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1. 发明专利

TW200632999A 金氧半電晶體元件的極淺接合的新式矽化物結構 NOVEL SILICIDE STRUCTURE FOR ULTRA-SHALLOW JUNCTION FOR MOS DEVICES 审中-公开
简体标题：金氧半晶体管组件的极浅接合的新式硅化物结构 NOVEL SILICIDE STRUCTURE FOR ULTRA-SHALLOW JUNCTION FOR MOS DEVICES
公开(公告)号：TW200632999A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094119892
申请日：2005-06-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：石健學 SHIH, CHIEN HSUEH , 周士惟 CHOU, SHIH WEI , 蘇鴻文 SU, HUNG WEN , 蔡明興 TSAI, MING HSING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L29/66507 , H01L29/66515 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：一種形成半導體元件的方法，首先，在基板上的通道區域上形成閘介電層，在閘介電層上形成閘極。之後，形成與閘極邊緣對齊的源極／汲極區域，且源極／汲極區域間為該通道區域。最後，在源極／汲極區域上形成薄金屬層，在薄金屬層上形成金屬合金層，並且將該薄金屬層轉換為低電阻之金屬矽化物層。
简体摘要：一种形成半导体组件的方法，首先，在基板上的信道区域上形成闸介电层，在闸介电层上形成闸极。之后，形成与闸极边缘对齐的源极／汲极区域，且源极／汲极区域间为该信道区域。最后，在源极／汲极区域上形成薄金属层，在薄金属层上形成金属合金层，并且将该薄金属层转换为低电阻之金属硅化物层。

2. 发明专利

TW201733017A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201733017A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105139208
申请日：2016-11-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉曉萍 , LIU, HSIAO PING , 林睿哲 , LIN, RUEIJER , 李亞蓮 , LEE, YA LIEN , 許宏彰 , HSU, HUNG CHANG , 林聖軒 , LIN, SHENG HSUAN , 高研碩 , KAO, YEN SHOU , 蘇鴻文 , SU, HUNG WEN , 蔡明興 , TSAI, MING HSING , 章勳明 , JANG, SYUN MING
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L21/3083 , H01L21/823425 , H01L29/41783 , H01L29/66515 , H01L29/6653 , H01L29/66553
摘要：本揭露之實施例提供一種製造半導體裝置的方法。該方法包括：形成第一閘極堆疊於基底上方。第一閘極堆疊包括閘極電極、設置於閘極電極上方的第一硬罩幕(HM)及沿著第一閘極堆疊的側壁之側壁間隔物。該方法亦包括：形成第一介電層於第一閘極堆疊上方；形成第二硬罩幕於第一硬罩幕及側壁間隔物之頂表面上方；形成第二介電層於第二硬罩幕及第一介電層上方；及移除第二介電層及第一介電層以形成溝槽並暴露基底的一部份，而第二硬罩幕設置於第一閘極堆疊上方。
简体摘要：本揭露之实施例提供一种制造半导体设备的方法。该方法包括：形成第一闸极堆栈于基底上方。第一闸极堆栈包括闸极电极、设置于闸极电极上方的第一硬罩幕(HM)及沿着第一闸极堆栈的侧壁之侧壁间隔物。该方法亦包括：形成第一介电层于第一闸极堆栈上方；形成第二硬罩幕于第一硬罩幕及侧壁间隔物之顶表面上方；形成第二介电层于第二硬罩幕及第一介电层上方；及移除第二介电层及第一介电层以形成沟槽并暴露基底的一部份，而第二硬罩幕设置于第一闸极堆栈上方。

3. 发明专利

TW201628079A 半導體結構的形成方法审中-公开
简体标题：半导体结构的形成方法
公开(公告)号：TW201628079A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104140066
申请日：2015-12-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：凱利安德魯約瑟夫 , KELLY, ANDREW JOSEPH , 鬼木悠丞 , ONIKI, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/28 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/41783 , H01L21/32134 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823443 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66507 , H01L29/66515 , H01L29/66795
摘要：提供一種半導體結構的形成方法。在一些實施例中，提供了一種用於形成半導體結構的方法。用於形成半導體結構的方法包括：在基板上方形成源極/汲極結構以及在源極/汲極結構上形成金屬層。用於形成半導體結構的方法還包括：使金屬層的一部分與源極/汲極結構反應以在源極/汲極結構上形成金屬化層。用於形成半導體結構的方法還包括藉由蝕刻製程移除位於金屬化層上的金屬層的未反應部分。此外，蝕刻製程包括使用包含氫氟酸和碳酸丙烯酯的蝕刻劑，並且在蝕刻劑中氫氟酸與碳酸丙烯酯的體積比介於約1：10至約1：10000。
简体摘要：提供一种半导体结构的形成方法。在一些实施例中，提供了一种用于形成半导体结构的方法。用于形成半导体结构的方法包括：在基板上方形成源极/汲极结构以及在源极/汲极结构上形成金属层。用于形成半导体结构的方法还包括：使金属层的一部分与源极/汲极结构反应以在源极/汲极结构上形成金属化层。用于形成半导体结构的方法还包括借由蚀刻制程移除位于金属化层上的金属层的未反应部分。此外，蚀刻制程包括使用包含氢氟酸和碳酸丙烯酯的蚀刻剂，并且在蚀刻剂中氢氟酸与碳酸丙烯酯的体积比介于约1：10至约1：10000。

4. 发明专利

TW379369B 耐火金屬之選擇性沉積方法及由此形成之裝置失效
简体标题：耐火金属之选择性沉积方法及由此形成之设备
公开(公告)号：TW379369B
公开(公告)日：2000-01-11
申请号：TW086117225
申请日：1997-11-18
申请人：萬國商業機器公司
发明人：史帝芬布魯斯布洛斯基 , 理查安東尼康提 , 沙夏吉蘇巴那
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76897 , C23C16/04 , H01L21/28061 , H01L21/28562 , H01L29/66515
摘要：本發明係揭示一種選擇性生長/沉積耐火金屬於外露矽上而不是場氧化物上之方法，及藉此方法所製成之裝置。此方法包括在DHF浸液中預調理晶圓，接著進行以下步驟，1)經由使耐火金屬鹵化物與該矽基材之外露表面反應，選擇性沉積耐火金屬於矽基材之外露表面上；2)經由使耐火金屬鹵化物與含矽氣體反應，限制矽基材消耗；及3)經由使耐火金屬鹵化物與氫反應，進一步增加耐火金屬厚度。於各沉積步驟期間，經過1)溫度、2)壓力、3)時間、4)流量及5)流量比等參數之適當預處理與選擇，本發明係適當地尋求解決不均勻n+對p+(源極/汲極)生長、因耐火金屬進入矽區域(例如蟲孔)中所致之深消耗/侵入、不良黏著性、未經控制之選擇性及不均勻形態學等問題。
简体摘要：本发明系揭示一种选择性生长/沉积耐火金属于外露硅上而不是场氧化物上之方法，及借此方法所制成之设备。此方法包括在DHF浸液中预调理晶圆，接着进行以下步骤，1)经由使耐火金属卤化物与该硅基材之外露表面反应，选择性沉积耐火金属于硅基材之外露表面上；2)经由使耐火金属卤化物与含硅气体反应，限制硅基材消耗；及3)经由使耐火金属卤化物与氢反应，进一步增加耐火金属厚度。于各沉积步骤期间，经过1)温度、2)压力、3)时间、4)流量及5)流量比等参数之适当预处理与选择，本发明系适当地寻求解决不均匀n+对p+(源极/汲极)生长、因耐火金属进入硅区域(例如虫孔)中所致之深消耗/侵入、不良黏着性、未经控制之选择性及不均匀形态学等问题。

5. 发明专利

TWI607570B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI607570B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105125571
申请日：2016-08-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 楊世海 , YEONG, SAI-HOOI , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/66515 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/7848

6. 发明专利

TWI541905B 溝槽金屬氧化物半導體場效電晶體元件及其製造方法有权
简体标题：沟槽金属氧化物半导体场效应管组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI541905B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103113218
申请日：2014-04-10
申请人：矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 , SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD.
发明人：童亮
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42364 , H01L29/0615 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/458 , H01L29/4916 , H01L29/66484 , H01L29/66515 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7831

7. 发明专利

TW201347049A 半導體裝置的製作方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制作方法
公开(公告)号：TW201347049A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102114534
申请日：2013-04-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蕭文助 , HSIAO, WEN CHU , 庄麗雲 , CHONG, LAI WAN , 王俊傑 , WANG, CHUN CHIEH , 周櫻旻 , CHOU, YING MIN , 葛翔翔 , KO, HSIANG HSIANG , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/28518 , H01L29/0603 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66515 , H01L29/6653 , H01L29/66636 , H01L29/7845 , H01L29/7847
摘要：在一種半導體裝置的製作方法中，於一基板上形成一源極/汲極特徵部件，於源極/汲極特徵部件上形成一含矽層，於含矽層上形成一金屬層，並由金屬層與含矽層之矽形成一金屬矽化物。
简体摘要：在一种半导体设备的制作方法中，于一基板上形成一源极/汲极特征部件，于源极/汲极特征部件上形成一含硅层，于含硅层上形成一金属层，并由金属层与含硅层之硅形成一金属硅化物。

8. 发明专利

TW201801154A 高電壓電晶體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：高电压晶体管设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201801154A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105134713
申请日：2016-10-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 王培倫 , WANG, PEI-LUN , 曾元泰 , TSENG, YUAN-TAI , 張宇行 , CHANG, YU-HSING , 劉世昌 , LIU, SHIH-CHANG
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/7823 , H01L21/26513 , H01L21/31144 , H01L21/32055 , H01L21/32139 , H01L21/76897 , H01L23/535 , H01L29/0649 , H01L29/402 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/66515 , H01L29/66545 , H01L29/66681 , H01L29/66689 , H01L29/7816
摘要：一種方法包含：沿著閘極結構之側壁形成閘極間隔件；在該閘極結構之相對側上形成源極區及汲極區，其中該源極區之側壁與該閘極間隔件之第一側壁垂直地對準；沉積介電層於基板上方；沉積導電層於該介電層上方；將該介電層及該導電層圖案化以形成場板，其中該介電層包括自第二汲極/源極區延伸至該閘極間隔件之第二側壁之水平部分及沿著該閘極間隔件之該第二側壁形成之垂直部分；藉由對該導電層、該閘極結構、第一汲極/源極區及第二汲極/源極區應用自對準矽化物製程而形成複數個金屬矽化物層；及形成接點插塞於該複數個金屬矽化物層上方。
简体摘要：一种方法包含：沿着闸极结构之侧壁形成闸极间隔件；在该闸极结构之相对侧上形成源极区及汲极区，其中该源极区之侧壁与该闸极间隔件之第一侧壁垂直地对准；沉积介电层于基板上方；沉积导电层于该介电层上方；将该介电层及该导电层图案化以形成场板，其中该介电层包括自第二汲极/源极区延伸至该闸极间隔件之第二侧壁之水平部分及沿着该闸极间隔件之该第二侧壁形成之垂直部分；借由对该导电层、该闸极结构、第一汲极/源极区及第二汲极/源极区应用自对准硅化物制程而形成复数个金属硅化物层；及形成接点插塞于该复数个金属硅化物层上方。

9. 发明专利

TW201719763A 半導體裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201719763A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105101183
申请日：2016-01-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：呂志偉 , LU, CHIH WEI , 李忠儒 , LEE, CHUNG JU , 黃建樺 , HUANG, CHIEN HUA , 沈香谷 , SHEN, HSIANG KU , 陳昭誠 , CHEN, ZHAO CHENG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/772
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/31055 , H01L21/467 , H01L21/76816 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/823475 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/088 , H01L29/0649 , H01L29/66515
摘要：一種半導體裝置之形成方法提供一半成品，包括：一基板，具有一第一區與一第二區，其中該第一區包括一絕緣物而該第二區包括一電晶體之源極、汲極與通道區。此半成品更包括位於該絕緣物上之閘極堆疊物及位於該通道區上之閘極堆疊物。此半成品更包括位於該些閘極堆疊物上之一第一介電層。此方法更包括部分凹蝕該第一介電層；形成一第二介電層於經凹蝕之該第一介電層上；以及形成一接觸蝕刻停止層於該第二介電層上。於一實施例中，此方法更包括形成閘極介層物孔洞於閘極堆疊物上、形成源極與汲極介層物孔洞於源極/汲極區上，及形成介層物於閘極介層物孔洞與閘極介層物孔洞內。
简体摘要：一种半导体设备之形成方法提供一半成品，包括：一基板，具有一第一区与一第二区，其中该第一区包括一绝缘物而该第二区包括一晶体管之源极、汲极与信道区。此半成品更包括位于该绝缘物上之闸极堆栈物及位于该信道区上之闸极堆栈物。此半成品更包括位于该些闸极堆栈物上之一第一介电层。此方法更包括部分凹蚀该第一介电层；形成一第二介电层于经凹蚀之该第一介电层上；以及形成一接触蚀刻停止层于该第二介电层上。于一实施例中，此方法更包括形成闸极介层物孔洞于闸极堆栈物上、形成源极与汲极介层物孔洞于源极/汲极区上，及形成介层物于闸极介层物孔洞与闸极介层物孔洞内。

10. 发明专利

TW201714218A 形成金屬矽化物的方法审中-公开
简体标题：形成金属硅化物的方法
公开(公告)号：TW201714218A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105122166
申请日：2016-07-14
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：伍德魯夫雅各赫夫曼 , WOODRUFF, JACOB HUFFMAN
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/32053 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76889 , H01L21/76895 , H01L29/665 , H01L29/66515 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種形成金屬矽化物之方法，所述方法可包括在基板之經暴露矽區上沈積界面層，其中所述界面層包括矽化物形成金屬及非矽化物形成元素。所述方法可包括在所述界面層上沈積金屬氧化物層，其中所述金屬氧化物層包括第二矽化物形成金屬。隨後可加熱所述基板以使用來自所述經暴露矽區之矽、所述界面層之所述第一矽化物形成金屬及所述金屬氧化物層之所述第二矽化物形成金屬在所述界面層之下形成所述金屬矽化物。
简体摘要：本发明提供一种形成金属硅化物之方法，所述方法可包括在基板之经暴露硅区上沉积界面层，其中所述界面层包括硅化物形成金属及非硅化物形成元素。所述方法可包括在所述界面层上沉积金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包括第二硅化物形成金属。随后可加热所述基板以使用来自所述经暴露硅区之硅、所述界面层之所述第一硅化物形成金属及所述金属氧化物层之所述第二硅化物形成金属在所述界面层之下形成所述金属硅化物。

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