHAN , 郭耀輝 KUO, YAO HUI
IPC分类号： G02B , H01L
CPC分类号： G02B26/0808 , H01S5/1231
摘要：本案係指一種光柵結構的製作方法，包含下列步驟：提供一基板，並於其上依序形成一第一絕緣層及一氧化矽層；於該氧化矽層上形成複數個凹槽；於該氧化矽層上形成一第二絕緣層，其中該第二絕緣層填滿該複數個凹槽，並於該複數個凹槽內形成複數個光柵結構柱；於該第二絕緣層上定義複數個光柵結構區域，再先後形成一黏著層及一導電層於該複數個光柵結構區域上，其中該複數個光柵結構區域分別包含該複數個光柵結構柱；將位於該複數個光柵結構區域外的第二絕緣層去除；以及將該氧化矽層去除，使得該複數個光柵結構區域內的複數個光柵結構呈現。五、(一)、本案代表圖為：第╴╴╴五╴╴╴圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：矽基板21 氮化矽22下電極23 結構柱35鉻層42 金層43
简体摘要：本案系指一种光栅结构的制作方法，包含下列步骤：提供一基板，并于其上依序形成一第一绝缘层及一氧化硅层；于该氧化硅层上形成复数个凹槽；于该氧化硅层上形成一第二绝缘层，其中该第二绝缘层填满该复数个凹槽，并于该复数个凹槽内形成复数个光栅结构柱；于该第二绝缘层上定义复数个光栅结构区域，再先后形成一黏着层及一导电层于该复数个光栅结构区域上，其中该复数个光栅结构区域分别包含该复数个光栅结构柱；将位于该复数个光栅结构区域外的第二绝缘层去除；以及将该氧化硅层去除，使得该复数个光栅结构区域内的复数个光栅结构呈现。五、(一)、本案代表图为：第╴╴╴五╴╴╴图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：硅基板21 氮化硅22下电极23 结构柱35铬层42 金层43

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