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8. 发明专利

TWI331807B 有機薄膜齊納二極體 ORGANIC THIN FILM ZENER DIODES 失效
简体标题：有机薄膜齐纳二极管 ORGANIC THIN FILM ZENER DIODES
公开(公告)号：TWI331807B
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：TW092125168
申请日：2003-09-12
申请人：高級微裝置公司
发明人：金斯伯理查 P , 索拉立克伊格爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0579 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/0583
摘要：本發明揭示一種薄膜齊納(Zener)二極體，該薄膜齊納二極體包含：(a)包含其中包含至少一種有機材料的至少一層之薄膜；以及(b)與該薄膜的個別相對面接觸之第一及第二電極，其中該第一及第二電極的材料以及該薄膜的厚度係經選擇，以便提供一預先選擇的齊納臨界電壓。 A thin film Zener diode comprising: (a) a thin film comprising at least one layer including at least one organic material; and (b) first and second electrodes in contrast with respective opposite sides of the thin film, wherein the materials of the first and second electrodes and the thickness of the thin film are selected to provide a pre-selected Zener threshold voltage. 【創作特點】本發明的一項優點是一種改良式齊納二極體。
本發明的另一項優點是一種改良式薄膜齊納二極體。
本發明的又一項優點是一種包含有機半導體薄膜的改良式薄膜齊納二極體。
本發明的又一項優點是一種製造齊納二極體的改良方法。
本發明的又一項優點是一種製造其中包含有機半導體薄膜的薄膜齊納二極體之改良方法。
本發明的又一項優點是一種製造具有一預先選擇的齊納臨界電壓的齊納二極體之改良方法。
將在下文的說明中述及本發明的額外優點及其他特徵，且對此項技術具有一般知識者在參閱下文之後將可易於部分地了解這些優點及特徵，或者可從本發明的實施中得知這些優點及特徵。可實現並獲得在最後的申請專利範圍中明確指出的本發明之優點。
根據本發明的一面向，係由一薄膜齊納二極體部分地獲得所述的及其他的優點，該薄膜齊納二極體包含：(a)由包含至少一種有機材料的至少一層構成之一薄膜；以及(b)與該薄膜的個別相對面接觸之第一及第二電極。
根據本發明的實施例，該薄膜包含自單體、寡聚物、聚合物、及前述各項的組合中選出的至少一種有機材料；或者該薄膜包含一有機聚合物基質或黏接劑中含有金屬的微粒或原子團(cluster)。
根據本發明的某些實施例，該薄膜包含一層或多層的至少一種p型有機材料；且每一該等第一及第二電極包含具有等於或大於約4.1電子伏特(eV)的高電子功函數之一種材料；例如，每一該等第一及第二電極包含自其中包含金、鎢、鈦、鉑、銀、鉬、鉭、銅、金屬氧化物(例如氧化銦錫(ITO))、及有機聚合物的一組材料中選出的至少一種導電材料；且可由相同的或不同的高功函數材料構成該第一及第二電極。
根據本發明的其他實施例，該薄膜包含一層或多層的至少一種n型有機材料；且每一該等第一及第二電極包含具有小於約4.1電子伏特(eV)的低電子功函數之一種材料；例如，每一該等第一及第二電極包含自其中包含鈣、鎂、鎂與另一金屬結合之物、鋁、鋁合金、鋰鋁合金、及金屬-介電質組合的一組材料中選出的至少一種導電材料；且可由相同的或不同的低功函數材料構成該第一及第二電極。
根據本發明的其他實施例，該薄膜包含一層或多層的至少一種芳香族胺；每一該等第一及第二電極包含具有大於約4.1電子伏特(eV)的一高電子功函數之至少一種導電材料；且該薄膜包含一層的至少一種芳香族胺、一層的至少一種芳香族胺及一層的一種不同類型的有機材料、或分別包含至少一種芳香族胺的一對層。
根據本發明的實施例，該薄膜的厚度是在大約10埃與1毫米之間，且最好是在大約10埃與1微米之間，且更好是在大約10埃與1,500埃之間；且該第一及第二電極的其中一個電極是在一電絕緣基材之上。
根據本發明的一特定實施例，係由金構成該第一電極；該薄膜包含在該金第一電極之上的一層二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)以及在該層PTCDA之上的一層銅酞菁(CuPc)；以及該第二電極是在該層CuPc之上，且係由銀構成該第二電極；其中該薄膜可進一步包含介於該CuPc層與該第二電極間之一額外層的有機材料，一層諸如四苯基聯苯二胺(TPD)等的芳香胺p型半導體。根據本發明的另一特定實施例，係由金構成該第一電極；該薄膜包含在該金第一電極之上的一層銅酞菁(CuPc)、在該層CuPc之上的一層二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)、以及在該層PTCDA上的一額外層之一有機材料；以及該第二電極是在該額外層的一有機材料之上，且係由銀構成該第二電極，其中該額外層的一有機材料是諸如四苯基聯苯二胺(TPD)等的一層芳香胺p型半導體。
根據本發明的又一特定實施例，係由金構成該第一電極；該薄膜包含在該金第一電極之上的一層銅酞菁(CuPc)、及在該層CuPc之上的一層四苯基聯苯二胺(TPD)；以及係由銅構成該第二電極，且該第二電極構成在該層CuPc之上的一上電極。
根據本發明的又一特定實施例，係由鈦構成該第一電極；該薄膜包含在該鈦第一電極之上的一層銅酞菁(CuPc)；以及該第二電極係在該層CuPc之上，且係由銀構成該第二電極。
本發明的又一特定實施例是一種由銅、鉭、鈦、或鎢構成該第一電極之結構；該薄膜包含在該銅或鎢第一電極之上的一層聚苯乙炔(PPA)；以及係由鎢、鉭、鈦、鋁、銀、或銅構成該第二電極。
本發明的另一面向是一種製造一薄膜齊納二極體之方法，該方法包含下列步驟：(a)設有第一電極；(b)在該第一電極上形成由其中包含至少一種有機材料的至少一層所構成之一薄膜；以及(c)在該薄膜上形成第二電極。
根據本發明的各實施例，步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含自單體、寡聚物、聚合物、及前述各項的組合中選出的至少一種有機材料；或者步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含一有機聚合物基質或黏接劑中含有金屬的微粒或原子團；以及步驟(b)包含下列步驟：以一汽相沈積或旋轉塗佈製程形成該薄膜。
根據本發明的一特別有利之特徵，該方法進一步包含下列預備步驟：預先選擇該二極體的一齊納臨界電壓；以及步驟(a)至(c)包含下列步驟：選擇該第一及第二電極的材料、及該薄膜的厚度，以便得到該預先選擇的齊納臨界電壓。
根據本發明的實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供第一電極，且係由具有等於或大於約4.1電子伏特(eV)的高電子功函數之一種材料構成該第一電極；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含一層或多層的至少一種p型有機材料；以及步驟(c)包含下列步驟：形成由一材料構成的第二電極，該材料具有等於或大於約4.1電子伏特(eV)的高電子功函數；例如，步驟(a)包含下列步驟：提供第一電極，該第一電極包含自其中包含金、鎢、鈦、鉑、銀、鉬、鉭、銅、金屬氧化物、及有機聚合物的一組材料中選出的至少一種導電材料；以及步驟(c)包含下列步驟：形成第二電極，該第二電極包含自其中包含金、鎢、鈦、鉑、銀、鉬、鉭、銅、金屬氧化物、及有機聚合物的一組材料中選出的至少一種導電材料。
根據本發明的替代實施例，步驟(a)及(c)分別包含下列步驟：提供並形成由相同的或不同的高功函數材料構成的若干電極。
根據本發明的其他實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供第一電極，且係由具有小於約4.1電子伏特(eV)的低電子功函數之一種材料構成該第一電極；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含一層或多層的至少一種n型有機材料；以及步驟(c)包含下列步驟：形成由一材料構成的第二電極，該材料具有小於約4.1電子伏特(eV)的低電子功函數；例如，步驟(a)包含下列步驟：提供第一電極，該第一電極包含自鈣、鎂、鎂與另一金屬結合之物、鋁、鋁合金、鋰鋁合金、及金屬-介電質組合的一組材料中選出的至少一種導電材料；以及步驟(c)包含下列步驟：形成第二電極，該第二電極包含自鈣、鎂、鎂與另一金屬結合之物、鋁、鋁合金、鋰鋁合金、及金屬-介電質組合的一組材料中選出的至少一種導電材料。
根據本發明的替代實施例，步驟(a)及(c)分別包含下列步驟：提供並形成由相同的或不同的低功函數材料構成的若干電極。
根據本發明的其他實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供第一電極，且係由具有大於約4.1電子伏特(eV)的高電子功函數之一種材料構成該第一電極；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含一層或多層的至少一種芳香族胺；以及步驟(c)包含下列步驟：形成由一材料構成的第二電極，該材料具有大於約4.1電子伏特(eV)的高電子功函數；其中步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含一層的至少一種芳香族胺、其中包含一層的至少一種芳香族胺及一層的一種不同類型的有機材料之一薄膜、或分別包含至少一種芳香族胺的一對層；例如，步驟(a)包含下列步驟：提供第一電極，該第一電極包含自其中包含金、鎢、鈦、鉑、銀、鉬、鉭、銅、金屬氧化物、及有機聚合物的一組材料中選出的至少一種導電材料；以及步驟(c)包含下列步驟：形成第二電極，該第二電極包含自其中包含金、鎢、鈦、鉑、銀、鉬、鉭、銅、金屬氧化物、及有機聚合物的一組材料中選出的至少一種導電材料。
本發明的替代實施例包含其中步驟(a)及(c)分別包含提供並形成由相同的或不同的高功函數材料構成的電極之那些實施例。
根據本發明的實施例，步驟(b)包含下列步驟：形成該薄膜至大約10埃與1毫米間之厚度，且該厚度最好是在大約10埃與1微米之間，且更好是在大約10埃與1,500埃之間；以及步驟(a)包含下列步驟：以在一絕緣基材上形成的一下方電極之方式提供該第一電極。根據本發明的一特定實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供由金構成的第一下方電極；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含在該金下方電極之上的一層二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)以及在該層PTCDA之上的一層銅酞菁(CuPc)；以及步驟(c)包含下列步驟：形成一層的銀作為第二上方電極，且該第二上方電極係在該層CuPc之上；其中步驟(b)可包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜可進一步包含介於該CuPc層與該上方電極間之一額外層的一有機材料，例如一層諸如四苯基聯苯二胺(TPD)等的一芳香胺p型半導體。
根據本發明的另一特定實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供由金構成的第一下方電極；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該該薄膜包含在該金下方電極之上的一層銅酞菁(CuPc)、在該層CuPc之上的一層二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)、以及在該層PTCDA上的一額外層之有機材料(例如一層的TPD)；以及步驟(c)包含下列步驟：形成一層的銀作為第二上方電極，且該第二上方電極是在該額外層的有機材料之上。
根據本發明的又一特定實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供由金構成的第一下方電極；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含在該金下方電極之上的一層銅酞菁(CuPc)、及在該層CuPc之上的一層四苯基聯苯二胺(TPD)；以及步驟(c)包含下列步驟：形成一層的銅作為第二上方電極，且該第二上方電極係在該層CuPc之上。
根據本發明的又一特定實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供由鈦構成的第一下方電極；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含在該鈦下方電極之上的一層銅酞菁(CuPc)；以及步驟(c)包含下列步驟：形成一層的銀作為第二上方電極，且該上方電極係在該層CuPc之上。根據本發明的又一特定實施例，步驟(a)包含下列步驟：提供由銅、鉭、鈦、或鎢構成的第一下方電極之結構；步驟(b)包含下列步驟：形成一薄膜，該薄膜包含一層的聚苯乙炔(PPA)；以及步驟(c)包含下列步驟：形成一層的鎢、鉭、鈦、鋁、銀、或銅作為第二上方電極，且該上方電極係在該層PPA之上。
本發明的實施例包含一些方法，其中步驟(b)包含下列步驟：利用在諸如四氫呋喃(THF)及丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)等的一適當溶劑中之PPA溶液而以旋轉塗佈法在該第一下方電極上形成該PPA薄膜。
熟習此項技術者在參閱下文中之說明之後將可易於了解本發明的其他優點及態樣，其中係以舉例說明視為實施本發明的最佳模式之方式示出並說明本發明的各實施例。如將於後文中說明的，本發明還可以有其他不同的實施例，且易於在各種明顯的方面上修改本發明的數種細節，這些修改都未脫離本發明的精神。因此，應將該等圖式及說明在本質上視為舉例說明，而非對本發明加以限制。
简体摘要：本发明揭示一种薄膜齐纳(Zener)二极管，该薄膜齐纳二极管包含：(a)包含其中包含至少一种有机材料的至少一层之薄膜；以及(b)与该薄膜的个别相对面接触之第一及第二电极，其中该第一及第二电极的材料以及该薄膜的厚度系经选择，以便提供一预先选择的齐纳临界电压。 A thin film Zener diode comprising: (a) a thin film comprising at least one layer including at least one organic material; and (b) first and second electrodes in contrast with respective opposite sides of the thin film, wherein the materials of the first and second electrodes and the thickness of the thin film are selected to provide a pre-selected Zener threshold voltage. 【创作特点】本发明的一项优点是一种改良式齐纳二极管。本发明的另一项优点是一种改良式薄膜齐纳二极管。本发明的又一项优点是一种包含有机半导体薄膜的改良式薄膜齐纳二极管。本发明的又一项优点是一种制造齐纳二极管的改良方法。本发明的又一项优点是一种制造其中包含有机半导体薄膜的薄膜齐纳二极管之改良方法。本发明的又一项优点是一种制造具有一预先选择的齐纳临界电压的齐纳二极管之改良方法。将在下文的说明中述及本发明的额外优点及其他特征，且对此项技术具有一般知识者在参阅下文之后将可易于部分地了解这些优点及特征，或者可从本发明的实施中得知这些优点及特征。可实现并获得在最后的申请专利范围中明确指出的本发明之优点。根据本发明的一面向，系由一薄膜齐纳二极管部分地获得所述的及其他的优点，该薄膜齐纳二极管包含：(a)由包含至少一种有机材料的至少一层构成之一薄膜；以及(b)与该薄膜的个别相对面接触之第一及第二电极。根据本发明的实施例，该薄膜包含自单体、寡聚物、聚合物、及前述各项的组合中选出的至少一种有机材料；或者该薄膜包含一有机聚合物基质或黏接剂中含有金属的微粒或原子团(cluster)。根据本发明的某些实施例，该薄膜包含一层或多层的至少一种p型有机材料；且每一该等第一及第二电极包含具有等于或大于约4.1电子伏特(eV)的高电子功函数之一种材料；例如，每一该等第一及第二电极包含自其中包含金、钨、钛、铂、银、钼、钽、铜、金属氧化物(例如氧化铟锡(ITO))、及有机聚合物的一组材料中选出的至少一种导电材料；且可由相同的或不同的高功函数材料构成该第一及第二电极。根据本发明的其他实施例，该薄膜包含一层或多层的至少一种n型有机材料；且每一该等第一及第二电极包含具有小于约4.1电子伏特(eV)的低电子功函数之一种材料；例如，每一该等第一及第二电极包含自其中包含钙、镁、镁与另一金属结合之物、铝、铝合金、锂铝合金、及金属-介电质组合的一组材料中选出的至少一种导电材料；且可由相同的或不同的低功函数材料构成该第一及第二电极。根据本发明的其他实施例，该薄膜包含一层或多层的至少一种芳香族胺；每一该等第一及第二电极包含具有大于约4.1电子伏特(eV)的一高电子功函数之至少一种导电材料；且该薄膜包含一层的至少一种芳香族胺、一层的至少一种芳香族胺及一层的一种不同类型的有机材料、或分别包含至少一种芳香族胺的一对层。根据本发明的实施例，该薄膜的厚度是在大约10埃与1毫米之间，且最好是在大约10埃与1微米之间，且更好是在大约10埃与1,500埃之间；且该第一及第二电极的其中一个电极是在一电绝缘基材之上。根据本发明的一特定实施例，系由金构成该第一电极；该薄膜包含在该金第一电极之上的一层二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)以及在该层PTCDA之上的一层铜酞菁(CuPc)；以及该第二电极是在该层CuPc之上，且系由银构成该第二电极；其中该薄膜可进一步包含介于该CuPc层与该第二电极间之一额外层的有机材料，一层诸如四苯基联苯二胺(TPD)等的芳香胺p型半导体。根据本发明的另一特定实施例，系由金构成该第一电极；该薄膜包含在该金第一电极之上的一层铜酞菁(CuPc)、在该层CuPc之上的一层二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)、以及在该层PTCDA上的一额外层之一有机材料；以及该第二电极是在该额外层的一有机材料之上，且系由银构成该第二电极，其中该额外层的一有机材料是诸如四苯基联苯二胺(TPD)等的一层芳香胺p型半导体。根据本发明的又一特定实施例，系由金构成该第一电极；该薄膜包含在该金第一电极之上的一层铜酞菁(CuPc)、及在该层CuPc之上的一层四苯基联苯二胺(TPD)；以及系由铜构成该第二电极，且该第二电极构成在该层CuPc之上的一上电极。根据本发明的又一特定实施例，系由钛构成该第一电极；该薄膜包含在该钛第一电极之上的一层铜酞菁(CuPc)；以及该第二电极系在该层CuPc之上，且系由银构成该第二电极。本发明的又一特定实施例是一种由铜、钽、钛、或钨构成该第一电极之结构；该薄膜包含在该铜或钨第一电极之上的一层聚苯乙炔(PPA)；以及系由钨、钽、钛、铝、银、或铜构成该第二电极。本发明的另一面向是一种制造一薄膜齐纳二极管之方法，该方法包含下列步骤：(a)设有第一电极；(b)在该第一电极上形成由其中包含至少一种有机材料的至少一层所构成之一薄膜；以及(c)在该薄膜上形成第二电极。根据本发明的各实施例，步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含自单体、寡聚物、聚合物、及前述各项的组合中选出的至少一种有机材料；或者步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含一有机聚合物基质或黏接剂中含有金属的微粒或原子团；以及步骤(b)包含下列步骤：以一汽相沉积或旋转涂布制程形成该薄膜。根据本发明的一特别有利之特征，该方法进一步包含下列预备步骤：预先选择该二极管的一齐纳临界电压；以及步骤(a)至(c)包含下列步骤：选择该第一及第二电极的材料、及该薄膜的厚度，以便得到该预先选择的齐纳临界电压。根据本发明的实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供第一电极，且系由具有等于或大于约4.1电子伏特(eV)的高电子功函数之一种材料构成该第一电极；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含一层或多层的至少一种p型有机材料；以及步骤(c)包含下列步骤：形成由一材料构成的第二电极，该材料具有等于或大于约4.1电子伏特(eV)的高电子功函数；例如，步骤(a)包含下列步骤：提供第一电极，该第一电极包含自其中包含金、钨、钛、铂、银、钼、钽、铜、金属氧化物、及有机聚合物的一组材料中选出的至少一种导电材料；以及步骤(c)包含下列步骤：形成第二电极，该第二电极包含自其中包含金、钨、钛、铂、银、钼、钽、铜、金属氧化物、及有机聚合物的一组材料中选出的至少一种导电材料。根据本发明的替代实施例，步骤(a)及(c)分别包含下列步骤：提供并形成由相同的或不同的高功函数材料构成的若干电极。根据本发明的其他实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供第一电极，且系由具有小于约4.1电子伏特(eV)的低电子功函数之一种材料构成该第一电极；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含一层或多层的至少一种n型有机材料；以及步骤(c)包含下列步骤：形成由一材料构成的第二电极，该材料具有小于约4.1电子伏特(eV)的低电子功函数；例如，步骤(a)包含下列步骤：提供第一电极，该第一电极包含自钙、镁、镁与另一金属结合之物、铝、铝合金、锂铝合金、及金属-介电质组合的一组材料中选出的至少一种导电材料；以及步骤(c)包含下列步骤：形成第二电极，该第二电极包含自钙、镁、镁与另一金属结合之物、铝、铝合金、锂铝合金、及金属-介电质组合的一组材料中选出的至少一种导电材料。根据本发明的替代实施例，步骤(a)及(c)分别包含下列步骤：提供并形成由相同的或不同的低功函数材料构成的若干电极。根据本发明的其他实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供第一电极，且系由具有大于约4.1电子伏特(eV)的高电子功函数之一种材料构成该第一电极；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含一层或多层的至少一种芳香族胺；以及步骤(c)包含下列步骤：形成由一材料构成的第二电极，该材料具有大于约4.1电子伏特(eV)的高电子功函数；其中步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含一层的至少一种芳香族胺、其中包含一层的至少一种芳香族胺及一层的一种不同类型的有机材料之一薄膜、或分别包含至少一种芳香族胺的一对层；例如，步骤(a)包含下列步骤：提供第一电极，该第一电极包含自其中包含金、钨、钛、铂、银、钼、钽、铜、金属氧化物、及有机聚合物的一组材料中选出的至少一种导电材料；以及步骤(c)包含下列步骤：形成第二电极，该第二电极包含自其中包含金、钨、钛、铂、银、钼、钽、铜、金属氧化物、及有机聚合物的一组材料中选出的至少一种导电材料。本发明的替代实施例包含其中步骤(a)及(c)分别包含提供并形成由相同的或不同的高功函数材料构成的电极之那些实施例。根据本发明的实施例，步骤(b)包含下列步骤：形成该薄膜至大约10埃与1毫米间之厚度，且该厚度最好是在大约10埃与1微米之间，且更好是在大约10埃与1,500埃之间；以及步骤(a)包含下列步骤：以在一绝缘基材上形成的一下方电极之方式提供该第一电极。根据本发明的一特定实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供由金构成的第一下方电极；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含在该金下方电极之上的一层二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)以及在该层PTCDA之上的一层铜酞菁(CuPc)；以及步骤(c)包含下列步骤：形成一层的银作为第二上方电极，且该第二上方电极系在该层CuPc之上；其中步骤(b)可包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜可进一步包含介于该CuPc层与该上方电极间之一额外层的一有机材料，例如一层诸如四苯基联苯二胺(TPD)等的一芳香胺p型半导体。根据本发明的另一特定实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供由金构成的第一下方电极；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该该薄膜包含在该金下方电极之上的一层铜酞菁(CuPc)、在该层CuPc之上的一层二萘嵌苯四羧酸二酸酐(PTCDA)、以及在该层PTCDA上的一额外层之有机材料(例如一层的TPD)；以及步骤(c)包含下列步骤：形成一层的银作为第二上方电极，且该第二上方电极是在该额外层的有机材料之上。根据本发明的又一特定实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供由金构成的第一下方电极；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含在该金下方电极之上的一层铜酞菁(CuPc)、及在该层CuPc之上的一层四苯基联苯二胺(TPD)；以及步骤(c)包含下列步骤：形成一层的铜作为第二上方电极，且该第二上方电极系在该层CuPc之上。根据本发明的又一特定实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供由钛构成的第一下方电极；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含在该钛下方电极之上的一层铜酞菁(CuPc)；以及步骤(c)包含下列步骤：形成一层的银作为第二上方电极，且该上方电极系在该层CuPc之上。根据本发明的又一特定实施例，步骤(a)包含下列步骤：提供由铜、钽、钛、或钨构成的第一下方电极之结构；步骤(b)包含下列步骤：形成一薄膜，该薄膜包含一层的聚苯乙炔(PPA)；以及步骤(c)包含下列步骤：形成一层的钨、钽、钛、铝、银、或铜作为第二上方电极，且该上方电极系在该层PPA之上。本发明的实施例包含一些方法，其中步骤(b)包含下列步骤：利用在诸如四氢呋喃(THF)及丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)等的一适当溶剂中之PPA溶液而以旋转涂布法在该第一下方电极上形成该PPA薄膜。熟习此项技术者在参阅下文中之说明之后将可易于了解本发明的其他优点及态样，其中系以举例说明视为实施本发明的最佳模式之方式示出并说明本发明的各实施例。如将于后文中说明的，本发明还可以有其他不同的实施例，且易于在各种明显的方面上修改本发明的数种细节，这些修改都未脱离本发明的精神。因此，应将该等图式及说明在本质上视为举例说明，而非对本发明加以限制。

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