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1. 发明专利

TWI490474B 表面增強拉曼光譜（ＳＥＲＳ）感測基板及其製造方法有权
简体标题：表面增强拉曼光谱（ＳＥＲＳ）传感基板及其制造方法
公开(公告)号：TWI490474B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW101101168
申请日：2012-01-12
申请人：汎鍶科藝股份有限公司 , PHANSCO CORP. , 國立臺北科技大學 , NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：任貽均 , JEN, YI JUN , 游竟維 , YU, CHING WEI
IPC分类号： G01N21/65
CPC分类号： G01N21/658 , B05D5/061 , C23C14/14 , C23C14/226 , Y10T428/12535 , Y10T428/24355

2. 发明专利

TW201329436A 表面增強拉曼光譜（ＳＥＲＳ）感測基板及其製造方法审中-公开
简体标题：表面增强拉曼光谱（ＳＥＲＳ）传感基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201329436A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101168
申请日：2012-01-12
申请人：汎鍶科藝股份有限公司 , PHANSCO CORP. , 國立臺北科技大學 , NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：任貽均 , JEN, YI JUN , 游竟維 , YU, CHING WEI
IPC分类号： G01N21/65
CPC分类号： G01N21/658 , B05D5/061 , C23C14/14 , C23C14/226 , Y10T428/12535 , Y10T428/24355
摘要：表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板第一實施例包含：一基板；成長於基板上的多層金屬/介電質材料搭配的奈米直柱結構，奈米直柱結構具有一組態，奈米直柱結構成長完成後是大約平行於基板法線方向。
简体摘要：表面增强拉曼光谱(SERS)传感基板第一实施例包含：一基板；成长于基板上的多层金属/介电质材料搭配的奈米直柱结构，奈米直柱结构具有一组态，奈米直柱结构成长完成后是大约平行于基板法线方向。

3. 发明专利

TW201612956A 沈積層的方法、製造電晶體的方法、用於電子裝置的層堆疊及電子裝置审中-公开
简体标题：沉积层的方法、制造晶体管的方法、用于电子设备的层堆栈及电子设备
公开(公告)号：TW201612956A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104119743
申请日：2015-06-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：戈塞恩達拉姆 , GOSAIN, DHARAM
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/22 , H01L21/28
CPC分类号： C23C14/226 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/3405 , H01L29/4908 , H01L29/66757
摘要：揭露一種在基板上方沈積材料的層的方法。方法包括以造成第一柱成長方向的第一沈積方向沈積層的第一部分；及以造成第二柱成長方向的第二沈積方向沈積層的第二部分，其中第二柱成長方向是不同於第一柱成長方向。
简体摘要：揭露一种在基板上方沉积材料的层的方法。方法包括以造成第一柱成长方向的第一沉积方向沉积层的第一部分；及以造成第二柱成长方向的第二沉积方向沉积层的第二部分，其中第二柱成长方向是不同于第一柱成长方向。

4. 发明专利

TW201510206A 電致變色膜及其相關方法审中-公开
简体标题：电致变色膜及其相关方法
公开(公告)号：TW201510206A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125537
申请日：2014-07-25
申请人： HPO資產有限責任公司 , HPO ASSETS LLC
发明人：翠伊科夫斯卡布洛奇艾尼塔 , TRAJKOVSKA-BROACH, ANITA , 孫英 , SUN, YING , 卡卡納斯基威廉 , KOKONASKI, WILLIAM , 蒙蒂科內皮爾P , MONTICONE, PIER PAOLO , 施尼博格尼克勞斯 , SCHNEEBERGER, NIKLAUS
IPC分类号： C09K9/00 , B32B9/00 , G02F1/153 , B82Y40/00 , B82B3/00
CPC分类号： G02F1/15 , B82Y30/00 , C23C14/083 , C23C14/226 , C23C14/505 , C25D7/00 , C25D9/04 , C25D13/02 , C25D13/12 , G02F2202/36 , Y10T156/10
摘要：揭示電致變色薄膜疊層及於電致變色薄膜疊層內之不同層。亦揭示這些疊層之製造方法。在一具體實施例中，一電致變色疊層包含奈米結構化電致變色層。可藉由各種方法製造這些疊層，包括但不侷限於斜角沈積(glancing angle deposition)、傾斜角沈積、電泳法、電解質沈積，及原子層沈積。奈米結構化電致變色層具有高比表面積、顯著反應時間，及較高變色效率。
简体摘要：揭示电致变色薄膜叠层及于电致变色薄膜叠层内之不同层。亦揭示这些叠层之制造方法。在一具体实施例中，一电致变色叠层包含奈米结构化电致变色层。可借由各种方法制造这些叠层，包括但不局限于斜角沉积(glancing angle deposition)、倾斜角沉积、电泳法、电解质沉积，及原子层沉积。奈米结构化电致变色层具有高比表面积、显着反应时间，及较高变色效率。

5. 发明专利

TW201007818A 利用斜向沈積形成之奈米結構薄膜及其方法 NANOSTRUCTURED THIN-FILM FORMED BY UTILIZING OBLIQUE-ANGLE DEPOSITION AND METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：利用斜向沉积形成之奈米结构薄膜及其方法 NANOSTRUCTURED THIN-FILM FORMED BY UTILIZING OBLIQUE-ANGLE DEPOSITION AND METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW201007818A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW097131039
申请日：2008-08-14
申请人：國立交通大學
发明人：張家華 , 楊勁生 , 邱清華 , 余沛慈 , 郭浩中
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/226 , C23C14/086 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/249953 , Y10T428/249978
摘要：本發明提出了一種利用斜向沈積技術形成之透明導電氧化物奈米結構及其方法。該方法使用電子槍來蒸鍍靶材，其蒸鍍基板設置在多個可轉動傾斜的平板上，並具有氣體控制閥控制氣體的通入，及一加熱源控制腔體內溫度，並於蒸鍍後進行退火製程，以改善薄膜結構與光電性質。
简体摘要：本发明提出了一种利用斜向沉积技术形成之透明导电氧化物奈米结构及其方法。该方法使用电子枪来蒸镀靶材，其蒸镀基板设置在多个可转动倾斜的平板上，并具有气体控制阀控制气体的通入，及一加热源控制腔体内温度，并于蒸镀后进行退火制程，以改善薄膜结构与光电性质。

6. 发明专利

TWI372418B 利用斜向沈積形成之奈米結構薄膜及其方法 NANOSTRUCTURED THIN-FILM FORMED BY UTILIZING OBLIQUE-ANGLE DEPOSITION AND METHOD OF THE SAME 有权
简体标题：利用斜向沉积形成之奈米结构薄膜及其方法 NANOSTRUCTURED THIN-FILM FORMED BY UTILIZING OBLIQUE-ANGLE DEPOSITION AND METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI372418B
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：TW097131039
申请日：2008-08-14
申请人：國立交通大學
发明人：張家華 , 楊勁生 , 邱清華 , 余沛慈 , 郭浩中
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/226 , C23C14/086 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/249953 , Y10T428/249978
摘要：本發明提出了一種利用斜向沈積技術形成之透明導電氧化物奈米結構及其方法。該方法使用電子槍來蒸鍍靶材，其蒸鍍基板設置在多個可轉動傾斜的平板上，並具有氣體控制閥控制氣體的通入，及一加熱源控制腔體內溫度，並於蒸鍍後進行退火製程，以改善薄膜結構與光電性質。
简体摘要：本发明提出了一种利用斜向沉积技术形成之透明导电氧化物奈米结构及其方法。该方法使用电子枪来蒸镀靶材，其蒸镀基板设置在多个可转动倾斜的平板上，并具有气体控制阀控制气体的通入，及一加热源控制腔体内温度，并于蒸镀后进行退火制程，以改善薄膜结构与光电性质。

7. 发明专利

TW200946349A 親水性片材及基材表面之超親水化方法审中-公开
简体标题：亲水性片材及基材表面之超亲水化方法
公开(公告)号：TW200946349A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098106243
申请日：2009-02-26
申请人：日東電工股份有限公司
发明人：寺田好夫
IPC分类号： B32B , B23B , C23C , B08B
CPC分类号： C23C14/226 , B08B17/06 , Y02T50/67 , Y10T428/24612
摘要：本發明提供一種親水性片材，其對水具有高潤濕性，可藉由水洗而容易地去除所附著之污垢或異物，又，可防止由水滴附著所引起之霧氣。又，本發明提供一種對任意基材之表面賦予對水之高潤濕性的方法。本發明之親水性片材於支持體之表面具備距該表面之仰角未滿90度而突出之傾斜柱狀結構體之集合層，且該集合層之表面之水接觸角為10度以下。又，本發明之基材表面之超親水化方法係使基材之表面超親水化者，其利用斜向蒸鍍法而於該基材之表面形成距該表面之仰角未滿90度而突出之傾斜柱狀結構體之集合層。
简体摘要：本发明提供一种亲水性片材，其对水具有高润湿性，可借由水洗而容易地去除所附着之污垢或异物，又，可防止由水滴附着所引起之雾气。又，本发明提供一种对任意基材之表面赋予对水之高润湿性的方法。本发明之亲水性片材于支持体之表面具备距该表面之仰角未满90度而突出之倾斜柱状结构体之集合层，且该集合层之表面之水接触角为10度以下。又，本发明之基材表面之超亲水化方法系使基材之表面超亲水化者，其利用斜向蒸镀法而于该基材之表面形成距该表面之仰角未满90度而突出之倾斜柱状结构体之集合层。

8. 发明专利

TWI238983B 無機配向膜之形成方法、無機配向膜、電子裝置用基板、液晶面板及電子機器有权
简体标题：无机配向膜之形成方法、无机配向膜、电子设备用基板、液晶皮肤及电子机器
公开(公告)号：TWI238983B
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW093126388
申请日：2004-09-01
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：太田英伸 OTA, HIDENOBU , 遠藤幸弘 ENDO, YUKIHIRO
IPC分类号： G09F , G02F
CPC分类号： C23C14/10 , B32B17/06 , C23C14/226 , C23C14/35 , G02F1/133734 , Y10T428/1005 , Y10T428/1045
摘要：一種無機配向膜之形成方法，無機配向膜，電子裝置用基板，液晶面板以及電子機器，其課題：係提供耐光性優異，且，可產生預傾角之無機配向膜，以及提供具備如此無機配向膜之電子裝置用基板，和提供液晶面板及電子機器，又，提供如此的無機配向膜的形成方法。
其解決手段：本發明的無機配向膜的形成方法，係經由電磁濺鍍法於基材上形成無機配向膜之方法，其特徵係基材附近之環境壓力為5.0×10-2Pa以下，於對向基材而設置之標靶，令電漿衝撞，導引出濺鍍粒子，將該濺鍍粒子，對於形成基材之無機配向膜之面之垂直方向，自僅傾斜特定之角度θs之方向，照射於基材上，於基材上，形成主要以無機材料構成之無機配向膜。特定之角度θs，係60°以上為佳。基材與標靶的距離，係150mm以上。
简体摘要：一种无机配向膜之形成方法，无机配向膜，电子设备用基板，液晶皮肤以及电子机器，其课题：系提供耐光性优异，且，可产生预倾角之无机配向膜，以及提供具备如此无机配向膜之电子设备用基板，和提供液晶皮肤及电子机器，又，提供如此的无机配向膜的形成方法。其解决手段：本发明的无机配向膜的形成方法，系经由电磁溅镀法于基材上形成无机配向膜之方法，其特征系基材附近之环境压力为5.0×10-2Pa以下，于对向基材而设置之标靶，令等离子冲撞，导引出溅镀粒子，将该溅镀粒子，对于形成基材之无机配向膜之面之垂直方向，自仅倾斜特定之角度θs之方向，照射于基材上，于基材上，形成主要以无机材料构成之无机配向膜。特定之角度θs，系60°以上为佳。基材与标靶的距离，系150mm以上。

9. 发明专利

TW200521908A 無機配向膜之形成方法、無機配向膜、電子裝置用基板、液晶面板及電子機器审中-公开
简体标题：无机配向膜之形成方法、无机配向膜、电子设备用基板、液晶皮肤及电子机器
公开(公告)号：TW200521908A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093126388
申请日：2004-09-01
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：太田英伸 OTA, HIDENOBU , 遠藤幸弘 ENDO, YUKIHIRO
IPC分类号： G09F , G02F
CPC分类号： C23C14/10 , B32B17/06 , C23C14/226 , C23C14/35 , G02F1/133734 , Y10T428/1005 , Y10T428/1045
摘要：一種無機配向膜之形成方法，無機配向膜，電子裝置用基板，液晶面板以及電子機器，其課題：係提供耐光性優異，且，可產生預傾角之無機配向膜，以及提供具備如此無機配向膜之電子裝置用基板，和提供液晶面板及電子機器，又，提供如此的無機配向膜的形成方法。其解決手段：本發明的無機配向膜的形成方法，係經由電磁濺鍍法於基材上形成無機配向膜之方法，其特徵係基材附近之環境壓力為5.0×10^–2Pa以下，於對向基材而設置之標靶，令電漿衝撞，導引出機鍍粒子，將該濺鍍粒子，對於形成基材之無機配向膜之面之垂直方向，自僅傾斜特定之角度θs之方向，照射於基材上，於基材上，形成主要以無機材料構成之無機配向膜。特定之角度θs，係60°以上為佳。基材與標靶的距離，係150mm以上。
简体摘要：一种无机配向膜之形成方法，无机配向膜，电子设备用基板，液晶皮肤以及电子机器，其课题：系提供耐光性优异，且，可产生预倾角之无机配向膜，以及提供具备如此无机配向膜之电子设备用基板，和提供液晶皮肤及电子机器，又，提供如此的无机配向膜的形成方法。其解决手段：本发明的无机配向膜的形成方法，系经由电磁溅镀法于基材上形成无机配向膜之方法，其特征系基材附近之环境压力为5.0×10^–2Pa以下，于对向基材而设置之标靶，令等离子冲撞，导引出机镀粒子，将该溅镀粒子，对于形成基材之无机配向膜之面之垂直方向，自仅倾斜特定之角度θs之方向，照射于基材上，于基材上，形成主要以无机材料构成之无机配向膜。特定之角度θs，系60°以上为佳。基材与标靶的距离，系150mm以上。

10. 发明专利

TW494256B 供液晶顯示器中改良的灰度表現之用的光學補償器失效
简体标题：供液晶显示器中改良的灰度表现之用的光学补偿器
公开(公告)号：TW494256B
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：TW084103214
申请日：1995-04-01
申请人：洛克威爾國際公司
发明人：布魯斯K.溫克 , 威廉J.賈寧三世 , 唐納德B.塔伯 , 賴納德G.哈勒
IPC分类号： G02F
CPC分类号： C23C14/226 , G02B5/3083 , G02F1/133632 , G02F1/133634 , G02F1/133636 , G02F2413/105
摘要：本發明係有關可從相對於一垂直於顯示器之垂直軸的各種角度來觀看的一種液晶顯示器，其包含一具有一吸收軸之偏光板層；一分析器層，其具有一大致垂直於該偏光板層之吸收軸的吸收軸；一液晶層，其被配置於該偏光板層和該分析器層之間並且具有一經由該層而相對於該垂直軸呈現一方位扭轉的導引子；一個近接於該液晶層之第一主要表面的第一電極；一個近接於該液晶層之第二主要表面的第二電極，該第一和第二電極被設置成當該等電極被連至一電壓源時，會施加一橫跨該液晶層之電壓；以及一補償器，該補償器包含一被配置在該偏光板層和該分析器層之間，且其主對稱軸之方向相對於該垂直軸大致成一傾斜角度的正雙折射O-板補償器層。
简体摘要：本发明系有关可从相对于一垂直于显示器之垂直轴的各种角度来观看的一种液晶显示器，其包含一具有一吸收轴之偏光板层；一分析器层，其具有一大致垂直于该偏光板层之吸收轴的吸收轴；一液晶层，其被配置于该偏光板层和该分析器层之间并且具有一经由该层而相对于该垂直轴呈现一方位扭转的导引子；一个近接于该液晶层之第一主要表面的第一电极；一个近接于该液晶层之第二主要表面的第二电极，该第一和第二电极被设置成当该等电极被连至一电压源时，会施加一横跨该液晶层之电压；以及一补偿器，该补偿器包含一被配置在该偏光板层和该分析器层之间，且其主对称轴之方向相对于该垂直轴大致成一倾斜角度的正双折射O-板补偿器层。

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