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    • 10. 发明专利
    • 具有MFI-結構之合成沸石的製法
    • 具有MFI-结构之合成沸石的制法
    • TW593147B
    • 2004-06-21
    • TW089122466
    • 2000-10-25
    • 蘇德化學股份有限公司 SUD-CHEMIE AKTIENGESELLSCHAFT
    • 戈斯 柏格菲爾斯 BURGFELS, GOTZ荷賽夫 史考林勒 SCHONLINNER, JOSEF佛德瑞奇 史密茲 SCHMIDT, FRIEDRICH
    • C01BC07C
    • C01B39/40B01J29/40B01J35/002B01J35/023B01J35/1019B01J35/1038B01J35/108C07C5/2737C07C2529/40Y02P20/52Y10S423/22C07C15/08
    • 述及一種製備合成沸石之方法,其中該合成沸石具有 MFI結構及約8至45的Si/Al原子比和非常小的原微晶體,該方法係將一Si源和一Al源和一有機模板在水熱條件下彼此反應,由是使Si/Al原子比達到約9:50且該原微晶體的最長軸對最短軸之比值達到約1.0至15:1:該方法的特徵在於該反應係在籽晶存在中進行的,其中該籽晶的平均粒度為約10至100奈米(nm),較佳者20至50奈米且係得自較早的製備沒有從母液分離出者。
      本發明沸石的特徵在於具有下列諸特性之組合:
      (a)Si/Al原子比為8至45:1;
      (b)原微晶體尺寸為約0.01至0.05微米;
      (c)原微晶體的最長軸對最短軸比例為約1.0至1.5:1;
      (d)具有最高強度的X-射線繞射譜線所具強度( Dmax=3.685±0.015)對ZSM11沸石( Dmax=11.5A),絲光沸石(Dmax=9.06A),α-白矽石(Dmax=3.345A),和方沸石( Dmax=4.83A)的X-射線繞射譜線所具強度之比值為>500:1。
      本發明方法的進一步發展之特徵在於更將反應產物利用離子交換轉換成其H形式及在於透過黏合劑的添加製造模製物體,且於該模製物體製造之前或之後添加視情況且有催化活性的非高貴金屬成分及/或高貴金屬成分。
      該合成沸石可用為觸媒,特別是供酸催化反應,氧化,還原和吸附所用的觸媒。
    • 述及一种制备合成沸石之方法,其中该合成沸石具有 MFI结构及约8至45的Si/Al原子比和非常小的原微晶体,该方法系将一Si源和一Al源和一有机模板在水热条件下彼此反应,由是使Si/Al原子比达到约9:50且该原微晶体的最长轴对最短轴之比值达到约1.0至15:1:该方法的特征在于该反应系在籽晶存在中进行的,其中该籽晶的平均粒度为约10至100奈米(nm),较佳者20至50奈米且系得自较早的制备没有从母液分离出者。 本发明沸石的特征在于具有下列诸特性之组合: (a)Si/Al原子比为8至45:1; (b)原微晶体尺寸为约0.01至0.05微米; (c)原微晶体的最长轴对最短轴比例为约1.0至1.5:1; (d)具有最高强度的X-射线绕射谱线所具强度( Dmax=3.685±0.015)对ZSM11沸石( Dmax=11.5A),丝光沸石(Dmax=9.06A),α-白硅石(Dmax=3.345A),和方沸石( Dmax=4.83A)的X-射线绕射谱线所具强度之比值为>500:1。 本发明方法的进一步发展之特征在于更将反应产物利用离子交换转换成其H形式及在于透过黏合剂的添加制造模制物体,且于该模制物体制造之前或之后添加视情况且有催化活性的非高贵金属成分及/或高贵金属成分。 该合成沸石可用为触媒,特别是供酸催化反应,氧化,还原和吸附所用的触媒。