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1. 发明专利

TW201805317A 聚合物、正型光阻材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：聚合物、正型光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201805317A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106117798
申请日：2017-05-31
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 土門大將 , DOMON, DAISUKE
IPC分类号： C08F232/08 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F212/14 , C09D125/18 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/0045 , G03F7/0048 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38 , C08F212/32 , C08F236/14 , C08F2220/1891
摘要：本發明提供適合作為比起習知之正型光阻材料有更高的高解像度且線邊緣粗糙度小之正型光阻材料之基礎樹脂的聚合物、含有此聚合物之正型光阻材料、及使用此正型光阻材料之圖案形成方法。一種聚合物，含有下式(a)表示之重複單元、下式(b)表示之重複單元、及下式(c)表示之重複單元，重量平均分子量為1,000~500,000；式中，R1為鹵素原子、羥基、直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷基、直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基、或乙醯氧基；R2為酸不安定基；R3及R4各自獨立地為鹵素原子、或碳數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基；p為0或1；q及r各自獨立地0~4之整數。
简体摘要：本发明提供适合作为比起习知之正型光阻材料有更高的高解像度且线边缘粗糙度小之正型光阻材料之基础树脂的聚合物、含有此聚合物之正型光阻材料、及使用此正型光阻材料之图案形成方法。一种聚合物，含有下式(a)表示之重复单元、下式(b)表示之重复单元、及下式(c)表示之重复单元，重量平均分子量为1,000~500,000；式中，R1为卤素原子、羟基、直链状或分支状之碳数1~4之烷基、直链状或分支状之碳数1~4之烷氧基、或乙酰氧基；R2为酸不安定基；R3及R4各自独立地为卤素原子、或碳数1~6之直链状或分支状之烷基；p为0或1；q及r各自独立地0~4之整数。

2. 发明专利

TW201504321A 具有良好加工特性之經降低冷流的聚合物审中-公开
简体标题：具有良好加工特性之经降低冷流的聚合物
公开(公告)号：TW201504321A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103114449
申请日：2014-04-22
申请人：朗盛德意志有限公司 , LANXESS DEUTSCHLAND GMBH
发明人：施坦豪斯諾伯特 , STEINHAUSER, NORBERT , 葛洛斯湯瑪士 , GROSS, THOMAS
IPC分类号： C08L47/00 , C08F236/02 , C07F7/18 , C08F8/44 , C08J3/24 , B60C1/00
CPC分类号： C08F236/14 , B60C1/00 , B60C1/0016 , C07F7/0805 , C07F7/1848 , C08C19/25 , C08C19/30 , C08C19/36 , C08C19/44 , C08G77/14 , C08J2347/00 , C08K3/04 , C08K3/045 , C08K3/36 , C08K5/18 , C08L13/00 , C08L9/00
摘要：本發明係關於一種具有良好加工特性之經降低冷流的聚合物，其在聚合物鏈之末端具有式(I)的含矽烷之羧基其中R1、R2係為相同或不同以及各自為H、烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、芳基、芳基氧基、烷芳基、烷芳基氧基、芳烷基或芳烷氧基，其可含有一或多個雜原子，較佳為O、N、S或Si，R3、R4係為相同或不同以及各自為H、烷基、環烷基、芳基、烷芳基或芳烷基，其可含有一或多個雜原子，較佳為O、N、S或Si，A係為二價有機基團，其可含有一或多個雜原子，較佳為O、N、S或Si，以及C和H。
简体摘要：本发明系关于一种具有良好加工特性之经降低冷流的聚合物，其在聚合物链之末端具有式(I)的含硅烷之羧基其中R1、R2系为相同或不同以及各自为H、烷基、烷氧基、环烷基、环烷氧基、芳基、芳基氧基、烷芳基、烷芳基氧基、芳烷基或芳烷氧基，其可含有一或多个杂原子，较佳为O、N、S或Si，R3、R4系为相同或不同以及各自为H、烷基、环烷基、芳基、烷芳基或芳烷基，其可含有一或多个杂原子，较佳为O、N、S或Si，A系为二价有机基团，其可含有一或多个杂原子，较佳为O、N、S或Si，以及C和H。

3. 发明专利

TW201004987A 共軛二烯系聚合物及其製造方法、與、共軛二烯系聚合物組成物及硫化物 CONJUGATED DIENE POLYMER, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND CONJUGATED DIENE POLYMER COMPOSITION AND VULCANIZATE 审中-公开
简体标题：共轭二烯系聚合物及其制造方法、与、共轭二烯系聚合物组成物及硫化物 CONJUGATED DIENE POLYMER, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND CONJUGATED DIENE POLYMER COMPOSITION AND VULCANIZATE
公开(公告)号：TW201004987A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098109943
申请日：2009-03-26
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：藤井徹 , 大嶋真弓
IPC分类号： C08F , C08L , C08K , C08C
CPC分类号： C08L19/006 , C08C19/44 , C08F236/14 , C08F2/001
摘要：本發明係提供共軛二烯系聚合物，其特徵係具有基於共軛二烯之構成單元與下式(I)所表示的構成單元，基於共軛二烯的構成單元與基於共軛二烯的構成單元之間具有式(I)所表示的構成單元，式(I)所表示的構成單元的含量係聚合物鏈每1條為1單元或2單元。而且，提供摻合前述共軛二烯系聚合物與填充劑而成的共軛二烯系聚合物組成物、前述共軛二烯系聚合物的製造方法。
(式中，X 1 、X 2 及X 3 各自獨立地表示下式(II)所表示的基、羥基、烴基或取代烴基；X 1 、X 2 及X 3 的至少1個為下式(II)所表示的基或羥基)
(式中，R 1 及R 2 各自獨立地表示碳原子數為1~6的烴基、碳原子數為1~6的取代烴基、矽烷基或取代矽烷基；R 1 及R 2 鍵結而與N原子一起形成環結構亦可)。
简体摘要：本发明系提供共轭二烯系聚合物，其特征系具有基于共轭二烯之构成单元与下式(I)所表示的构成单元，基于共轭二烯的构成单元与基于共轭二烯的构成单元之间具有式(I)所表示的构成单元，式(I)所表示的构成单元的含量系聚合物链每1条为1单元或2单元。而且，提供掺合前述共轭二烯系聚合物与填充剂而成的共轭二烯系聚合物组成物、前述共轭二烯系聚合物的制造方法。 (式中，X 1 、X 2 及X 3 各自独立地表示下式(II)所表示的基、羟基、烃基或取代烃基；X 1 、X 2 及X 3 的至少1个为下式(II)所表示的基或羟基) (式中，R 1 及R 2 各自独立地表示碳原子数为1~6的烃基、碳原子数为1~6的取代烃基、硅烷基或取代硅烷基；R 1 及R 2 键结而与N原子一起形成环结构亦可)。

4. 发明专利

TW201134837A 經修飾的聚合物組成物（一） MODIFIED POLYMER COMPOSITIONS 审中-公开
简体标题：经修饰的聚合物组成物（一） MODIFIED POLYMER COMPOSITIONS
公开(公告)号：TW201134837A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099144748
申请日：2010-12-20
申请人：斯泰隆歐洲有限責任公司
发明人：蒂勒史文K H , 魯赫夫薩斯恰 , 克諾蘇珊尼
IPC分类号： C08F
CPC分类号： C08F236/14 , B60C1/00 , C08C19/44 , C08F4/48 , C08F36/04 , C08F136/14 , C08L9/00 , C08L9/06 , C08L2205/02 , C08L2314/00 , Y10T428/139
摘要：本發明提供了一種第一組成物，其包含至少下列：i)一經修飾的聚合物，其包含至少一個分支經修飾的聚合物巨分子(b1)以及至少一個線型經修飾的聚合物巨分子(a1)，以及其中該至少一個分支經修飾的聚合物巨分子及該至少一個線型經修飾的聚合物巨分子各自，分別地，包含選自式(1A-1F)所構成的群組之至少一個胺基，各自如上所述：
及其等之組合；以及其中該至少一個分支經修飾的聚合物巨分子進一步包含如上所述的結構(ib1-ib4)之一者，以及該至少一個線型經修飾的聚合物巨分子進一步包含如上所述的結構(iib1)之一者(見式3A)：
简体摘要：本发明提供了一种第一组成物，其包含至少下列：i)一经修饰的聚合物，其包含至少一个分支经修饰的聚合物巨分子(b1)以及至少一个线型经修饰的聚合物巨分子(a1)，以及其中该至少一个分支经修饰的聚合物巨分子及该至少一个线型经修饰的聚合物巨分子各自，分别地，包含选自式(1A-1F)所构成的群组之至少一个胺基，各自如上所述：及其等之组合；以及其中该至少一个分支经修饰的聚合物巨分子进一步包含如上所述的结构(ib1-ib4)之一者，以及该至少一个线型经修饰的聚合物巨分子进一步包含如上所述的结构(iib1)之一者(见式3A)：

5. 发明专利

TW201004988A 共軛二烯系聚合物、共軛二烯系聚合物組成物及共軛二烯系聚合物之製造方法 CONJUGATED DIENE POLYMER, CONJUGATED DIENE POLYMER COMPOSITION, AND PROCESS FOR PRODUCING CONJUGATED DIENE POLYMER 审中-公开
简体标题：共轭二烯系聚合物、共轭二烯系聚合物组成物及共轭二烯系聚合物之制造方法 CONJUGATED DIENE POLYMER, CONJUGATED DIENE POLYMER COMPOSITION, AND PROCESS FOR PRODUCING CONJUGATED DIENE POLYMER
公开(公告)号：TW201004988A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098109944
申请日：2009-03-26
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：大嶋真弓 , 藤井徹
IPC分类号： C08F , C08L , C08C
CPC分类号： C08F290/06 , C08C19/44 , C08F236/14 , C08F279/02 , C08F290/068 , C08F293/00 , C08K3/013 , C08F2/001 , C08L19/006
摘要：本發明係關於共軛二烯系聚合物，其係具有基於共軛二烯的構成單元，於聚合物鏈的兩末端具有下式(I)所表示的基，
(R 1 表示氫原子、碳原子數為1~20的烴基、碳原子數為1~20的取代烴基；X 1 、X 2 及X 3 表示下式(II)所表示的基、羥基、烴基或取代烴基；X 1 、X 2 及X 3 的至少之一者為下式(II)所表示的基或羥基)
(R 2 及R 3 表示碳原子數為1~6的烴基、碳原子數為1~6的取代烴基等；R 2 及R 3 可鍵結而形成環構造)。此外，亦關於摻合前述共軛二烯系聚合物與填充劑而成的共軛二烯系聚合物組成物、前述共軛二烯系聚合物之製造方法、共軛二烯系聚合物組成物之製造方法、硫化物、及、硫化物之製造方法。
简体摘要：本发明系关于共轭二烯系聚合物，其系具有基于共轭二烯的构成单元，于聚合物链的两末端具有下式(I)所表示的基， (R 1 表示氢原子、碳原子数为1~20的烃基、碳原子数为1~20的取代烃基；X 1 、X 2 及X 3 表示下式(II)所表示的基、羟基、烃基或取代烃基；X 1 、X 2 及X 3 的至少之一者为下式(II)所表示的基或羟基) (R 2 及R 3 表示碳原子数为1~6的烃基、碳原子数为1~6的取代烃基等；R 2 及R 3 可键结而形成环构造)。此外，亦关于掺合前述共轭二烯系聚合物与填充剂而成的共轭二烯系聚合物组成物、前述共轭二烯系聚合物之制造方法、共轭二烯系聚合物组成物之制造方法、硫化物、及、硫化物之制造方法。

6. 发明专利

TW200902566A 水溶性共聚合物及水性分散劑审中-公开
简体标题：水溶性共聚合物及水性分散剂
公开(公告)号：TW200902566A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097110072
申请日：2008-03-21
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：別所啓一 BESSHO, KEIICHI , 崎山博史 SAKIYAMA, HIROSHI , 瀨古智昭 SEKO, TOMOAKI
IPC分类号： C08F , B01F
CPC分类号： C08F236/14 , C08F220/06 , C08F220/34 , C08F220/56
摘要：本發明提供一種可使粒徑極小的分散體充分地分散,適於作為超微粒子用之水性分散劑的水溶性共聚合物及由此水溶性共聚合物而成之水性分散劑。本發明之水溶性共聚合物,其特徵為將含有以(a)(甲基)丙烯酸(鹽)、與(b)異戊二烯磺酸(鹽)、與(c)至少1種選自N-(甲基)丙烯醯嗎、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺之化合物為必須成分而成的單體組成物藉由共聚合而得。
简体摘要：本发明提供一种可使粒径极小的分散体充分地分散,适于作为超微粒子用之水性分散剂的水溶性共聚合物及由此水溶性共聚合物而成之水性分散剂。本发明之水溶性共聚合物,其特征为将含有以(a)(甲基)丙烯酸(盐)、与(b)异戊二烯磺酸(盐)、与(c)至少1种选自N-(甲基)丙烯酰吗、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺之化合物为必须成分而成的单体组成物借由共聚合而得。

7. 发明专利

TW201712045A 含有腈基的高飽和共聚物橡膠、交聯性橡膠組合物以及橡膠交聯物审中-公开
简体标题：含有腈基的高饱和共聚物橡胶、交联性橡胶组合物以及橡胶交联物
公开(公告)号：TW201712045A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105123849
申请日：2016-07-28
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：菅原慎介 , SUGAWARA, SHINSUKE , 中井章人 , NAKAI, AKITO
IPC分类号： C08F2/22 , C08C19/02 , C08F236/14 , C08F2/44
CPC分类号： C08F236/14 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08K5/11 , C08K5/14 , C08L15/00
摘要：提供一種含有腈基的高飽和共聚物橡膠，其具有α,β-乙烯性不飽和腈單體單元(a1)10~40重量%、α,β-乙烯性不飽和單羧酸酯單體單元(a2)10~60重量%及共軛二烯單體單元(a3)20~70重量%，碘價為35~85。
简体摘要：提供一种含有腈基的高饱和共聚物橡胶，其具有α,β-乙烯性不饱和腈单体单元(a1)10~40重量%、α,β-乙烯性不饱和单羧酸酯单体单元(a2)10~60重量%及共轭二烯单体单元(a3)20~70重量%，碘价为35~85。

8. 发明专利

TW201444882A 具有圖型之基板之製造方法及氫氟酸蝕刻用樹脂組成物审中-公开
简体标题：具有图型之基板之制造方法及氢氟酸蚀刻用树脂组成物
公开(公告)号：TW201444882A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103103395
申请日：2014-01-28
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：佐藤哲夫 , SATO, TETSUO
IPC分类号： C08G18/69 , C08G63/40 , C08F290/06 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/033 , G03F7/40
CPC分类号： C08L47/00 , C08F236/14 , C08F290/06 , C08G18/348 , C08G18/6208 , C08G18/6541 , C08G18/69 , C08G18/755 , C08K3/36 , C08K5/053 , C08K5/09 , C08K5/20 , C08K5/54 , C08L2203/16 , C09D175/04 , C09D175/16 , C09J151/08 , G03F7/027 , G03F7/032 , G03F7/035 , G03F7/0388 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , C08G18/672
摘要：本發明之課題為提供一種樹脂組成物，其係適合形成在蝕刻加工玻璃基板、或是具有SiO2或SiN等絕緣膜之基板之際的阻劑膜，及提供使用該樹脂組成物的各種基板之製造方法。解決課題之手段為一種具有藉由蝕刻所形成之圖型之基板之製造方法，其特徵係包含下述步驟：將包含作為(A)成分的使選自聚丁二烯多元醇、氫化聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇及氫化聚異戊二烯多元醇的多元醇(a1)與交聯劑(a2)反應所得到的樹脂的組成物塗佈於基板上，以形成阻劑膜之步驟；與蝕刻加工形成有該阻劑膜的基板，以圖型化之步驟。
简体摘要：本发明之课题为提供一种树脂组成物，其系适合形成在蚀刻加工玻璃基板、或是具有SiO2或SiN等绝缘膜之基板之际的阻剂膜，及提供使用该树脂组成物的各种基板之制造方法。解决课题之手段为一种具有借由蚀刻所形成之图型之基板之制造方法，其特征系包含下述步骤：将包含作为(A)成分的使选自聚丁二烯多元醇、氢化聚丁二烯多元醇、聚异戊二烯多元醇及氢化聚异戊二烯多元醇的多元醇(a1)与交联剂(a2)反应所得到的树脂的组成物涂布于基板上，以形成阻剂膜之步骤；与蚀刻加工形成有该阻剂膜的基板，以图型化之步骤。

9. 发明专利

TW201022301A 共軛二烯系聚合物，共軛二烯系聚合物組成物及共軛二烯系聚合物之製造方法 CONJUGATED DIENE POLYMER, CONJUGATED DIENE POLYMER COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING CONJUGATED DIENE POLYMER 审中-公开
简体标题：共轭二烯系聚合物，共轭二烯系聚合物组成物及共轭二烯系聚合物之制造方法 CONJUGATED DIENE POLYMER, CONJUGATED DIENE POLYMER COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING CONJUGATED DIENE POLYMER
公开(公告)号：TW201022301A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098127606
申请日：2009-08-17
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：大嶋真弓
IPC分类号： C08F
CPC分类号： C08F2/06 , C08C19/42 , C08C19/44 , C08F4/08 , C08F212/08 , C08F230/08 , C08F236/10 , C08F236/14 , C08L15/00 , C08L19/006 , C08L43/04
摘要：本發明為提供一種共軛二烯系聚合物，其為具有以共軛二烯為基礎之構成單位與下式（I）所表示之構成單位的共軛二烯系聚合物，其特徵為受下式（II）所表示之化合物使聚合物之至少一端改質所得。
〔式中，X 1 、X 2 及X 3 ，各自獨立表示下式（Ia）所表示之基、羥基、烴基或經取代之烴基，X 1 、X 2 及X 3 中至少1個為下式（Ia）所表示之基或羥基〕。
〔式中，R 1 及R 2 ，各自獨立表示碳原子數為1～6之烴基、碳原子數為1～6之經取代之烴基、矽烷基或經取代之矽烷基，R 1 及R 2 可鍵結並與氮原子共同形成環構造〕。
〔式中，n，表示1～10之整數，R 3 表示氫原子、碳原子數為1～6之烴基或碳原子數為1～6之經取代之烴基，A 1 ，表示氧原子或-NR 4 -基（R 4 ，表示氫原子或碳原子數為1～10之烴基），A 2 ，表示具有氮原子及／或氧原子之官能基〕。
简体摘要：本发明为提供一种共轭二烯系聚合物，其为具有以共轭二烯为基础之构成单位与下式（I）所表示之构成单位的共轭二烯系聚合物，其特征为受下式（II）所表示之化合物使聚合物之至少一端改质所得。〔式中，X 1 、X 2 及X 3 ，各自独立表示下式（Ia）所表示之基、羟基、烃基或经取代之烃基，X 1 、X 2 及X 3 中至少1个为下式（Ia）所表示之基或羟基〕。〔式中，R 1 及R 2 ，各自独立表示碳原子数为1～6之烃基、碳原子数为1～6之经取代之烃基、硅烷基或经取代之硅烷基，R 1 及R 2 可键结并与氮原子共同形成环构造〕。〔式中，n，表示1～10之整数，R 3 表示氢原子、碳原子数为1～6之烃基或碳原子数为1～6之经取代之烃基，A 1 ，表示氧原子或-NR 4 -基（R 4 ，表示氢原子或碳原子数为1～10之烃基），A 2 ，表示具有氮原子及／或氧原子之官能基〕。

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