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1. 发明专利

TW201740121A 檢查輔助具、檢查輔助具套組、及基板檢查裝置审中-公开
简体标题：检查辅助具、检查辅助具套组、及基板检查设备
公开(公告)号：TW201740121A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105141391
申请日：2016-12-14
申请人：日本電產理德股份有限公司 , NIDEC-READ CORPORATION
发明人：松川俊英 , MATSUKAWA, TOSHIHIDE , 北澤一孝 , KITAZAWA, KAZUTAKA , 中山孝文 , NAKAYAMA, TAKAFUMI , 辻本正之 , TSUJIMOTO, MASAYUKI , 高橋正 , TAKAHASHI, TADASHI , 角田晴美 , KADOTA, HARUMI , 楠田達文 , KUSUDA, TATSUFUMI
IPC分类号： G01R1/073 , G01R31/28 , G01R31/26
CPC分类号： G01R1/073 , G01R31/02 , G01R31/26 , G01R31/28 , H05K3/00
摘要：本發明提供一種檢查輔助具、檢查輔助具套組及基板檢查裝置。檢查輔助具3D係用以檢查設定有檢查對象之檢查點P1的基板100的檢查輔助具3D，該檢查輔助具3D係具備：探針Pr，係用以接觸於檢查點P1；以及加熱塊35D，係具有用以接觸於基板100的接觸面B1，藉由加熱接觸面B1而加熱基板100。
简体摘要：本发明提供一种检查辅助具、检查辅助具套组及基板检查设备。检查辅助具3D系用以检查设置有检查对象之检查点P1的基板100的检查辅助具3D，该检查辅助具3D系具备：探针Pr，系用以接触于检查点P1；以及加热块35D，系具有用以接触于基板100的接触面B1，借由加热接触面B1而加热基板100。

2. 发明专利

TWI583966B 絕緣檢測器及電氣機器有权
简体标题：绝缘检测器及电气机器
公开(公告)号：TWI583966B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103137572
申请日：2014-10-30
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：民田太一郎 , TAMIDA, TAICHIRO , 植松正行 , UEMATSU, MASAYUKI , 田辺章 , TANABE, AKIRA , 林良知 , HAYASHI, YOSHITOMO , 堤下洋治 , TSUTSUMISHITA, YOJI , 辻川孝輔 , TSUJIKAWA, KOSUKE
IPC分类号： G01R31/02 , G01R31/34
CPC分类号： G01R31/12 , G01R27/025 , G01R27/18 , G01R31/02 , G01R31/025 , G01R31/34

3. 发明专利

TWI581227B 電泳顯示基板及其檢查方法以及電泳顯示裝置有权
简体标题：电泳显示基板及其检查方法以及电泳显示设备
公开(公告)号：TWI581227B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102129943
申请日：2013-08-22
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：江守朗 , EMORI, AKIRA
IPC分类号： G09G3/00 , G09G3/34 , G01R31/02
CPC分类号： G02F1/167 , G01M11/30 , G01R31/02 , G02F1/1309 , G02F1/133514 , G02F1/136213 , G02F2001/133562 , G02F2001/136254

4. 发明专利

TWI571638B 漏電流檢測裝置有权
简体标题：漏电流检测设备
公开(公告)号：TWI571638B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104126685
申请日：2015-08-17
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：原田幸樹 , HARADA, KOKI
IPC分类号： G01R19/15 , G01R19/155
CPC分类号： G01R31/02

5. 发明专利

TW201625968A 與電漿系統中的故障有關聯的辨識元件审中-公开
简体标题：与等离子系统中的故障有关联的辨识组件
公开(公告)号：TW201625968A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104134278
申请日：2015-10-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：傑法瑞恩德瑞尼沙伊德賈法 , JAFARIAN-TEHRANI, SEYED JAFAR
IPC分类号： G01R31/02 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01R13/639 , C23C16/505
CPC分类号： G01R31/02 , C23C16/45544 , C23C16/505 , H01J37/32174 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01R13/506
摘要：描述一種用以辨識電漿工具中之故障元件的方法。該方法包括取用從一頻率產生器暨測量裝置接收之參數的測量結果。該測量結果係基於提供至一電漿工具的一部分之複數射頻(RF)信號而產生。該等RF信號具有一或更多頻率的範圍。該方法亦包括判定該參數是否指出一誤差，該誤差指出了電漿工具之該部分中的故障。該方法包括辨識該誤差所發生之頻率的界限、及基於該誤差所發生之頻率的界限而辨識產生該誤差之電漿工具的該部分的一或更多元件。
简体摘要：描述一种用以辨识等离子工具中之故障组件的方法。该方法包括取用从一频率产生器暨测量设备接收之参数的测量结果。该测量结果系基于提供至一等离子工具的一部分之复数射频(RF)信号而产生。该等RF信号具有一或更多频率的范围。该方法亦包括判定该参数是否指出一误差，该误差指出了等离子工具之该部分中的故障。该方法包括辨识该误差所发生之频率的界限、及基于该误差所发生之频率的界限而辨识产生该误差之等离子工具的该部分的一或更多组件。

6. 发明专利

TW201545005A 具異常偵測功能之驅動電路及使用其之光學輸入裝置审中-公开
简体标题：具异常侦测功能之驱动电路及使用其之光学输入设备
公开(公告)号：TW201545005A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103143153
申请日：2014-12-10
申请人：原相科技(檳城)有限公司 , PIXART IMAGING (PENANG) SDN. BHD.
发明人：鄭麗玲 , TEH, LEE LING , 阮寶榮 , YEM, POH WENG , 張景炎 , CHANG, KENG YEAM
IPC分类号： G06F3/038
CPC分类号： G06F3/0383 , G01R31/02 , G06F3/0317 , G06F3/0354
摘要：本發明提供一種驅動電路，此驅動電路包括開關元件、驅動器單元、異常偵測電路以及處理器。開關元件耦接於一電壓端以及發光源的發光二極體的陽極之間。驅動器單元耦接於發光二極體的陰極以及接地端之間，且驅動器單元用以根據一控制信號產生驅動電流。所述異常偵測電路用以偵測發光二極體的陰極是否發生短路，並於偵測到發光二極體的陰極發生短路時，產生一異常信號。於光學輸入裝置的一異常偵測時段內，處理器會截止開關元件並禁能驅動器單元，使發光二極體的陰極浮接，同時處理器會驅動異常偵測電路偵測發光二極體的陰極是否發生短路。
简体摘要：本发明提供一种驱动电路，此驱动电路包括开关组件、驱动器单元、异常侦测电路以及处理器。开关组件耦接于一电压端以及发光源的发光二极管的阳极之间。驱动器单元耦接于发光二极管的阴极以及接地端之间，且驱动器单元用以根据一控制信号产生驱动电流。所述异常侦测电路用以侦测发光二极管的阴极是否发生短路，并于侦测到发光二极管的阴极发生短路时，产生一异常信号。于光学输入设备的一异常侦测时段内，处理器会截止开关组件并禁能驱动器单元，使发光二极管的阴极浮接，同时处理器会驱动异常侦测电路侦测发光二极管的阴极是否发生短路。

7. 发明专利

TW201322291A 診斷接觸器的操作狀態之方法以及實行該方法的接觸器审中-公开
简体标题：诊断接触器的操作状态之方法以及实行该方法的接触器
公开(公告)号：TW201322291A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101138539
申请日：2012-10-19
申请人：史內德電子工業精簡股份有限公司 , SCHNEIDER ELECTRIC INDUSTRIES SAS
发明人：戴爾貝瑞史戴芬妮 , 歐本雷米
IPC分类号： H01H1/00 , H01H47/00 , G01R31/02
CPC分类号： G01R31/02 , G01R19/0046 , G06F15/00 , H01H1/0015 , H01H47/002 , H01H51/00
摘要：一種用於診斷一接觸器的一操作狀態之方法，該接觸器包括：-一被設計以作用於電壓控制裝置(20)的處理單元(2)；-至少一致動線圈(3)；-用於量測該至少一致動線圈(3)的至少一電氣特徵(K)的裝置(24、25)；-並聯連接該至少一致動線圈(3)以及該用於量測的裝置(24、25)的至少一飛輪二極體(D1)；該方法係在於：-傳送一釋放命令，該命令係在於在該致動線圈(3)的端子(L1、L2)處固定一稱為釋放電壓的電壓；-在一釋放時間(Ta)期間量測該致動線圈(3)的一電氣特徵(K)；-從該些量測重新構成至少一特定值；-比較該至少一特定值與該接觸器之一特定的初始操作參考值；-根據該至少一特定值相關該初始參考值(G1、G2)的定位來診斷該接觸器的磨損狀態。
简体摘要：一种用于诊断一接触器的一操作状态之方法，该接触器包括：-一被设计以作用于电压控制设备(20)的处理单元(2)；-至少一致动线圈(3)；-用于量测该至少一致动线圈(3)的至少一电气特征(K)的设备(24、25)；-并联连接该至少一致动线圈(3)以及该用于量测的设备(24、25)的至少一飞轮二极管(D1)；该方法系在于：-发送一释放命令，该命令系在于在该致动线圈(3)的端子(L1、L2)处固定一称为释放电压的电压；-在一释放时间(Ta)期间量测该致动线圈(3)的一电气特征(K)；-从该些量测重新构成至少一特定值；-比较该至少一特定值与该接触器之一特定的初始操作参考值；-根据该至少一特定值相关该初始参考值(G1、G2)的定位来诊断该接触器的磨损状态。

8. 发明专利

TW200536039A 用於接觸電子組件之懸臂樑微探針及製造該等探針之方法 CANTILEVER MICROPROBES FOR CONTACTING ELECTRONIC COMPONENTS AND METHODS FOR MAKING SUCH PROBES 审中-公开
简体标题：用于接触电子组件之悬臂梁微探针及制造该等探针之方法 CANTILEVER MICROPROBES FOR CONTACTING ELECTRONIC COMPONENTS AND METHODS FOR MAKING SUCH PROBES
公开(公告)号：TW200536039A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093141480
申请日：2004-12-30
申请人：微製造股份有限公司 MICROFABRICA INCORPORATED
发明人：陳理查T. CHEN, RICHARD T. , 克魯格里克艾瑟奇爾J. J. KRUGLICK, EZEKIEL J. J. , 班克里斯多佛A. BANG, CHRISTOPHER A. , 史摩里丹尼斯R. SMALLEY, DENNIS R. , 雷姆布瑞可夫帕維爾B. LEMBRIKOV, PAVEL B.
IPC分类号： H01L , G01R
CPC分类号： G01R31/02
摘要：此處所揭露之實施例係指定於用以製造和電子電路及其相似物之暫時或常置之接觸的可撓性探針結構。特定地，該等實施例係指定於懸臂樑似探針結構之各種設計。在若干實施例中，例如，懸臂樑探針具有延長之基底結構，滑入架設結構，多重槓桿構形，允許相鄰探針能較靠近地配置之分枝的黏結位置，具有張力構形之可撓性元件，經改良之過調量，經改良之可撓性，經改良之摩擦能力及／或其相似物。
简体摘要：此处所揭露之实施例系指定于用以制造和电子电路及其相似物之暂时或常置之接触的可挠性探针结构。特定地，该等实施例系指定于悬臂梁似探针结构之各种设计。在若干实施例中，例如，悬臂梁探针具有延长之基底结构，滑入架设结构，多重杠杆构形，允许相邻探针能较靠近地配置之分枝的黏结位置，具有张力构形之可挠性组件，经改良之过调量，经改良之可挠性，经改良之摩擦能力及／或其相似物。

9. 发明专利

TWI617815B 絕緣檢測器及電氣機器有权
简体标题：绝缘检测器及电气机器
公开(公告)号：TWI617815B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105129976
申请日：2014-10-30
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：民田太一郎 , TAMIDA, TAICHIRO , 植松正行 , UEMATSU, MASAYUKI , 田辺章 , TANABE, AKIRA , 林良知 , HAYASHI, YOSHITOMO , 堤下洋治 , TSUTSUMISHITA, YOJI , 辻川孝輔 , TSUJIKAWA, KOSUKE
IPC分类号： G01R31/02 , G01R31/34
CPC分类号： G01R31/12 , G01R27/025 , G01R27/18 , G01R31/02 , G01R31/025 , G01R31/34

10. 发明专利

TW201807791A 半導體裝置結構审中-公开
简体标题：半导体设备结构
公开(公告)号：TW201807791A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106112159
申请日：2017-04-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡佩君 , TSAI, PEI CHUN , 張緯森 , CHANG, WEI SEN , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L22/32 , G01R1/073 , G01R31/00 , G01R31/02 , G01R31/28 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/96 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02373 , H01L2224/02377 , H01L2224/03831 , H01L2224/03845 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/13026 , H01L2224/19 , H01L2224/20 , H01L2224/96 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2224/11 , H01L2224/03
摘要：提供半導體裝置結構及其製造方法，半導體裝置結構包含基底及導電焊墊形成於基底之上。半導體裝置結構包含保護層形成於導電焊墊之上，且保護層具有溝槽。半導體裝置結構包含導電結構形成於溝槽內且形成於保護層上。導電結構電性連接於導電焊墊，且導電結構具有內凹頂面，內凹頂面的最低點高於保護層的頂面。
简体摘要：提供半导体设备结构及其制造方法，半导体设备结构包含基底及导电焊垫形成于基底之上。半导体设备结构包含保护层形成于导电焊垫之上，且保护层具有沟槽。半导体设备结构包含导电结构形成于沟槽内且形成于保护层上。导电结构电性连接于导电焊垫，且导电结构具有内凹顶面，内凹顶面的最低点高于保护层的顶面。

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