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1. 发明专利

TWI317954B 軟磁薄膜電感及磁性多元合金薄膜 SOFT MAGNETISM THIN FILM INDUCTOR AND MAGNETIC MULTI-ELEMENT ALLOY FILM 有权
简体标题：软磁薄膜电感及磁性多元合金薄膜 SOFT MAGNETISM THIN FILM INDUCTOR AND MAGNETIC MULTI-ELEMENT ALLOY FILM
公开(公告)号：TWI317954B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW095148391
申请日：2006-12-22
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：葉均蔚 , 張文成 , 楊智超 , 鄭乃文
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F10/131 , H01F10/138 , H01F10/265 , H01F2017/0046 , H01F2017/0066
摘要：一種適合高頻操作下之磁性多元合金薄膜。此磁性多元合金薄膜用於改善薄膜電感在高頻操作下的品質因子，並可提升其電感值。此磁性多元合金薄膜主要是引入多元高熵合金的材料設計概念，利用多元高熵合金所具備的一些材料特性，如高亂度、奈米細晶結構、低矯頑磁場以及高電阻率等，來達到高頻操作時，磁性多元合金薄膜仍具有良好的軟磁性質。 A magnetic multi-element alloy film suitable for using in high frequency is provided. The magnetic multi-element alloy film is used in the thin film inductor operated in high frequency for enhancing the Q factor and inductance. The design concept of multi-element high-entropy alloy is introduced into the magnetic multi-element alloy film. The magnetic multi-element alloy film has material characters such as high randomness, nanometer microcrystalline structure, low coercive magnetic field and high resistivity, so that the magnetic multi-element alloy film has good soft magnetism when operated in high frequency. 【創作特點】有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種軟磁薄膜電感及磁性多元合金薄膜，能夠整合在標準的VLSI製程中，可作為高頻用軟磁薄膜電感，且其電感值及品質因子(Q factor)皆可優於空氣電感(air core)。
本發明的再一目的是提供一種軟磁薄膜電感及磁性多元合金薄膜，使磁性多元合金薄膜本身之特性具有高亂度、奈米細晶結構、低矯頑磁場以及高電阻率，使得在高頻段操作下，仍具有良好的軟磁性質。
本發明提出一種軟磁薄膜電感，包括第一介電層、螺旋狀導電層、第二介電層與磁性多元合金薄膜。螺旋狀導電層設置於在第一介電層之上，螺旋狀導電層的起點位於螺旋狀的中央，且螺旋狀導電層的終點位於螺旋狀的最外圍。第二介電層設置於在螺旋狀導電層之上。磁性多元合金薄膜設置於在第二介電層之上。磁性多元合金薄膜的組成的元素種類為3至13。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述磁性多元合金薄膜的組成之通式為AX，其中A為選自Fe、Co與Ni所組之族群之一種以上，X為選自Hf、Si、B、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V與Mn所組之族群之一種以上，A佔整體成分比例範圍介於70原子百分比(at.%)~90原子百分比(at.%)之間。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述磁性多元合金薄膜的厚度範圍為50nm~2000nm之間。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述A為Fe與Co。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述X為B與M，且M為選自Hf、Si、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V與Mn所組之族群之一種以上，M佔整體成分比例範圍介於1原子百分比(at.%)~9原子百分比(at.%)之間。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述M為選自Hf、Ta、Nb、Ti與V所組之族群之一種以上。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述M為Nb與Ti。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述M選自Hf、Ta、Nb、Ti與V所組之族群之其中一種。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述A為Fe、Co與Ni。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述X為B與Al。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述X為Si、Al與Cr。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述第一介電層之材質包括氧化膜、氮化膜或氟化膜之其中之一。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述第二介電層之材質包括氧化膜、氮化膜或氟化膜之其中之一。
依照本發明的較佳實施例所述之軟磁薄膜電感，前述螺旋狀導電層之材質包括Al或Cu。
本發明提出一種磁性多元合金薄膜，前述磁性多元合金薄膜的組成之通式為AX，其中A為選自Fe、Co與Ni所組之族群之一種以上，X為選自Hf、Si、B、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V與Mn所組之族群之一種以上，A佔整體成分比例範圍介於70原子百分比(at.%)~90原子百分比(at.%)之間，而AX的成分元素個數為3~13個。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述磁性多元合金薄膜的厚度範圍為50nm~2000nm之間。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述A為Fe與Co。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述X為B與M，且M為選自Hf、Si、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V與Mn所組之族群之一種以上，M佔整體成分比例範圍介於1原子百分比(at.%)~9原子百分比(at.%)之間。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述M為選自Hf、Ta、Nb、Ti與V所組之族群之一種以上。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述M為Nb與Ti。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述M選自Hf、Ta、Nb、Ti與V所組之族群之其中一種。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述A為Fe、Co與Ni。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述X為B與Al。
依照本發明的較佳實施例所述之磁性多元合金薄膜，前述X為Si、Al與Cr。
本發明之磁性多元合金薄膜，由於其本身具有高亂度、奈米細結晶結構、低矯頑磁場以及高電阻率的特性，因此在高頻段操作下，仍具有良好的軟磁性質。而且，由於可利用濺鍍的製程方式形成此種磁性多元合金薄膜，因此能夠整合在標準的VLSI製程中。
此外，本發明之軟磁薄膜電感，於高頻段操作下，其電感值及品質因子(Q factor)皆優於空氣電感(air core)。而且，本發明之軟磁薄膜電感的製程簡單、可節省時間，並降低成本。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
简体摘要：一种适合高频操作下之磁性多元合金薄膜。此磁性多元合金薄膜用于改善薄膜电感在高频操作下的品质因子，并可提升其电感值。此磁性多元合金薄膜主要是引入多元高熵合金的材料设计概念，利用多元高熵合金所具备的一些材料特性，如高乱度、奈米细晶结构、低矫顽磁场以及高电阻率等，来达到高频操作时，磁性多元合金薄膜仍具有良好的软磁性质。 A magnetic multi-element alloy film suitable for using in high frequency is provided. The magnetic multi-element alloy film is used in the thin film inductor operated in high frequency for enhancing the Q factor and inductance. The design concept of multi-element high-entropy alloy is introduced into the magnetic multi-element alloy film. The magnetic multi-element alloy film has material characters such as high randomness, nanometer microcrystalline structure, low coercive magnetic field and high resistivity, so that the magnetic multi-element alloy film has good soft magnetism when operated in high frequency. 【创作特点】有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种软磁薄膜电感及磁性多元合金薄膜，能够集成在标准的VLSI制程中，可作为高频用软磁薄膜电感，且其电感值及品质因子(Q factor)皆可优于空气电感(air core)。本发明的再一目的是提供一种软磁薄膜电感及磁性多元合金薄膜，使磁性多元合金薄膜本身之特性具有高乱度、奈米细晶结构、低矫顽磁场以及高电阻率，使得在高频段操作下，仍具有良好的软磁性质。本发明提出一种软磁薄膜电感，包括第一介电层、螺旋状导电层、第二介电层与磁性多元合金薄膜。螺旋状导电层设置于在第一介电层之上，螺旋状导电层的起点位于螺旋状的中央，且螺旋状导电层的终点位于螺旋状的最外围。第二介电层设置于在螺旋状导电层之上。磁性多元合金薄膜设置于在第二介电层之上。磁性多元合金薄膜的组成的元素种类为3至13。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述磁性多元合金薄膜的组成之通式为AX，其中A为选自Fe、Co与Ni所组之族群之一种以上，X为选自Hf、Si、B、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V与Mn所组之族群之一种以上，A占整体成分比例范围介于70原子百分比(at.%)~90原子百分比(at.%)之间。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述磁性多元合金薄膜的厚度范围为50nm~2000nm之间。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述A为Fe与Co。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述X为B与M，且M为选自Hf、Si、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V与Mn所组之族群之一种以上，M占整体成分比例范围介于1原子百分比(at.%)~9原子百分比(at.%)之间。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述M为选自Hf、Ta、Nb、Ti与V所组之族群之一种以上。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述M为Nb与Ti。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述M选自Hf、Ta、Nb、Ti与V所组之族群之其中一种。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述A为Fe、Co与Ni。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述X为B与Al。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述X为Si、Al与Cr。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述第一介电层之材质包括氧化膜、氮化膜或氟化膜之其中之一。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述第二介电层之材质包括氧化膜、氮化膜或氟化膜之其中之一。依照本发明的较佳实施例所述之软磁薄膜电感，前述螺旋状导电层之材质包括Al或Cu。本发明提出一种磁性多元合金薄膜，前述磁性多元合金薄膜的组成之通式为AX，其中A为选自Fe、Co与Ni所组之族群之一种以上，X为选自Hf、Si、B、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V与Mn所组之族群之一种以上，A占整体成分比例范围介于70原子百分比(at.%)~90原子百分比(at.%)之间，而AX的成分元素个数为3~13个。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述磁性多元合金薄膜的厚度范围为50nm~2000nm之间。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述A为Fe与Co。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述X为B与M，且M为选自Hf、Si、Cu、Al、Ta、Nb、Cr、Sn、Zr、Ti、Pd、Au、Pt、Ag、Ru、Mo、V与Mn所组之族群之一种以上，M占整体成分比例范围介于1原子百分比(at.%)~9原子百分比(at.%)之间。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述M为选自Hf、Ta、Nb、Ti与V所组之族群之一种以上。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述M为Nb与Ti。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述M选自Hf、Ta、Nb、Ti与V所组之族群之其中一种。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述A为Fe、Co与Ni。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述X为B与Al。依照本发明的较佳实施例所述之磁性多元合金薄膜，前述X为Si、Al与Cr。本发明之磁性多元合金薄膜，由于其本身具有高乱度、奈米细结晶结构、低矫顽磁场以及高电阻率的特性，因此在高频段操作下，仍具有良好的软磁性质。而且，由于可利用溅镀的制程方式形成此种磁性多元合金薄膜，因此能够集成在标准的VLSI制程中。此外，本发明之软磁薄膜电感，于高频段操作下，其电感值及品质因子(Q factor)皆优于空气电感(air core)。而且，本发明之软磁薄膜电感的制程简单、可节省时间，并降低成本。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

2. 发明专利

TWI501434B 磁致伸縮膜、磁致伸縮元件、扭力感測器、力感測器、壓力感測器及其製造方法有权
简体标题：磁致伸缩膜、磁致伸缩组件、扭力传感器、力传感器、压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI501434B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099125684
申请日：2010-08-03
申请人：國立研究開發法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：本江克次 , MOTOE, YOSHITSUGU , 中島浩二 , NAKASHIMA, KOJI , 石川智仁 , ISHIKAWA, TOMOHITO , 杉山雅治 , SUGIYAMA, MASAHARU , 五十嵐貴教 , IGARASHI, TAKANORI , 脇若弘之 , WAKIWAKA, HIROYUKI , 牧野彰宏 , MAKINO, AKIHIRO , 井上明久 , INOUE, AKIHISA
IPC分类号： H01L41/12 , H01L41/22 , C23C4/12 , G01L3/10 , G01L1/12
CPC分类号： G01L3/102 , C22C33/003 , C22C45/02 , C23C4/06 , G01L3/103 , G01L3/105 , G01R33/18 , H01F10/131 , H01L41/125 , H01L41/20 , H01L41/47 , Y10T428/265

3. 发明专利

TW201112238A 垂直磁性記錄媒體中之軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金及濺鍍材料审中-公开
简体标题：垂直磁性记录媒体中之软磁性膜层用ＣｏＦｅＮｉ系合金及溅镀材料
公开(公告)号：TW201112238A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099118928
申请日：2010-06-10
申请人：山陽特殊製鋼股份有限公司
发明人：澤田俊之 , 長谷川浩之 , 清水悠子
IPC分类号： G11B , C22C , C23C
CPC分类号： G11B5/667 , C22C19/07 , C22C38/002 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/105 , C22C38/12 , C22C38/14 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01F10/131 , H01F10/132
摘要：本發明係可提供一種飽和磁束密度、非晶質性、耐蝕性及硬度優異之垂直磁性記錄媒體用之軟磁性CoFeNi系合金。此CoFeNi系合金就at%含有Co+Fe+Ni:70~92%(但Ni係包含0)、Ta:1~8%、及、B:超過7%且20%以下而成。此CoFeNi系合金之組成(at%)為滿足以下之比率者:Co/(Co+Fe+Ni):0.1~0.9、Fe/(Co+Fe+Ni):0.1~0.65、Ni/(Co+Fe+Ni):0~0.35,及B/Ta:1~8。
简体摘要：本发明系可提供一种饱和磁束密度、非晶质性、耐蚀性及硬度优异之垂直磁性记录媒体用之软磁性CoFeNi系合金。此CoFeNi系合金就at%含有Co+Fe+Ni:70~92%(但Ni系包含0)、Ta:1~8%、及、B:超过7%且20%以下而成。此CoFeNi系合金之组成(at%)为满足以下之比率者:Co/(Co+Fe+Ni):0.1~0.9、Fe/(Co+Fe+Ni):0.1~0.65、Ni/(Co+Fe+Ni):0~0.35,及B/Ta:1~8。

4. 发明专利

TW200828350A 軟磁薄膜電感及磁性多元合金薄膜 SOFT MAGNETISM THIN FILM INDUCTOR AND MAGNETIC MULTI-ELEMENT ALLOY FILM 审中-公开
简体标题：软磁薄膜电感及磁性多元合金薄膜 SOFT MAGNETISM THIN FILM INDUCTOR AND MAGNETIC MULTI-ELEMENT ALLOY FILM
公开(公告)号：TW200828350A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095148391
申请日：2006-12-22
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉均蔚 YEH, JIEN WEI , 鄭乃文 CHENG, NAI WEN
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F10/131 , H01F10/138 , H01F10/265 , H01F2017/0046 , H01F2017/0066
摘要：一種適合高頻操作下之磁性多元合金薄膜。此磁性多元合金薄膜用於改善薄膜電感在高頻操作下的品質因子,並可提升其電感値。此磁性多元合金薄膜主要是引入多元高熵合金的材料設計概念,利用多元高熵合金所具備的一些材料特性,如高亂度、奈米細晶結構、低矯頑磁場以及高電阻率等,來達到高頻操作時,磁性多元合金薄膜仍具有良好的軟磁性質。
简体摘要：一种适合高频操作下之磁性多元合金薄膜。此磁性多元合金薄膜用于改善薄膜电感在高频操作下的品质因子,并可提升其电感値。此磁性多元合金薄膜主要是引入多元高熵合金的材料设计概念,利用多元高熵合金所具备的一些材料特性,如高乱度、奈米细晶结构、低矫顽磁场以及高电阻率等,来达到高频操作时,磁性多元合金薄膜仍具有良好的软磁性质。

5. 发明专利

TW200818220A 受電裝置及使用其之電子機器以及非接觸式充電裝置审中-公开
简体标题：受电设备及使用其之电子机器以及非接触式充电设备
公开(公告)号：TW200818220A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096110214
申请日：2007-03-23
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 東芝高新材料公司 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.
发明人：井上哲夫 INOUE, TETSUO , 日下隆夫 KUSAKA, TAKAO
IPC分类号： H01F , H01M , H02J
CPC分类号： H01F38/14 , H01F10/131 , H01F17/0006 , H01F27/365 , H01F2027/348 , H01M10/46 , H01Q1/248 , H02J7/025 , H02J50/10 , H02J50/70
摘要：電子機器1係具備:受電裝置2、及電子機器本體3。受電裝置2係具備:具有螺旋線圈之受電線圈11、及整流器12、及二次電池13。電子機器本體3係具備:電子裝置14、及電路基板15。於螺旋線圈11與二次電池13、整流器12、電子裝置14、電路基板15之間的至少1處配置有磁性箔體16。磁性箔體16之以飽和磁通密度Ms與板厚t的乘積所表示的Ms‧t値,係為15以上。
简体摘要：电子机器1系具备:受电设备2、及电子机器本体3。受电设备2系具备:具有螺旋线圈之受电线圈11、及整流器12、及二次电池13。电子机器本体3系具备:电子设备14、及电路基板15。于螺旋线圈11与二次电池13、整流器12、电子设备14、电路基板15之间的至少1处配置有磁性箔体16。磁性箔体16之以饱和磁通密度Ms与板厚t的乘积所表示的Ms‧t値,系为15以上。

6. 发明专利

TWI462091B 垂直磁性記錄媒體中之軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金及濺鍍靶材有权
简体标题：垂直磁性记录媒体中之软磁性膜层用ＣｏＦｅＮｉ系合金及溅镀靶材
公开(公告)号：TWI462091B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099118928
申请日：2010-06-10
申请人：山陽特殊製鋼股份有限公司 , SANYO SPECIAL STEEL CO., LTD.
发明人：澤田俊之 , SAWADA, TOSHIYUKI , 長谷川浩之 , HASEGAWA, HIROYUKI , 清水悠子 , SHIMIZU, YUKO
IPC分类号： G11B5/667 , C22C19/00 , C23C14/34
CPC分类号： G11B5/667 , C22C19/07 , C22C38/002 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/105 , C22C38/12 , C22C38/14 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01F10/131 , H01F10/132

7. 发明专利

TWI378480B 受電裝置及使用其之電子機器以及非接觸式充電裝置有权
简体标题：受电设备及使用其之电子机器以及非接触式充电设备
公开(公告)号：TWI378480B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW096110214
申请日：2007-03-23
申请人：東芝股份有限公司 , 東芝高新材料公司
发明人：井上哲夫 , 日下隆夫
IPC分类号： H01F , H01M , H02J
CPC分类号： H01F38/14 , H01F10/131 , H01F17/0006 , H01F27/365 , H01F2027/348 , H01M10/46 , H01Q1/248 , H02J7/025 , H02J50/10 , H02J50/70
摘要：電子機器1係具備：受電裝置2、及電子機器本體3。受電裝置2係具備：具有螺旋線圈之受電線圈11、及整流器12、及二次電池13。電子機器本體3係具備：電子裝置14、及電路基板15。於螺旋線圈11與二次電池13、整流器12、電子裝置14、電路基板15之間的至少1處配置有磁性箔體16。磁性箔體16之以飽和磁通密度Ms與板厚t的乘積所表示的Ms‧t值，係為15以上。
简体摘要：电子机器1系具备：受电设备2、及电子机器本体3。受电设备2系具备：具有螺旋线圈之受电线圈11、及整流器12、及二次电池13。电子机器本体3系具备：电子设备14、及电路基板15。于螺旋线圈11与二次电池13、整流器12、电子设备14、电路基板15之间的至少1处配置有磁性箔体16。磁性箔体16之以饱和磁通密度Ms与板厚t的乘积所表示的Ms‧t值，系为15以上。

8. 发明专利

TW201119107A 磁致伸縮膜、磁致伸縮元件、扭力感測器、力感測器、壓力感測器及其製造方法 MAGNETOSTRICTIVE FILM, MAGNETOSTRICTIVE ELEMENT, TORQUE SENSOR, FORCE SENSOR, PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：磁致伸缩膜、磁致伸缩组件、扭力传感器、力传感器、压力传感器及其制造方法 MAGNETOSTRICTIVE FILM, MAGNETOSTRICTIVE ELEMENT, TORQUE SENSOR, FORCE SENSOR, PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201119107A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099125684
申请日：2010-08-03
申请人：都美工業股份有限公司 , 國立大學法人信州大學 , 國立大學法人東北大學
发明人：本江克次 , 中島浩二 , 石川智仁 , 杉山雅治 , 五十嵐貴教 , 脇若弘之 , 牧野彰宏 , 井上明久
IPC分类号： H01L , C23C , G01L
CPC分类号： G01L3/102 , C22C33/003 , C22C45/02 , C23C4/06 , G01L3/103 , G01L3/105 , G01R33/18 , H01F10/131 , H01L41/125 , H01L41/20 , H01L41/47 , Y10T428/265
摘要：本發明提供提供一種可在零磁場附近發揮優異之磁致伸縮特性之磁致伸縮膜、及磁致伸縮膜之製造方法。磁致伸縮膜係由熔射形成在被檢體上、且以比玻璃遷移溫度低且在居裏點溫度以上進行熱處理為特徵的金屬玻璃膜所構成,且-15kA/m以上、+15kA/m以下之磁場範圍中之至少一部分的範圍內,顯現磁場與磁致伸縮之直線特性。
简体摘要：本发明提供提供一种可在零磁场附近发挥优异之磁致伸缩特性之磁致伸缩膜、及磁致伸缩膜之制造方法。磁致伸缩膜系由熔射形成在被检体上、且以比玻璃迁移温度低且在居里点温度以上进行热处理为特征的金属玻璃膜所构成,且-15kA/m以上、+15kA/m以下之磁场范围中之至少一部分的范围内,显现磁场与磁致伸缩之直线特性。

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