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1. 发明专利

TW201705180A 利用離子照射所進行的被覆材之脫膜方法及脫膜裝置审中-公开
简体标题：利用离子照射所进行的被覆材之脱膜方法及脱膜设备
公开(公告)号：TW201705180A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105110740
申请日：2016-04-06
申请人：新明和工業股份有限公司 , SHINMAYWA INDUSTRIES, LTD.
发明人：列姆湼夫阿列克謝 , REMNEV, G. ALEXEY , 植村賢介 , UEMURA, KENSUKE
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3053 , C23C14/022 , C23C16/0245 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/0825 , H01J2237/20214 , H01J2237/3114 , H01J2237/3132 , H01J2237/3151
摘要：本發明之課題在於提供一種脫膜方法，其係將由如PCD(多晶金剛石)之無機物被覆之工具或機械零件等以可回收使用之方式進行脫膜的方法，該脫膜方法於離子照射時使被脫膜基材(被覆材)難以產生死角，難以因溫度而於基材(金屬製構件)產生脆性相，且可以經濟的速度實施脫膜。藉由該脫膜方法可解決上述課題，該脫膜方法係對在金屬製構件之表面附著包含無機物之被膜而成之被覆材照射離子流，而將上述被膜自上述金屬製構件剝離之脫膜方法，其特徵在於：將上述被覆材設置於2股以上之離子流重疊之離子流集中部，不對上述被覆材施加正負偏壓，而對上述被覆材照射上述離子流。作為自電漿產生離子時所使用之氣體，除利用離子碰撞之物理作用進行脫膜且使電漿穩定之氬(Ar)以外，較佳為使用利用化學反應促進脫膜之氧、CF4。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种脱膜方法，其系将由如PCD(多晶金刚石)之无机物被覆之工具或机械零件等以可回收使用之方式进行脱膜的方法，该脱膜方法于离子照射时使被脱膜基材(被覆材)难以产生死角，难以因温度而于基材(金属制构件)产生脆性相，且可以经济的速度实施脱膜。借由该脱膜方法可解决上述课题，该脱膜方法系对在金属制构件之表面附着包含无机物之被膜而成之被覆材照射离子流，而将上述被膜自上述金属制构件剥离之脱膜方法，其特征在于：将上述被覆材设置于2股以上之离子流重叠之离子流集中部，不对上述被覆材施加正负偏压，而对上述被覆材照射上述离子流。作为自等离子产生离子时所使用之气体，除利用离子碰撞之物理作用进行脱膜且使等离子稳定之氩(Ar)以外，较佳为使用利用化学反应促进脱膜之氧、CF4。

2. 发明专利

TW200919485A 原子級尖銳銥針尖之製造方法及銥針 METHOD OF MAKING ATOMICALLY SHARP IRIDIUM TIP AND IRIDIUM NEEDLE 审中-公开
简体标题：原子级尖锐铱针尖之制造方法及铱针 METHOD OF MAKING ATOMICALLY SHARP IRIDIUM TIP AND IRIDIUM NEEDLE
公开(公告)号：TW200919485A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097107471
申请日：2008-03-04
申请人：中央研究院 ACADEMIA SINICA
发明人：郭鴻曦 KUO, HONG SHI , 黃英碩 HWANG, ING SHOUH , 鄭天佐 TSONG, TIEN T. , 傅祖怡 FU, TSU YI
IPC分类号： G01Q , G12B
CPC分类号： G01Q60/16 , C21D9/26 , C21D2201/04 , C22F1/14 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/3056 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2209/0226 , H01J2237/06 , H01J2237/08 , H01J2237/0807 , H01J2237/3114 , Y10S977/848 , Y10S977/90 , Y10S977/949 , Y10S977/95 , Y10T428/12389
摘要：本發明提供一種原子級尖銳銥針尖的製造方法,包括下列步驟:細化一銥線的末端;以及於一第一溫度之環境下加熱該銥線,以於上述細化的末端上形成一三角錐結構,其中該三角錐結構之針尖具有原子級尖銳度。
简体摘要：本发明提供一种原子级尖锐铱针尖的制造方法,包括下列步骤:细化一铱线的末端;以及于一第一温度之环境下加热该铱线,以于上述细化的末端上形成一三角锥结构,其中该三角锥结构之针尖具有原子级尖锐度。

3. 发明专利

TWI446430B 用於控制結構之經磨製截面之表皮變化之系統及裝置有权
简体标题：用于控制结构之经磨制截面之表皮变化之系统及设备
公开(公告)号：TWI446430B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100116050
申请日：2004-11-18
申请人： FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：納迪詹姆斯P , NADEAU, JAMES P. , 周培 , ZOU, PEI , 艾加法克傑森H , ARJAVAC, JASON H.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： G11B5/3163 , H01J2237/3114

4. 发明专利

TW201135828A 用於控制結構之經磨製截面之表皮變化之系統及裝置 SYSTEM AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOPOGRAPHICAL VARIATION ON A MILLED CROSS-SECTION OF A STRUCTURE 审中-公开
简体标题：用于控制结构之经磨制截面之表皮变化之系统及设备 SYSTEM AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOPOGRAPHICAL VARIATION ON A MILLED CROSS-SECTION OF A STRUCTURE
公开(公告)号：TW201135828A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW100116050
申请日：2004-11-18
申请人： FEI公司
发明人：納迪詹姆斯P , 周培 , 艾加法克傑森H
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11B5/3163 , H01J2237/3114
摘要：本發明揭示一種在磨製結構之截面時控制表皮變化之系統及裝置,其可用以降低寫入頭截面上之表皮變化以改良度量應用之準確性。表皮變化因使用保護層而降低,其包含較高入射角磨製速率極為接近結構之較高入射角磨製速率之材料。表皮變化可因使用保護層而故意引起,其包含較高入射角磨製速率不十分接近結構之較高入射角處磨製速率之材料。
简体摘要：本发明揭示一种在磨制结构之截面时控制表皮变化之系统及设备,其可用以降低写入头截面上之表皮变化以改良度量应用之准确性。表皮变化因使用保护层而降低,其包含较高入射角磨制速率极为接近结构之较高入射角磨制速率之材料。表皮变化可因使用保护层而故意引起,其包含较高入射角磨制速率不十分接近结构之较高入射角处磨制速率之材料。

5. 发明专利

TWI322456B 用於電氣及物理特性化之金屬氧化物半導體場效電晶體的後方移除分層結構 BACKSIDE UNLAYERING OF MOSFET DEVICES FOR ELETRICAL AND PHYSICAL CHARACTERIZATION 失效
简体标题：用于电气及物理特性化之金属氧化物半导体场效应管的后方移除分层结构 BACKSIDE UNLAYERING OF MOSFET DEVICES FOR ELETRICAL AND PHYSICAL CHARACTERIZATION
公开(公告)号：TWI322456B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW094100062
申请日：2005-01-03
申请人：萬國商業機器公司
发明人：泰倫斯L 凱恩 , 達瑞爾L 米爾斯 , 約翰D 席維斯特 , 麥克P 泰尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32366 , G01N1/32 , G01R31/2898 , H01J2237/3114
摘要：本發明係關於一種用於後方移除一半導體元件分層結構以曝露該元件之FEOL半導體特徵，以用於隨後電氣及/或物理探測之方法及系統。在該半導體之一後方基板層內形成一窗口。產生且引導一準直離子電漿以便經由一在一聚焦遮罩中之開口而僅在該後方窗口內接觸該半導體。此經聚焦之準直離子電漿僅在該窗口內接觸該半導體，同時由一溫度受控之平臺同時旋轉及傾斜該半導體以均勻移除半導體層，使得曝露位於一對應於該後方窗口之該半導體上之位置處之半導體特徵。本發明之後方移除分層結構法可藉由CAIBE處理而得以增強。【創作特點】由於牢記先前技術之問題及不足，因此本發明之一目標在於提供一種用於在一特定位點MOSFET元件之電氣探測及/或特性化之前進行晶粒或晶圓後方移除分層結構之方法及設備，其避免閘極薄膜之損壞或破裂，特定言之，其避免厚度小於約2 nm之閘極薄膜及/或高介電常數（意即，大於約10）之閘極薄膜之損壞或破裂。
本發明之另一目標在於提供一種以下薄膜以及基板層之晶粒/晶圓後方移除分層結構之方法及設備，該等薄膜包括（但不限於）：二氧化矽層、內埋氧化層、淺渠溝式絕緣物薄膜（例如，氧化物或四正矽酸酯薄膜）、鍺、砷化鎵及矽鍺材料之薄膜；該等基板層包括：塊狀矽、結合SOI基板材料、應變矽及淺接面（例如，彼等小於約80 nm之接面）。
本發明之另一目標及優勢在於提供消除由與習知FIB顯微處理之高加速之光束電位（>1 KeV至300 KeV）相關聯之表面非晶化損壞所引起之任何影響之設備及方法。
本發明之另一目標在於提供一種補償自晶粒或晶圓之後方觀察或移除分層結構之非均勻、不規則的FEOL特徵及/或層之平面移除分層結構法。
本發明之另一目標及優勢在於提供避免任何與RF電漿源或彼等與聚焦離子束系統相關聯之電荷感應損壞之設備與方法。
自本說明書將部分地明瞭且將部分地顯而易見本發明之其它目標及優勢。
本發明達成了熟習此項技術者將易瞭解之上述及其它目標及優勢，在一第一態樣中，本發明係針對一種藉由在一處理腔室內提供一具有一後方表面之半導體來處理一半導體元件之一後方之方法。於該半導體之該後方表面中形成一窗口，且接著在該處理腔室內產生一準直離子電漿。聚焦此準直離子電漿以便藉由使該準直離子電漿穿過在該處理腔室內之一遮罩中之一開口來僅在該窗口內接觸該半導體。接著使經聚焦之準直離子電漿僅在該窗口內接觸該半導體以均勻地移除半導體層，使得曝露位於一對應於後方窗口之半導體上之位置處之半導體特徵。
在另一態樣中，本發明至少係針對一種藉由提供一具有一旋轉的、傾斜的平臺之處理腔室來處理一半導體元件之一後方之方法。在該腔室內提供一半導體，該半導體在其一後方處具有一位於一絕緣物層上方之基板層。於此半導體之該絕緣物層中包括複數個半導體特徵。將該半導體安置於腔室中之旋轉的、傾斜的平臺上，且接著形成一延伸入在半導體之後方處之基板層中的窗口。於腔室中產生一準直離子電漿，且接著該準直離子電漿穿過在該處理腔室內之一遮罩中之一開口以用於聚焦該準直離子電漿，使得其僅在後方窗口內接觸該半導體。在同時旋轉並傾斜在臺上之半導體時，經聚焦之準直離子電漿在該窗口中接觸該半導體。此使能夠均勻移除在該窗口內之任何剩餘基板層以及絕緣物層以曝露複數個半導體特徵中之選定之多者以用於隨後處理步驟。
在另一態樣中，本發明至少係針對一種用於處理一半導體元件之一後方之系統。該系統包括一處理腔室，其中具有一半導體。此半導體具有複數個層及一位於該半導體之後方之窗口。在該處理腔室內具有一離子源以及至少第一準直儀及第二準直儀。在該處理腔室內，準直儀係位於該離子源與該半導體之間。一具有一開口之遮罩係在該腔室中且在該等準直儀與該半導體之間，使得該系統產生一準直離子電漿，該準直離子電漿經由該開口聚焦以便僅在該後方窗口內接觸該半導體。此有利地使得能夠經由該窗口均勻地移除經曝露之複數個半導體層中之選定之多者，使得曝露該半導體之FEOL半導體特徵以用於探測。
简体摘要：本发明系关于一种用于后方移除一半导体组件分层结构以曝露该组件之FEOL半导体特征，以用于随后电气及/或物理探测之方法及系统。在该半导体之一后方基板层内形成一窗口。产生且引导一准直离子等离子以便经由一在一聚焦遮罩中之开口而仅在该后方窗口内接触该半导体。此经聚焦之准直离子等离子仅在该窗口内接触该半导体，同时由一温度受控之平台同时旋转及倾斜该半导体以均匀移除半导体层，使得曝露位于一对应于该后方窗口之该半导体上之位置处之半导体特征。本发明之后方移除分层结构法可借由CAIBE处理而得以增强。【创作特点】由于牢记先前技术之问题及不足，因此本发明之一目标在于提供一种用于在一特定位点MOSFET组件之电气探测及/或特性化之前进行晶粒或晶圆后方移除分层结构之方法及设备，其避免闸极薄膜之损坏或破裂，特定言之，其避免厚度小于约2 nm之闸极薄膜及/或高介电常数（意即，大于约10）之闸极薄膜之损坏或破裂。本发明之另一目标在于提供一种以下薄膜以及基板层之晶粒/晶圆后方移除分层结构之方法及设备，该等薄膜包括（但不限于）：二氧化硅层、内埋氧化层、浅渠沟式绝缘物薄膜（例如，氧化物或四正硅酸酯薄膜）、锗、砷化镓及硅锗材料之薄膜；该等基板层包括：块状硅、结合SOI基板材料、应变硅及浅接面（例如，彼等小于约80 nm之接面）。本发明之另一目标及优势在于提供消除由与习知FIB显微处理之高加速之光束电位（>1 KeV至300 KeV）相关联之表面非晶化损坏所引起之任何影响之设备及方法。本发明之另一目标在于提供一种补偿自晶粒或晶圆之后方观察或移除分层结构之非均匀、不守则的FEOL特征及/或层之平面移除分层结构法。本发明之另一目标及优势在于提供避免任何与RF等离子源或彼等与聚焦离子束系统相关联之电荷感应损坏之设备与方法。自本说明书将部分地明了且将部分地显而易见本发明之其它目标及优势。本发明达成了熟习此项技术者将易了解之上述及其它目标及优势，在一第一态样中，本发明系针对一种借由在一处理腔室内提供一具有一后方表面之半导体来处理一半导体组件之一后方之方法。于该半导体之该后方表面中形成一窗口，且接着在该处理腔室内产生一准直离子等离子。聚焦此准直离子等离子以便借由使该准直离子等离子穿过在该处理腔室内之一遮罩中之一开口来仅在该窗口内接触该半导体。接着使经聚焦之准直离子等离子仅在该窗口内接触该半导体以均匀地移除半导体层，使得曝露位于一对应于后方窗口之半导体上之位置处之半导体特征。在另一态样中，本发明至少系针对一种借由提供一具有一旋转的、倾斜的平台之处理腔室来处理一半导体组件之一后方之方法。在该腔室内提供一半导体，该半导体在其一后方处具有一位于一绝缘物层上方之基板层。于此半导体之该绝缘物层中包括复数个半导体特征。将该半导体安置于腔室中之旋转的、倾斜的平台上，且接着形成一延伸入在半导体之后方处之基板层中的窗口。于腔室中产生一准直离子等离子，且接着该准直离子等离子穿过在该处理腔室内之一遮罩中之一开口以用于聚焦该准直离子等离子，使得其仅在后方窗口内接触该半导体。在同时旋转并倾斜在台上之半导体时，经聚焦之准直离子等离子在该窗口中接触该半导体。此使能够均匀移除在该窗口内之任何剩余基板层以及绝缘物层以曝露复数个半导体特征中之选定之多者以用于随后处理步骤。在另一态样中，本发明至少系针对一种用于处理一半导体组件之一后方之系统。该系统包括一处理腔室，其中具有一半导体。此半导体具有复数个层及一位于该半导体之后方之窗口。在该处理腔室内具有一离子源以及至少第一准直仪及第二准直仪。在该处理腔室内，准直仪系位于该离子源与该半导体之间。一具有一开口之遮罩系在该腔室中且在该等准直仪与该半导体之间，使得该系统产生一准直离子等离子，该准直离子等离子经由该开口聚焦以便仅在该后方窗口内接触该半导体。此有利地使得能够经由该窗口均匀地移除经曝露之复数个半导体层中之选定之多者，使得曝露该半导体之FEOL半导体特征以用于探测。

6. 发明专利

TW200527524A 用於控制結構之經磨製截面之表皮變化之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOPOGRAPHICAL VARIATION ON A MILLED CROSS-SECTION OF A STRUCTURE 审中-公开
简体标题：用于控制结构之经磨制截面之表皮变化之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOPOGRAPHICAL VARIATION ON A MILLED CROSS-SECTION OF A STRUCTURE
公开(公告)号：TW200527524A
公开(公告)日：2005-08-16
申请号：TW093135501
申请日：2004-11-18
申请人： FEI公司 FEI COMPANY
发明人：詹姆斯P 納迪 NADEAU, JAMES P. , 周培 ZOU, PEI , 傑森H 艾加法克 ARJAVAC, JASON H.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11B5/3163 , H01J2237/3114
摘要：本發明揭示一種在磨製結構之截面時控制表皮變化之改良方法，其可用以降低寫入頭截面上之表皮變化以改良度量應用之準確性。表皮變化因使用保護層而降低，其包含較高入射角磨製速率極為接近結構之較高入射角磨製速率之材料。表皮變化可因使用保護層而故意引起，其包含較高入射角磨製速率不十分接近結構之較高入射角處磨製速率之材料。
简体摘要：本发明揭示一种在磨制结构之截面时控制表皮变化之改良方法，其可用以降低写入头截面上之表皮变化以改良度量应用之准确性。表皮变化因使用保护层而降低，其包含较高入射角磨制速率极为接近结构之较高入射角磨制速率之材料。表皮变化可因使用保护层而故意引起，其包含较高入射角磨制速率不十分接近结构之较高入射角处磨制速率之材料。

7. 发明专利

TWI381164B 原子級尖銳銥針尖之製造方法及銥針有权
简体标题：原子级尖锐铱针尖之制造方法及铱针
公开(公告)号：TWI381164B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097107471
申请日：2008-03-04
申请人：中央研究院 , ACADEMIA SINICA
发明人：郭鴻曦 , KUO, HONG SHI , 黃英碩 , HWANG, ING SHOUH , 鄭天佐 , TSONG, TIEN T. , 傅祖怡 , FU, TSU YI
IPC分类号： G01Q60/10 , G01Q60/44
CPC分类号： G01Q60/16 , C21D9/26 , C21D2201/04 , C22F1/14 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/3056 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2209/0226 , H01J2237/06 , H01J2237/08 , H01J2237/0807 , H01J2237/3114 , Y10S977/848 , Y10S977/90 , Y10S977/949 , Y10S977/95 , Y10T428/12389

8. 发明专利

TWI353012B 用於控制結構之經磨製截面之表皮變化之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOPOGRAPHICAL VARIATION ON A MILLED CROSS-SECTION OF A STRUCTURE 有权
简体标题：用于控制结构之经磨制截面之表皮变化之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOPOGRAPHICAL VARIATION ON A MILLED CROSS-SECTION OF A STRUCTURE
公开(公告)号：TWI353012B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW093135501
申请日：2004-11-18
申请人： FEI公司
发明人：詹姆斯P 納迪 , 周培 , 傑森H 艾加法克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11B5/3163 , H01J2237/3114
摘要：本發明揭示一種在磨製結構之截面時控制表皮變化之改良方法，其可用以降低寫入頭截面上之表皮變化以改良度量應用之準確性。表皮變化因使用保護層而降低，其包含較高入射角磨製速率極為接近結構之較高入射角磨製速率之材料。表皮變化可因使用保護層而故意引起，其包含較高入射角磨製速率不十分接近結構之較高入射角處磨製速率之材料。
简体摘要：本发明揭示一种在磨制结构之截面时控制表皮变化之改良方法，其可用以降低写入头截面上之表皮变化以改良度量应用之准确性。表皮变化因使用保护层而降低，其包含较高入射角磨制速率极为接近结构之较高入射角磨制速率之材料。表皮变化可因使用保护层而故意引起，其包含较高入射角磨制速率不十分接近结构之较高入射角处磨制速率之材料。

9. 发明专利

TW200534347A 用於電氣及物理特性化之金屬氧化物半導體場效電晶體的後方移除分層結構 BACKSIDE UNLAYERING OF MOSFET DEVICES FOR ELETRICAL AND PHYSICAL CHARACTERIZATION 失效
简体标题：用于电气及物理特性化之金属氧化物半导体场效应管的后方移除分层结构 BACKSIDE UNLAYERING OF MOSFET DEVICES FOR ELETRICAL AND PHYSICAL CHARACTERIZATION
公开(公告)号：TW200534347A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094100062
申请日：2005-01-03
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：泰倫斯L 凱恩 KANE, TERENCE L. , 達瑞爾L 米爾斯 MILES, DARRELL L. , 約翰D 席維斯特 SYLVESTRI, JOHN D. , 麥克P 泰尼 TENNEY, MICHAEL P.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32366 , G01N1/32 , G01R31/2898 , H01J2237/3114
摘要：本發明係關於一種用於後方移除一半導體元件分層結構以曝露該元件之FEOL半導體特徵，以用於隨後電氣及／或物理探測之方法及系統。在該半導體之一後方基板層內形成一窗口。產生且引導一準直離子電漿以便經由一在一聚焦遮罩中之開口而僅在該後方窗口內接觸該半導體。此經聚焦之準直離子電漿僅在該窗口內接觸該半導體，同時由一溫度受控之平臺同時旋轉及傾斜該半導體以均勻移除半導體層，使得曝露位於一對應於該後方窗口之該半導體上之位置處之半導體特徵。本發明之後方移除分層結構法可藉由CAIBE處理而得以增強。
简体摘要：本发明系关于一种用于后方移除一半导体组件分层结构以曝露该组件之FEOL半导体特征，以用于随后电气及／或物理探测之方法及系统。在该半导体之一后方基板层内形成一窗口。产生且引导一准直离子等离子以便经由一在一聚焦遮罩中之开口而仅在该后方窗口内接触该半导体。此经聚焦之准直离子等离子仅在该窗口内接触该半导体，同时由一温度受控之平台同时旋转及倾斜该半导体以均匀移除半导体层，使得曝露位于一对应于该后方窗口之该半导体上之位置处之半导体特征。本发明之后方移除分层结构法可借由CAIBE处理而得以增强。

10. 发明专利

TW430871B 穿透式電子顯微鏡試片之切割方法失效
简体标题：穿透式电子显微镜试片之切割方法
公开(公告)号：TW430871B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW087109768
申请日：1998-06-18
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡青龍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N1/286 , H01J2237/26 , H01J2237/282 , H01J2237/3114
摘要：一種穿透式電子顯微鏡試片之切割方法，可依據觀測壁之側邊與試片法線方向間的夾角，將工作平台依一方向傾斜該角度，並利用聚焦離子束依據切入方向對觀測壁進行切割，使觀測壁之一側得與工作平台垂直;在進行另一側的觀測壁切割時，可將工作平台依反方向傾斜，使觀測壁之另一側亦得與工作平台垂直，如此，即可得到厚度均勻的觀測壁。此外，吾人可利用觀測壁上的透孔位置作為切割終止信號，以準確得知試片切割時聚焦離子束的切入方向。
简体摘要：一种穿透式电子显微镜试片之切割方法，可依据观测壁之侧边与试片法线方向间的夹角，将工作平台依一方向倾斜该角度，并利用聚焦离子束依据切入方向对观测壁进行切割，使观测壁之一侧得与工作平台垂直;在进行另一侧的观测壁切割时，可将工作平台依反方向倾斜，使观测壁之另一侧亦得与工作平台垂直，如此，即可得到厚度均匀的观测壁。此外，吾人可利用观测壁上的透孔位置作为切割终止信号，以准确得知试片切割时聚焦离子束的切入方向。

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