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1. 发明专利

TW201418912A 以固體原料與水混合之組合物可用於電子製造業中移除聚合物且不傷害金屬之方法审中-公开
简体标题：以固体原料与水混合之组合物可用于电子制造业中移除聚合物且不伤害金属之方法
公开(公告)号：TW201418912A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102132259
申请日：2013-09-06
申请人：摩爾約翰 , MOORE, JOHN
发明人：摩爾約翰 , MOORE, JOHN , 蔡榮華 , TSAI, RICHARD , 邱文鴻 , CHIU, FRANK
IPC分类号： G03F7/42 , C11D17/00 , B08B3/08 , H01L21/304
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/00 , C11D1/004 , C11D3/0073 , C11D3/044 , C11D3/08 , C11D3/1213 , C11D3/1233 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/37 , C11D3/3753 , C11D3/3776 , C11D3/378 , C11D7/06 , C11D7/12 , C11D7/14 , C11D7/16 , C11D7/261 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/268 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C11D7/34 , G03F7/42 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要：本發明提供適用於自基板(例如電子裝置基板)移除有機物質之組合物及方法。本發明提出一種方法，其使用最小量固體形式濃縮物，將其稀釋於水中、引入製造工具中且加熱、塗覆至該基板歷時足夠時間以使得可滲透且移除有機物質，且即刻以水沖洗以達成完全移除。該等組合物及方法尤其適於移除且完全溶解在製造平板顯示器(flat panel display，FPD)及其他電子基板中最常用之正型光致抗蝕劑。
简体摘要：本发明提供适用于自基板(例如电子设备基板)移除有机物质之组合物及方法。本发明提出一种方法，其使用最小量固体形式浓缩物，将其稀释于水中、引入制造工具中且加热、涂覆至该基板历时足够时间以使得可渗透且移除有机物质，且即刻以水冲洗以达成完全移除。该等组合物及方法尤其适于移除且完全溶解在制造平板显示器(flat panel display，FPD)及其他电子基板中最常用之正型光致抗蚀剂。

2. 发明专利

TWI470077B 自動洗淨機用粉末洗淨劑組合物有权
简体标题：自动洗净机用粉末洗净剂组合物
公开(公告)号：TWI470077B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW099145336
申请日：2010-12-22
申请人：花王股份有限公司 , KAO CORPORATION
发明人：齊藤慎也 , SAITO, SHINYA , 吉川清章 , YOSHIKAWA, KIYOAKI , 鈴木信行 , SUZUKI, NOBUYUKI
IPC分类号： C11D7/10 , C11D7/32 , C11D7/60
CPC分类号： C11D3/3761 , C11D3/08 , C11D3/10 , C11D3/2086 , C11D3/33 , C11D7/12 , C11D7/14 , C11D7/265 , C11D7/3245

3. 发明专利

TW200932832A 高負電動勢多面體倍半矽氧烷組合物以及無損害半導體濕式清潔方法 HIGH NEGATIVE ZETA POTENTIAL POLYHEDRAL SILSESQUIOXANE COMPOSITION AND METHOD FOR DAMAGE FREE SEMICONDUCTOR WET CLEAN 失效
简体标题：高负电动势多面体倍半硅氧烷组合物以及无损害半导体湿式清洁方法 HIGH NEGATIVE ZETA POTENTIAL POLYHEDRAL SILSESQUIOXANE COMPOSITION AND METHOD FOR DAMAGE FREE SEMICONDUCTOR WET CLEAN
公开(公告)号：TW200932832A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097143846
申请日：2008-11-13
申请人：沙琛公司 SACHEM, INC.
发明人：郝建軍 HAO, JIANJUN
IPC分类号： C08L , C08K , B08B , H01L
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/044 , C11D3/08 , C11D3/162 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/06 , C11D7/14 , C11D7/22 , H01L21/02057
摘要：一種用以自積體電路基板移除微粒物質之組合物,包括(a)一或多種不含金屬離子的鹼;(b)多面體倍半矽氧烷之水溶性不含金屬離子的鹽;(c)氧化劑;和(d)不含金屬離子的水,及藉由合併包含(a)、(b)、(c)和(d)之成份而得之組合物。一種用以自積體電路裝置表面移除微粒物質之方法,包括在表面施用包括(a)、(b)、(c)和(d)之組合物或在表面施用藉由合併包括(a)、(b)、(c)和(d)之成份而得之組合物。
简体摘要：一种用以自集成电路基板移除微粒物质之组合物,包括(a)一或多种不含金属离子的碱;(b)多面体倍半硅氧烷之水溶性不含金属离子的盐;(c)氧化剂;和(d)不含金属离子的水,及借由合并包含(a)、(b)、(c)和(d)之成份而得之组合物。一种用以自集成电路设备表面移除微粒物质之方法,包括在表面施用包括(a)、(b)、(c)和(d)之组合物或在表面施用借由合并包括(a)、(b)、(c)和(d)之成份而得之组合物。

4. 发明专利

TW201610102A 具有金屬、電介質及氮化物相容性之抗反射塗層清洗及蝕刻後殘留物移除組成物审中-公开
简体标题：具有金属、电介质及氮化物兼容性之抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物移除组成物
公开(公告)号：TW201610102A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104118109
申请日：2015-06-04
申请人：安堤格里斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：庫珀艾曼紐 , COOPER, EMANUEL I. , 利比史蒂芬 , LIPPY, STEVEN , 宋凌雁 , SONG, LINGYAN
IPC分类号： C09K13/06 , C11D7/08 , C11D7/50 , C11D7/36 , C11D7/32 , C23F11/04 , B08B3/04 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31133 , C09K13/08 , C09K13/10 , C11D7/08 , C11D7/14 , C11D7/22 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/0276 , H01L21/31111
摘要：本發明係關於一種自其上具有抗反射塗層(ARC)材料及/或蝕刻後殘留物之基板移除該等材料的液體移除組成物及方法。該組成物在積體電路之製造中達成ARC材料及/或蝕刻後殘留物之至少部分移除同時對基板上之金屬物質(諸如鋁、銅及鈷合金)有最小蝕刻，且不會損壞半導體架構中所使用之低k電介質及含氮化物材料。
简体摘要：本发明系关于一种自其上具有抗反射涂层(ARC)材料及/或蚀刻后残留物之基板移除该等材料的液体移除组成物及方法。该组成物在集成电路之制造中达成ARC材料及/或蚀刻后残留物之至少部分移除同时对基板上之金属物质(诸如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻，且不会损坏半导体架构中所使用之低k电介质及含氮化物材料。

5. 发明专利

TW201606051A 鈦或鈦化合物用之剝離液及配線形成方法审中-公开
简体标题：钛或钛化合物用之剥离液及配线形成方法
公开(公告)号：TW201606051A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104120177
申请日：2015-06-23
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：江藤崇弘 , ETO, TAKAHIRO , 菅原每 , SUGAWARA, MAI
IPC分类号： C09K13/02 , C11D7/32 , C11D7/06 , C11D7/18 , C11D7/14 , C11D7/36 , H01L21/3105 , H01L21/306 , H01L21/3213
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/02 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/14 , C11D7/36 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要：本發明提供一種循環使用時即使經時後仍可維持安定且優異之剝離去除性能之鈦或鈦化合物用之剝離液、及使用該剝離液之配線形成方法。本發明之鈦或鈦化合物用之剝離液含有鹼性化合物、過氧化氫、水、及由矽酸鹼金屬鹽及雙膦酸鹽(bisphosphonate)化合物所組成之群選出之至少1種螯合劑。上述鈦化合物較好為氮化鈦。且，上述剝離液較好為由鈦或鈦化合物所成之硬質遮罩的剝離液。
简体摘要：本发明提供一种循环使用时即使经时后仍可维持安定且优异之剥离去除性能之钛或钛化合物用之剥离液、及使用该剥离液之配线形成方法。本发明之钛或钛化合物用之剥离液含有碱性化合物、过氧化氢、水、及由硅酸碱金属盐及双膦酸盐(bisphosphonate)化合物所组成之群选出之至少1种螯合剂。上述钛化合物较好为氮化钛。且，上述剥离液较好为由钛或钛化合物所成之硬质遮罩的剥离液。

6. 发明专利

TW201226554A 自動洗淨機用粉末洗淨劑組合物审中-公开
简体标题：自动洗净机用粉末洗净剂组合物
公开(公告)号：TW201226554A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099145343
申请日：2010-12-22
申请人：花王股份有限公司
发明人：齊藤慎也 , 吉川清章 , 鈴木信行
IPC分类号： C11D
CPC分类号： C11D3/3761 , C11D3/08 , C11D3/10 , C11D7/12 , C11D7/14
摘要：本發明係關於一種硬質物品之自動洗淨機用粉末洗淨劑組合物，其以特定條件含有(a)選自聚丙烯酸或其鹽以及丙烯酸與馬來酸之共聚物或其鹽中之聚合物、(b)選自偏矽酸鹽及正矽酸鹽中之矽酸鹽、以及(c)碳酸鹽。
简体摘要：本发明系关于一种硬质物品之自动洗净机用粉末洗净剂组合物，其以特定条件含有(a)选自聚丙烯酸或其盐以及丙烯酸与马来酸之共聚物或其盐中之聚合物、(b)选自偏硅酸盐及正硅酸盐中之硅酸盐、以及(c)碳酸盐。

7. 发明专利

TWI441920B 用於移除蝕刻殘餘物之基於經過氧化物活化之金屬氧酸鹽的調配物有权
简体标题：用于移除蚀刻残余物之基于经过氧化物活化之金属氧酸盐的调配物
公开(公告)号：TWI441920B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW097105089
申请日：2008-02-13
申请人：艾萬拓股份有限公司 , AVANTOR PERFORMANCE MATERIALS, INC.
发明人：格倫沃斯伍德 , WESTWOOD, GLENN
IPC分类号： C11D7/08 , C11D7/14 , C11D7/32 , C11D11/00
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/14 , C11D7/3245

8. 发明专利

TWI357928B 塵埃去除用組合物有权
简体标题：尘埃去除用组合物
公开(公告)号：TWI357928B
公开(公告)日：2012-02-11
申请号：TW093127563
申请日：2004-09-10
申请人：富馬奇拉股份有限公司
发明人：永井新一 , 村本孝允 , 杉山隆史
IPC分类号： C11D
CPC分类号： C11D17/0043 , C11D7/14 , C11D17/041 , C11D17/049
摘要：本發明之課題在於，提供可以有效去除室內塵埃之塵埃去除用粉末狀組合物、分散液或溶液、噴霧劑以及薄片。本發明係關於由含有層狀矽酸鹽而形成之塵埃去除用粉末狀組合物、塵埃去除用分散液或溶液，將前述分散液或溶液填充到噴霧容器中而形成之塵埃去除用噴霧劑，以及含浸前述分散液或溶液之薄片材料而形成之塵埃去除用薄片，其可以用於去除室內塵埃。
简体摘要：本发明之课题在于，提供可以有效去除室内尘埃之尘埃去除用粉末状组合物、分散液或溶液、喷雾剂以及薄片。本发明系关于由含有层状硅酸盐而形成之尘埃去除用粉末状组合物、尘埃去除用分散液或溶液，将前述分散液或溶液填充到喷雾容器中而形成之尘埃去除用喷雾剂，以及含浸前述分散液或溶液之薄片材料而形成之尘埃去除用薄片，其可以用于去除室内尘埃。

9. 发明专利

TWI324797B 由一表面移除顆粒的方法 METHOD FOR REMOVING PARTICLES FROM A SURFACE 有权
简体标题：由一表面移除颗粒的方法 METHOD FOR REMOVING PARTICLES FROM A SURFACE
公开(公告)号：TWI324797B
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：TW095105226
申请日：2006-02-16
申请人：蘭研究公司
发明人：普費佛亞歷山大
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B3/12 , C11D3/08 , C11D7/14 , C11D11/0047 , C11D11/007 , H01L21/02057 , H01L21/02096
摘要：本發明揭露一種清潔表面之方法，該方法包含一清潔步驟，該清潔步驟係於該半導體表面上施用一水性清潔介質，其中該清潔介質包含呈膠狀懸浮之清潔顆粒，以及一機械振動，該機械振動在該清潔步驟期間之至少部分的時間施予欲被移除之顆粒上。 Method for cleaning a surface is disclosed comprising a cleaning step with an aqueous cleaning medium, which is supplied to said semiconductor surface wherein the cleaning medium comprises cleaning particles suspended in a colloidal form and mechanical agitation is applied to the particles to be removed for at least part of the time during the cleaning step. 【創作特點】發明概要
本發明藉由提供一種用於從半導體表面上移除顆粒之方法來達成該等目的，該方法包含一清潔步驟，其中於該半導體表面施用一水性清潔介質。該清潔介質包含呈膠狀懸浮之清潔顆粒。此外，在該清潔步驟期間之至少部分的時間，對欲被移除之顆粒施予機械振動。
該清潔介質之施用可藉由將該半導體晶圓以及該半導體表面浸入該清潔介質，或者是藉由將該清潔介質分配於該半導體晶圓之該表面上。機械振動可藉由如超音波能、噴嘴或刷洗提供。
可透過振動液體或振動基材，對欲被移除之顆粒進行機械振動。
此液體之振動可選自於包含下列之群組：超音波能、施予加速的液滴、施予連續的液束、旋轉盤狀物件、以流速快到足以對平行於盤狀物件之表面，產生最小0.1m/s之平均速率，流過盤狀物件之表面。其它可能之液體之振動係光。此情況係使用雷射光，產生接近個別顆粒(距離
简体摘要：本发明揭露一种清洁表面之方法，该方法包含一清洁步骤，该清洁步骤系于该半导体表面上施用一水性清洁介质，其中该清洁介质包含呈胶状悬浮之清洁颗粒，以及一机械振动，该机械振动在该清洁步骤期间之至少部分的时间施予欲被移除之颗粒上。 Method for cleaning a surface is disclosed comprising a cleaning step with an aqueous cleaning medium, which is supplied to said semiconductor surface wherein the cleaning medium comprises cleaning particles suspended in a colloidal form and mechanical agitation is applied to the particles to be removed for at least part of the time during the cleaning step. 【创作特点】发明概要本发明借由提供一种用于从半导体表面上移除颗粒之方法来达成该等目的，该方法包含一清洁步骤，其中于该半导体表面施用一水性清洁介质。该清洁介质包含呈胶状悬浮之清洁颗粒。此外，在该清洁步骤期间之至少部分的时间，对欲被移除之颗粒施予机械振动。该清洁介质之施用可借由将该半导体晶圆以及该半导体表面浸入该清洁介质，或者是借由将该清洁介质分配于该半导体晶圆之该表面上。机械振动可借由如超音波能、喷嘴或刷洗提供。可透过振动液体或振动基材，对欲被移除之颗粒进行机械振动。此液体之振动可选自于包含下列之群组：超音波能、施予加速的液滴、施予连续的液束、旋转盘状对象、以流速快到足以对平行于盘状对象之表面，产生最小0.1m/s之平均速率，流过盘状对象之表面。其它可能之液体之振动系光。此情况系使用激光光，产生接近个别颗粒(距离<1μm)之小蒸汽泡泡(微泡)，借此引起微振波。较佳地，该清洁颗粒由无机材料构成，因为半导体工业中之基材与大部分的层，系由无机材料构成。然而，假如将要清洁的是有机表面，(如有机低介电(low－k)材料)，则较佳地可使用由有机材料构成之胶体颗粒。于本发明之一较佳具体例中，构成清洁颗粒之材料与欲被清洁之表面上至少一种材料的化学性质一致。此系因为，一方面颗粒与欲被清洁之表面间之凡得瓦力以及静电力，和另一方面颗粒与由基材材料构成之清洁颗粒(胶体)间之凡得瓦力以及静电力系一致的。因此，颗粒对该清洁颗粒以及对欲被清洁之基材具有至少相同的吸附力。假如要清洁的是如硅晶圆，则该清洁颗粒较佳地系由胶体二氧化硅(硅胶)构成，因为硅典型地会在硅上面形成作为钝化层之原生氧化物。此硅胶可在如Grace(Ludox)或H.C.Starck(Levasil)购得。硅胶系较佳的，因为在工业上可获得足够的纯度。适当的平均颗粒大小系在1至100 nm之范围内(较佳地从3至30 nm)。假如由基材材料制成之胶体于基材上产生沉积，则不考虑如“破坏性颗粒(killer particles)”之小的颗粒。假如于半导体表面上之组件具有特定的最小组件尺寸，则较佳的是该清洁颗粒之平均颗粒尺寸小于该最小的组件尺寸之一半。于半导体工业中，该最小的组件尺寸在250 nm至现行的45 nm之范围内作变化，且在未来的某个时候预期可至10 nm。于另一个具体例中，于该清洁介质中之颗粒的浓度系于0.0001至1 g/l(较佳地0.001至0.01 g/l)之范围内。一方面，最小量的胶体颗粒有助于达致良好的清洁效力。另一方面，太多的胶体颗粒会增加凝集以及胶体黏附至基材表面上的风险。有利地，该颗粒具有大于100 m 2 /g(较佳地大于200 m 2 /g)之比颗粒表面积。比颗粒表面积系一个表示粉末之颗粒尺寸之可靠的方法。扫描式电子显微镜可用于测定颗粒尺寸。然而，典型地平均颗粒尺寸系使用比颗粒表面积(m 2 /g)来描绘特性。干粉末之比颗粒表面积可用氮吸附法(BET－值)测定。硅胶(如H.C.Starck Levasil)之比颗粒表面积可大略地以浊度的等级来评估。具比颗粒表面积低于100 m 2 /g之二氧化硅悬浮体显示出乳白液状，低于200 m 2 /g显示出液态蛋白光，而高于300 m 2 /g时，该悬浮体几乎是清澈的。于又另一个具体例中，该清洁介质具有离子强度低于2 mol/l。离子强度决定由基材材料制成之胶体颗粒以及基材，分别与欲被清洁之颗粒间接近的距离。离子强度大于每升2莫耳时，由表面材料制得之颗粒与该表面材料本身之间不会产生排斥作用。于另一个具体例中，该清洁介质具有pH值低于10(较佳地9)。低pH值(较佳地低于7)时，有可能同时移除金属或金属离子污染物。此一清洁溶液可进一步包含氧化剂(较佳地为过氧化氢或臭氧)。该氧化剂之较佳的浓度系10 ppm至10重量%(更佳地100 ppm至1%)。氧化剂用来移除有机或金属污染物，且可作为氧储藏所，其在超高频音波清洁期间维持泡泡的形成(气穴)。在提高氧化剂的分解方面，可在该清洁溶液中添加催化剂(如I －离子与OH －供用于过氧化氢，Cl －离子供用于臭氧)。选择性地，溶于去离子水中之气体(如CO2)亦可用作为气体贮藏所。该清洁溶液可包含润湿剂，其进一步支持欲被移除之颗粒从表面上的松脱作用。例如可使用2－丙二醇或丙酮，因为其等易于挥发，因此不会在表面上留下污点。该清洁溶液亦可包含错合剂，其支持某些金属离子的移除。例如可使用CDTA，因为其于氧化环境中非常的安定。有利地，该方法在该清洁步骤之后进一步包含一使用水性漂洗介质之漂洗步骤，其中该漂洗介质实质上不含颗粒。较佳地，该漂洗步骤系在该表面没有进行中间干燥之情况下，随即在该清洁步骤之后进行。基材与由基材表面材料制成之胶体间之直接的化学键结，只可能在物理接触后，即干燥之后。因此，胶体颗粒(可能由表面材料构成)可在漂洗步骤期间，借由机械振动而更轻易地从该基材上移除。有利地，该漂洗步骤在该清洁步骤停止之前开始。于浸渍工具(如湿式清洗台)中，含颗粒之清洁介质可直接由该漂洗液体(如去离子水或稀酸)取代。该机械振动有利地系透过超音波能(较佳地1至2 MHz之超高频音波)来实施。此透过超音波能之机械振动可借由超音波振动液体或超音波振动基材来实施。为了要在使用清洁介质时降低凡得瓦力与静电力，颗粒与基材间必须存在些许的液体。为了保持此薄薄的中间液体层，在该颗粒与该基材间，最好需要最少的机械冲击。以上所提及之具体例之每个可想像得到之结合均被视为在本发明之范畴内。

10. 发明专利

TW200636839A 由一表面移除顆粒的方法 METHOD FOR REMOVING PARTICLES FROM A SURFACE 审中-公开
简体标题：由一表面移除颗粒的方法 METHOD FOR REMOVING PARTICLES FROM A SURFACE
公开(公告)号：TW200636839A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW095105226
申请日：2006-02-16
申请人：賽茲股份有限公司 SEZ AG
发明人：普費佛亞歷山大 PFEUFFER, ALEXANDER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B3/12 , C11D3/08 , C11D7/14 , C11D11/0047 , C11D11/007 , H01L21/02057 , H01L21/02096
摘要：本發明揭露一種清潔表面之方法，該方法包含一清潔步驟，該清潔步驟係於該半導體表面上施用一水性清潔介質，其中該清潔介質包含呈膠狀懸浮之清潔顆粒，以及一機械振動，該機械振動在該清潔步驟期間之至少部分的時間施予欲被移除之顆粒上。
简体摘要：本发明揭露一种清洁表面之方法，该方法包含一清洁步骤，该清洁步骤系于该半导体表面上施用一水性清洁介质，其中该清洁介质包含呈胶状悬浮之清洁颗粒，以及一机械振动，该机械振动在该清洁步骤期间之至少部分的时间施予欲被移除之颗粒上。

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