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10. 发明专利

TWI320088B 加熱處理裝置、加熱處理方法、及電腦可讀取之記憶媒體 HEAT PROCESSING APPARATUS AND HEAT PROCESSING METHOD 有权
简体标题：加热处理设备、加热处理方法、及电脑可读取之记忆媒体 HEAT PROCESSING APPARATUS AND HEAT PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TWI320088B
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW095147445
申请日：2006-12-18
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：青木茂樹 , 坂井祐一 , 山下光夫 , 新屋浩
IPC分类号： F26B
CPC分类号： F26B3/20 , F26B9/103 , F26B21/001 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/67109 , H01L21/67178 , H01L21/67248 , H01L21/677 , H01L21/67748
摘要：一種能兼顧高均勻性及高製品生產量的加熱處理裝置及加熱處理方法，及一種能進行重視高均勻性之處理及重視高製品生產量之處理兩者的加熱處理裝置。
此一加熱處理裝置具備：加熱板121，用以將基板W加熱；遮蓋物123，將加熱板121上方之空間予以圍繞；排氣流形成機構135、149，將遮蓋物123內排氣並於加熱板121上方之空間形成排氣流；下向流形成機構144、153，形成對加熱板121上之基板W的頂面均勻地供給的下向流；控制機構155，控制使得就下列模式進行切換：一面藉由下向流形成機構144、153形成下向流一面加熱基板W之模式，與一面藉由排氣流形成機構135、149形成排氣流一面加熱基板W之模式。 A heat processing apparatus includes a heating plate configured to heat the substrate; a cover configured to surround a space above the heating plate; an exhaust gas flow forming mechanism configured to exhaust gas inside the cover to form exhaust gas flows within the space above the heating plate; a downflow forming mechanism configured to form downflows uniformly supplied into an upper surface of the substrate placed on the heating plate; and a control mechanism configured to execute mode switching control between a mode arranged to heat the substrate while forming the downflows by the downflow forming mechanism and a mode arranged to heat the substrate while forming the exhaust gas flows by the exhaust gas flow forming mechanism. 【創作特點】本發明係有鑑於如上情事而生，其目的在於提供能兼顧高均勻性與高製品生產量之加熱處理裝置及加熱處理方法。又，目的為提供能進行重視高均勻性之處理與重視高製品生產量之處理兩者的加熱處理裝置。再者，目的在於提供執行上述加熱處理方法之控制程式及電腦可讀取之記憶媒體。
為了解決上述問題，本發明第1觀點，提供一種加熱處理裝置，係對於基板進行加熱處理之加熱處理裝置，其特徵在於：具備：加熱板，用於將基板加熱；遮蓋物，圍繞前述加熱板上方之空間；第1氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要目的在實現均勻加熱處理之氣流；及第2氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要目的在將從基板發生之氣體及/或昇華物排出除去之氣流；前述第1氣流形成機構與前述第2氣流形成機構可選擇性地切換。
本發明第2觀點，提供一種加熱處理裝置，係對於基板進行加熱處理之加熱處理裝置，其特徵在於：具備：加熱板，用於將基板加熱；遮蓋物，圍繞前述加熱板上方之空間；第1氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要目的在實現均勻加熱處理之氣流；第2氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要目的在將從基板發生之氣體及/或昇華物排出除去之氣流；及控制機構，控制使得就下列模式進行切換：一面以前述第1氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之模式，及一面以前述第2氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之模式。
上述第2觀點中，前述控制機構，可為於加熱處理途中從前述2個模式其中之一者切換為另一者之方式構成。於此情形，前述控制機構，可為開始時執行一面以前述第1氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之模式，接著切換為一面以前述第2氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之模式。
上述第1或第2觀點中，前述第1氣流形成機構，可為形成對於前述加熱板上之基板頂面均勻地供給下向流的方式構成。又，前述第2氣流形成機構，可為將前述加熱板上方之空間予以排氣且形成沿著基板之氣流的方式構成。於此情形，前述第2氣流形成機構，可以在前述加熱板上方之空間，形成從基板周邊朝向中央氣流之氣流，亦可在前述加熱板上方之空間，從基板一側朝向另一側形成單向氣流。
本發明第3觀點，提供一種加熱處理裝置，係對於基板進行加熱處理之加熱處理裝置，其特徵在於：具備：加熱板，用於將基板加熱；遮蓋物，圍繞前述加熱板上方之空間；排氣流形成機構，將前述遮蓋物內排氣而在前述加熱板上方之空間形成排氣流；及下向流形成機構，形成對前述加熱板上之基板頂面均勻供給之下向流；且能就下列模式進行切換：一面藉由前述下向流形成機構形成下向流一面加熱基板之模式，及一面藉由前述排氣流形成機構形成排氣流一面加熱基板之模式。
本發明之第4觀點，提供一種加熱處理裝置，係對於基板進行加熱處理之加熱處理裝置，其特徵在於：具備：加熱板，用於將基板加熱；遮蓋物，圍繞前述加熱板上方之空間；排氣流形成機構，將前述遮蓋物內排氣，並於前述加熱板上方之空間形成排氣流；下向流形成機構，形成對於前述加熱板上之基板頂面均勻地供給的下向流；及控制機構，控制使得就下列模式進行切換：一面以前述下向流形成機構形成下向流一面加熱基板之模式，及一面以前述排氣流形成機構形成排氣流一面加熱基板之模式。
上述第4觀點中，前述控制機構，可為於加熱處理途中從前述2個模式其中之一者切換為另一者之方式構成。於此情形，前述控制機構，可為開始時執行一面以前述下向流形成機構形成下向流一面加熱基板之模式，接著切換為一面以前述排氣機構排氣一面加熱基板之模式。
上述第3或第4觀點中，前述下向流形成機構，可具有：氣體供給機構，從前述遮蓋物之頂壁以噴淋狀對基板頂面供給氣體；及外周排氣機構，往基板之外周方向排氣。又，前述排氣流形成機構，可具有：排氣部，設於前述遮蓋物之頂壁中央；及氣體導入部，從基板之外周側對前述加熱板上方之空間導入氣體；藉由從前述氣體導入部將氣體導入，並從前述排氣部進行排氣，於前述加熱板上方之空間，形成從基板周邊朝向中央之排氣流。或者，前述排氣流形成機構，可具有：氣體導入部，設於前述加熱板上方之空間的一側；及排氣部，設於前述空間之另一側；藉由從前述氣體導入部將氣體導入，並從前述排氣部進行排氣，於前述加熱板上方之空間，形成從基板一側朝向另一側之單向排氣流。
本發明之第5觀點，提供一種加熱處理方法，係使用具備下列構件之加熱處理裝置進行加熱處理：加熱板，用於將基板加熱；遮蓋物，圍繞前述加熱板上方之空間；第1氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要目的在實現均勻加熱處理之氣流；第2氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要目的在將從基板發生之氣體及/或昇華物排出除去之氣流；其特徵在於具有：一面以前述第1氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之步驟，及一面以前述第2氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之步驟。
上述第5觀點中，較理想之方式為：開始時實施一面以前述第1氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之步驟，接著實施一面以前述第2氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之步驟。又，於一面以前述第1氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之步驟，可形成對前述加熱板上之基板頂面均勻地供給之下向流。又，於一面以前述第2氣流形成機構形成氣流一面加熱基板之步驟，可將前述加熱板上方之空間排氣並形成沿著基板的氣流，具體而言，可於前述加熱板上方之空間，形成從基板周邊朝向中央之氣流，或於前述加熱板上方之空間，形成從基板一側朝向另一側之單向氣流。
本發明之第6觀點，提供一種加熱處理方法，係使用具備下列構件之加熱處理裝置進行加熱處理：加熱板，用於將基板加熱；遮蓋物，圍繞前述加熱板上方之空間；排氣流形成機構，將前述遮蓋物內之氛圍從遮蓋物上部或側部排氣，並於前述加熱板上方之空間形成排氣流；下向流形成機構，形成對前述加熱板上之基板頂面均勻地供給的下向流；其特徵在於具有：一面以前述下向流形成機構形成下向流一面加熱基板之步驟，及一面以前述排氣流形成機構將前述加熱板上方之空間排氣一面加熱基板之步驟。
上述第6觀點中，較理想的方式為：開始時實施一面以前述下向流形成機構形成下向流一面加熱基板之步驟，接著實施一面以前述排氣流形成機構將前述加熱板上方之空間排氣一面加熱基板之步驟。
又，於開始時一面以前述下向流形成機構形成下向流一面加熱基板之步驟，可從前述遮蓋物之頂壁以噴淋狀對基板頂面供給氣體，同時藉由往基板外周方向排氣，以形成前述下向流。又，於一面以前述排氣流形成機構於前述加熱板上方之空間形成排氣流一面加熱基板之步驟，可於前述加熱板上方之空間，形成從基板周邊朝向中央之排氣流，或於前述加熱板上方之空間，形成從基板之一側朝向另一側之單向排氣流。
上述第5或第6觀點中，基板為在表面形成有塗布膜者，加熱處理可為對前述塗布膜進行烘烤處理。
本發明之第7觀點，係提供一種以控制程式所控制之生產方法，其特徵在於：於電腦上動作，且於執行時使電腦控制加熱處理裝置，以實施上述第5或第6觀點之方法。
本發明之第8觀點，係提供一種電腦可讀取之記憶媒體，係記憶有於電腦上動作之控制程式的電腦可讀取之記憶媒體，其特徵在於：前述控制程式，於執行時，使電腦控制加熱處理裝置，以實施上述第5或第6觀點之方法。
依照本發明，由於具有：第1氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要實現均勻加熱處理之氣流；第2氣流形成機構，於前述加熱板上方之空間，形成主要目的在將從基板發生之氣體及/或昇華物排出除去之氣流；且前述第1氣流形成機構與前述第2氣流形成機構可選擇性地切換，更具體而言，具有：排氣流形成機構，將前述遮蓋物內排氣而在前述加熱板上方之空間形成排氣流；下向流形成機構，形成對前述加熱板上之基板頂面均勻供給的下向流；且能就下列模式進行切換：一面藉由前述下向流形成機構形成下向流一面加熱基板之模式，與一面藉由前述排氣流形成機構形成排氣流一面加熱基板之模式。所以，能夠視基板進行重視高均勻性之處理及重視高製品生產量之處理兩者。
又，藉由以切換此等模式之方式進行控制，能夠序列地實施重視均勻性之處理及重視高製品生產量之處理，能夠兼顧高均勻性與高製品生產量。
简体摘要：一种能兼顾高均匀性及高制品生产量的加热处理设备及加热处理方法，及一种能进行重视高均匀性之处理及重视高制品生产量之处理两者的加热处理设备。此一加热处理设备具备：加热板121，用以将基板W加热；遮盖物123，将加热板121上方之空间予以围绕；排气流形成机构135、149，将遮盖物123内排气并于加热板121上方之空间形成排气流；下向流形成机构144、153，形成对加热板121上之基板W的顶面均匀地供给的下向流；控制机构155，控制使得就下列模式进行切换：一面借由下向流形成机构144、153形成下向流一面加热基板W之模式，与一面借由排气流形成机构135、149形成排气流一面加热基板W之模式。 A heat processing apparatus includes a heating plate configured to heat the substrate; a cover configured to surround a space above the heating plate; an exhaust gas flow forming mechanism configured to exhaust gas inside the cover to form exhaust gas flows within the space above the heating plate; a downflow forming mechanism configured to form downflows uniformly supplied into an upper surface of the substrate placed on the heating plate; and a control mechanism configured to execute mode switching control between a mode arranged to heat the substrate while forming the downflows by the downflow forming mechanism and a mode arranged to heat the substrate while forming the exhaust gas flows by the exhaust gas flow forming mechanism. 【创作特点】本发明系有鉴于如上情事而生，其目的在于提供能兼顾高均匀性与高制品生产量之加热处理设备及加热处理方法。又，目的为提供能进行重视高均匀性之处理与重视高制品生产量之处理两者的加热处理设备。再者，目的在于提供运行上述加热处理方法之控制进程及电脑可读取之记忆媒体。为了解决上述问题，本发明第1观点，提供一种加热处理设备，系对于基板进行加热处理之加热处理设备，其特征在于：具备：加热板，用于将基板加热；遮盖物，围绕前述加热板上方之空间；第1气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要目的在实现均匀加热处理之气流；及第2气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要目的在将从基板发生之气体及/或升华物排出除去之气流；前述第1气流形成机构与前述第2气流形成机构可选择性地切换。本发明第2观点，提供一种加热处理设备，系对于基板进行加热处理之加热处理设备，其特征在于：具备：加热板，用于将基板加热；遮盖物，围绕前述加热板上方之空间；第1气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要目的在实现均匀加热处理之气流；第2气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要目的在将从基板发生之气体及/或升华物排出除去之气流；及控制机构，控制使得就下列模式进行切换：一面以前述第1气流形成机构形成气流一面加热基板之模式，及一面以前述第2气流形成机构形成气流一面加热基板之模式。上述第2观点中，前述控制机构，可为于加热处理途中从前述2个模式其中之一者切换为另一者之方式构成。于此情形，前述控制机构，可为开始时运行一面以前述第1气流形成机构形成气流一面加热基板之模式，接着切换为一面以前述第2气流形成机构形成气流一面加热基板之模式。上述第1或第2观点中，前述第1气流形成机构，可为形成对于前述加热板上之基板顶面均匀地供给下向流的方式构成。又，前述第2气流形成机构，可为将前述加热板上方之空间予以排气且形成沿着基板之气流的方式构成。于此情形，前述第2气流形成机构，可以在前述加热板上方之空间，形成从基板周边朝向中央气流之气流，亦可在前述加热板上方之空间，从基板一侧朝向另一侧形成单向气流。本发明第3观点，提供一种加热处理设备，系对于基板进行加热处理之加热处理设备，其特征在于：具备：加热板，用于将基板加热；遮盖物，围绕前述加热板上方之空间；排气流形成机构，将前述遮盖物内排气而在前述加热板上方之空间形成排气流；及下向流形成机构，形成对前述加热板上之基板顶面均匀供给之下向流；且能就下列模式进行切换：一面借由前述下向流形成机构形成下向流一面加热基板之模式，及一面借由前述排气流形成机构形成排气流一面加热基板之模式。本发明之第4观点，提供一种加热处理设备，系对于基板进行加热处理之加热处理设备，其特征在于：具备：加热板，用于将基板加热；遮盖物，围绕前述加热板上方之空间；排气流形成机构，将前述遮盖物内排气，并于前述加热板上方之空间形成排气流；下向流形成机构，形成对于前述加热板上之基板顶面均匀地供给的下向流；及控制机构，控制使得就下列模式进行切换：一面以前述下向流形成机构形成下向流一面加热基板之模式，及一面以前述排气流形成机构形成排气流一面加热基板之模式。上述第4观点中，前述控制机构，可为于加热处理途中从前述2个模式其中之一者切换为另一者之方式构成。于此情形，前述控制机构，可为开始时运行一面以前述下向流形成机构形成下向流一面加热基板之模式，接着切换为一面以前述排气机构排气一面加热基板之模式。上述第3或第4观点中，前述下向流形成机构，可具有：气体供给机构，从前述遮盖物之顶壁以喷淋状对基板顶面供给气体；及外周排气机构，往基板之外周方向排气。又，前述排气流形成机构，可具有：排气部，设于前述遮盖物之顶壁中央；及气体导入部，从基板之外周侧对前述加热板上方之空间导入气体；借由从前述气体导入部将气体导入，并从前述排气部进行排气，于前述加热板上方之空间，形成从基板周边朝向中央之排气流。或者，前述排气流形成机构，可具有：气体导入部，设于前述加热板上方之空间的一侧；及排气部，设于前述空间之另一侧；借由从前述气体导入部将气体导入，并从前述排气部进行排气，于前述加热板上方之空间，形成从基板一侧朝向另一侧之单向排气流。本发明之第5观点，提供一种加热处理方法，系使用具备下列构件之加热处理设备进行加热处理：加热板，用于将基板加热；遮盖物，围绕前述加热板上方之空间；第1气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要目的在实现均匀加热处理之气流；第2气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要目的在将从基板发生之气体及/或升华物排出除去之气流；其特征在于具有：一面以前述第1气流形成机构形成气流一面加热基板之步骤，及一面以前述第2气流形成机构形成气流一面加热基板之步骤。上述第5观点中，较理想之方式为：开始时实施一面以前述第1气流形成机构形成气流一面加热基板之步骤，接着实施一面以前述第2气流形成机构形成气流一面加热基板之步骤。又，于一面以前述第1气流形成机构形成气流一面加热基板之步骤，可形成对前述加热板上之基板顶面均匀地供给之下向流。又，于一面以前述第2气流形成机构形成气流一面加热基板之步骤，可将前述加热板上方之空间排气并形成沿着基板的气流，具体而言，可于前述加热板上方之空间，形成从基板周边朝向中央之气流，或于前述加热板上方之空间，形成从基板一侧朝向另一侧之单向气流。本发明之第6观点，提供一种加热处理方法，系使用具备下列构件之加热处理设备进行加热处理：加热板，用于将基板加热；遮盖物，围绕前述加热板上方之空间；排气流形成机构，将前述遮盖物内之氛围从遮盖物上部或侧部排气，并于前述加热板上方之空间形成排气流；下向流形成机构，形成对前述加热板上之基板顶面均匀地供给的下向流；其特征在于具有：一面以前述下向流形成机构形成下向流一面加热基板之步骤，及一面以前述排气流形成机构将前述加热板上方之空间排气一面加热基板之步骤。上述第6观点中，较理想的方式为：开始时实施一面以前述下向流形成机构形成下向流一面加热基板之步骤，接着实施一面以前述排气流形成机构将前述加热板上方之空间排气一面加热基板之步骤。又，于开始时一面以前述下向流形成机构形成下向流一面加热基板之步骤，可从前述遮盖物之顶壁以喷淋状对基板顶面供给气体，同时借由往基板外周方向排气，以形成前述下向流。又，于一面以前述排气流形成机构于前述加热板上方之空间形成排气流一面加热基板之步骤，可于前述加热板上方之空间，形成从基板周边朝向中央之排气流，或于前述加热板上方之空间，形成从基板之一侧朝向另一侧之单向排气流。上述第5或第6观点中，基板为在表面形成有涂布膜者，加热处理可为对前述涂布膜进行烘烤处理。本发明之第7观点，系提供一种以控制进程所控制之生产方法，其特征在于：于电脑上动作，且于运行时使电脑控制加热处理设备，以实施上述第5或第6观点之方法。本发明之第8观点，系提供一种电脑可读取之记忆媒体，系记忆有于电脑上动作之控制进程的电脑可读取之记忆媒体，其特征在于：前述控制进程，于运行时，使电脑控制加热处理设备，以实施上述第5或第6观点之方法。依照本发明，由于具有：第1气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要实现均匀加热处理之气流；第2气流形成机构，于前述加热板上方之空间，形成主要目的在将从基板发生之气体及/或升华物排出除去之气流；且前述第1气流形成机构与前述第2气流形成机构可选择性地切换，更具体而言，具有：排气流形成机构，将前述遮盖物内排气而在前述加热板上方之空间形成排气流；下向流形成机构，形成对前述加热板上之基板顶面均匀供给的下向流；且能就下列模式进行切换：一面借由前述下向流形成机构形成下向流一面加热基板之模式，与一面借由前述排气流形成机构形成排气流一面加热基板之模式。所以，能够视基板进行重视高均匀性之处理及重视高制品生产量之处理两者。又，借由以切换此等模式之方式进行控制，能够串行地实施重视均匀性之处理及重视高制品生产量之处理，能够兼顾高均匀性与高制品生产量。

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