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1. 发明专利

TW200502673A 用於光學儲存介質之反射層或半反射層的金屬合金 METAL ALLOYS FOR THE REFLECTIVE OR THE SEMI-REFLECTIVE LAYER OF AN OPTICAL STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：用于光学存储介质之反射层或半反射层的金属合金 METAL ALLOYS FOR THE REFLECTIVE OR THE SEMI-REFLECTIVE LAYER OF AN OPTICAL STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW200502673A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093110650
申请日：2004-04-16
申请人：標的科技公司 TARGET TECHNOLOGY COMPANY LLC
发明人：倪漢懷 NEE, HAN HANWAI
IPC分类号： G03C
CPC分类号： G11B7/243 , C22C1/06 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C5/10 , C23C14/185 , G11B7/00454 , G11B7/006 , G11B7/24038 , G11B7/24062 , G11B7/24085 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/0006 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2582 , G11C13/041 , Y10T428/21 , Y10T428/24521 , Y10T428/24545
摘要：本發明提供了一種以銀為基之金屬薄膜，其係用於光學磁碟之高度反射層、或者是半反射塗層。可添加至銀之中的元素來製造有用的銀合金，包括了有鋅、鋁、銅、錳、鍺、釔、鉍、鈧、鈷。這些合金在周圍環境當中具有適當之高反射率以及合理之抗腐蝕性。
简体摘要：本发明提供了一种以银为基之金属薄膜，其系用于光学磁盘之高度反射层、或者是半反射涂层。可添加至银之中的元素来制造有用的银合金，包括了有锌、铝、铜、锰、锗、钇、铋、钪、钴。这些合金在周围环境当中具有适当之高反射率以及合理之抗腐蚀性。

2. 发明专利

TWI368819B 用於光學儲存介質之反射層或半反射層的金屬合金 METAL ALLOYS FOR THE REFLECTIVE OR THE SEMI-REFLECTIVE LAYER OF AN OPTICAL STORAGE MEDIUM 有权
简体标题：用于光学存储介质之反射层或半反射层的金属合金 METAL ALLOYS FOR THE REFLECTIVE OR THE SEMI-REFLECTIVE LAYER OF AN OPTICAL STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TWI368819B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW093110650
申请日：2004-04-16
申请人：標的科技公司
发明人：倪漢懷
IPC分类号： G03C
CPC分类号： G11B7/243 , C22C1/06 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C5/10 , C23C14/185 , G11B7/00454 , G11B7/006 , G11B7/24038 , G11B7/24062 , G11B7/24085 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/0006 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2582 , G11C13/041 , Y10T428/21 , Y10T428/24521 , Y10T428/24545
摘要：本發明提供了一種以銀為基之金屬薄膜，其係用於光學磁碟之高度反射層、或者是半反射塗層。可添加至銀之中的元素來製造有用的銀合金，包括了有鋅、鋁、銅、錳、鍺、釔、鉍、鈧、鈷。這些合金在周圍環境當中具有適當之高反射率以及合理之抗腐蝕性。
简体摘要：本发明提供了一种以银为基之金属薄膜，其系用于光学磁盘之高度反射层、或者是半反射涂层。可添加至银之中的元素来制造有用的银合金，包括了有锌、铝、铜、锰、锗、钇、铋、钪、钴。这些合金在周围环境当中具有适当之高反射率以及合理之抗腐蚀性。

3. 发明专利

TW283776B 光學容量記憶器失效
简体标题：光学容量记忆器
公开(公告)号：TW283776B
公开(公告)日：1996-08-21
申请号：TW083111454
申请日：1994-12-09
申请人：馬丁麻里達公司
发明人：肯格 , 威潘陳 , 泰德勒 , 高赫 , 渥卻史蓋 , 瑞特
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11C13/041 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21
摘要：一種光學記憶材料，包含雙光子儲存組件，可因應「書寫」光，從第一狀態寫到第二狀態；混合信號組件，可因應「閱讀」光，只在書寫位置，利用單光子吸收發出螢光。儲存材料可為俘精酐。記憶材料亦可含有頻率上換材料，以助書寫。利用具有動態聚焦系統的空間調光器（ SLM）進行書寫，在「書寫」位置集中充分功率，以供非線型雙光子吸收。在若干具體例中，利用整數的光束間之間隔，將個別「書寫」光束隔開，在同時書寫中可以避免串音，故在「段落」裡可以同時書寫非相鄰的資料元件，而未書寫面積可在不同時間以不同段落書寫。記憶材料可相對於SLM移動，以存取不同段落，並被電子方面簡陋的 SLM所存取。閱讀是使用「閱讀」光片越過書寫材料頁，造成信號組件發出螢光，並將螢光圖案造像在檢波器行列上。記憶材料可多層重疊，利用光波導隔開，將「閱讀」光束導引至要閱讀的書頁。在另一具體例中，書寫和塗消是利用調變的準單維度光片，與未調變的第二光片，在記憶材料內的行間交叉為之。
简体摘要：一种光学记忆材料，包含双光子存储组件，可因应“书写”光，从第一状态写到第二状态；混合信号组件，可因应“阅读”光，只在书写位置，利用单光子吸收发出萤光。存储材料可为俘精酐。记忆材料亦可含有频率上换材料，以助书写。利用具有动态聚焦系统的空间调光器（ SLM）进行书写，在“书写”位置集中充分功率，以供非线型双光子吸收。在若干具体例中，利用整数的光束间之间隔，将个别“书写”光束隔开，在同时书写中可以避免串音，故在“段落”里可以同时书写非相邻的数据组件，而未书写面积可在不同时间以不同段落书写。记忆材料可相对于SLM移动，以存取不同段落，并被电子方面简陋的 SLM所存取。阅读是使用“阅读”光片越过书写材料页，造成信号组件发出萤光，并将萤光图案造像在检波器行列上。记忆材料可多层重叠，利用光波导隔开，将“阅读”光束导引至要阅读的书页。在另一具体例中，书写和涂消是利用调制的准单维度光片，与未调制的第二光片，在记忆材料内的行间交叉为之。

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