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1. 发明专利

TW200640705A 前驅物組合物、前驅物組合物之製造方法、墨水噴射塗佈用墨水、鐵電體膜之製造方法、壓電元件、半導體裝置、壓電致動器、墨水噴射式記錄頭及墨水噴射印表機 PRECURSOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING PRECURSOR COMPOSITION, INKJET COATING INK, METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, INKJET RECORDING HEAD, AND INKJET PRINTER 审中-公开
简体标题：前驱物组合物、前驱物组合物之制造方法、墨水喷射涂布用墨水、铁电体膜之制造方法、压电组件、半导体设备、压电致动器、墨水喷射式记录头及墨水喷射打印机 PRECURSOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING PRECURSOR COMPOSITION, INKJET COATING INK, METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, INKJET RECORDING HEAD, AND INKJET PRINTER
公开(公告)号：TW200640705A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094146378
申请日：2005-12-23
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：木島健 KIJIMA, TAKESHI , 岩下節也 IWASHITA, SETSUYA , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI
IPC分类号： B41J , H01L
CPC分类号： C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B2235/3251 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C09D11/30 , C09D11/36 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L41/1876 , H01L41/318
摘要：本發明提供一種於液相法中，組合控制性良好且可再利用鉛等金屬成分之鐵電體形成用之前驅物組合物、該前驅物組合物之製造方法以及使用前驅物組合物的鐵電體膜之製造方法。一種前驅物組合物，其係含有用以形成鐵電體之前驅物者，上述鐵電體以通式AB1-XCXO3表示，A元素至少包含Pb，B元素包含Zr、Ti、V、W及Hf之至少一種，C元素包含Nb及Ta之至少一種，上述前驅物至少含有上述B元素以及C元素，並且一部分具有酯鍵，上述前驅物溶解或分散於有機溶劑，上述有機溶劑至少含有第一醇與沸點以及黏度高於該第一醇之第二醇。
简体摘要：本发明提供一种于液相法中，组合控制性良好且可再利用铅等金属成分之铁电体形成用之前驱物组合物、该前驱物组合物之制造方法以及使用前驱物组合物的铁电体膜之制造方法。一种前驱物组合物，其系含有用以形成铁电体之前驱物者，上述铁电体以通式AB1-XCXO3表示，A元素至少包含Pb，B元素包含Zr、Ti、V、W及Hf之至少一种，C元素包含Nb及Ta之至少一种，上述前驱物至少含有上述B元素以及C元素，并且一部分具有酯键，上述前驱物溶解或分散于有机溶剂，上述有机溶剂至少含有第一醇与沸点以及黏度高于该第一醇之第二醇。

2. 发明专利

TW400314B 具有高介電常數及低燒結溫度之介電瓷組成物失效
简体标题：具有高介电常数及低烧结温度之介电瓷组成物
公开(公告)号：TW400314B
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：TW085101965
申请日：1996-02-16
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：森透
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/495 , C04B35/499
摘要：一種介電瓷組成物包括各x、y與z之組成比例之鎂鎢酸鉛(Pb(Mg1/2 W1/2)O3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、與鋯酸鉛(PbZrO3)作為主要成份,其中在三維系統之(x,y, z)點位於或在該三維系統之(0.725,0.25,0.025)、(0.45,0.525,0.025)、(0.30,0.30,0.40)與(0.475,0.125,0.40)四個點界定之四個直線段所構成之界限，如圖l所描述,而且其中該主要成份添加有0.1-5.0莫耳%之莫耳比例之至少一種稀土氧化物。
简体摘要：一种介电瓷组成物包括各x、y与z之组成比例之镁钨酸铅(Pb(Mg1/2 W1/2)O3)、钛酸铅(PbTiO3)、与锆酸铅(PbZrO3)作为主要成份,其中在三维系统之(x,y, z)点位于或在该三维系统之(0.725,0.25,0.025)、(0.45,0.525,0.025)、(0.30,0.30,0.40)与(0.475,0.125,0.40)四个点界定之四个直线段所构成之界限，如图l所描述,而且其中该主要成份添加有0.1-5.0莫耳%之莫耳比例之至少一种稀土氧化物。

3. 发明专利

TW201035347A Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物燒結體濺鍍靶、Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物薄膜及該薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物烧结体溅镀靶、Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物薄膜及该薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201035347A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099109053
申请日：2010-03-26
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：高見英生 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/62222 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/5436 , G11B7/24062 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
摘要： Ti-Nb系氧化物燒結體濺鍍靶，其特徵在於：由鈦(Ti)、鈮(Nb)、剩餘部分為氧及不可避免之雜質所構成，Ti與Nb之原子比為0.39≦(Nb／(Ti+Nb))≦0.79。主要課題在於：得到具有高折射率且低消光係數之Ti-Nb系氧化物燒結體濺鍍靶、以及使用該靶獲得Ti-Nb系氧化物薄膜，並且可高速成膜。該薄膜之透射率優異，反射率之降低以及變動較少，適用作為使用於光資訊記錄媒體之干涉膜、保護膜或光記錄媒體之構成層之一部分的薄膜，並且適用於玻璃基板，即亦可使用作為熱線反射膜、抗反射膜、干涉濾光器。
简体摘要： Ti-Nb系氧化物烧结体溅镀靶，其特征在于：由钛(Ti)、铌(Nb)、剩余部分为氧及不可避免之杂质所构成，Ti与Nb之原子比为0.39≦(Nb／(Ti+Nb))≦0.79。主要课题在于：得到具有高折射率且低消光系数之Ti-Nb系氧化物烧结体溅镀靶、以及使用该靶获得Ti-Nb系氧化物薄膜，并且可高速成膜。该薄膜之透射率优异，反射率之降低以及变动较少，适用作为使用于光信息记录媒体之干涉膜、保护膜或光记录媒体之构成层之一部分的薄膜，并且适用于玻璃基板，即亦可使用作为热线反射膜、抗反射膜、干涉滤光器。

4. 发明专利

TW203142B 低溫裐燒介電組成物及其用途失效
简体标题：低温裐烧介电组成物及其用途
公开(公告)号：TW203142B
公开(公告)日：1993-04-01
申请号：TW081102868
申请日：1992-04-13
申请人：杜邦公司
发明人：伊恩.伯恩 , 羅利.多席克
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/497 , C04B35/499 , H01G4/1227 , H01G4/1254 , Y10S428/901
摘要：本發明係關於低溫燒之介電質組成物，其中含有以錳摻雜之鈮酸鉛鐵－鎢、鈦酸鋇等精細分割之粒子以及視情況，經分散在一種有機介質中之一種無機之燒結助劑的摻合物。此組成物可用以形成電容器，以及用於介電厚膜糊及泥漿澆鑄組成物中。
简体摘要：本发明系关于低温烧之介电质组成物，其中含有以锰掺杂之铌酸铅铁－钨、钛酸钡等精细分割之粒子以及视情况，经分散在一种有机介质中之一种无机之烧结助剂的掺合物。此组成物可用以形成电容器，以及用于介电厚膜煳及泥浆浇铸组成物中。

5. 发明专利

TW364217B 製造單體多層壓電式驅動器之方法失效
简体标题：制造单体多层压电式驱动器之方法
公开(公告)号：TW364217B
公开(公告)日：1999-07-11
申请号：TW086104356
申请日：1997-04-07
申请人：西門斯股份有限公司
发明人：卡爾魯比茲 , 漢斯希爾利布蘭德 , 戴特克雷姆爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L41/1876 , B32B18/00 , C01G23/003 , C01G25/006 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/499 , C04B35/6262 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3291 , C04B2235/6025 , C04B2235/786 , C04B2237/348 , C04B2237/66 , C04B2237/704 , H01L41/083 , H01L41/273 , Y10S310/80 , Y10T29/42
摘要：本發明提供由具有低A-位置摻雜之化學計算之PZT陶瓷(2)及含有銀和鈀之電極層(1)所造成之單體壓電式驅動器，此驅動器顯示具有良好壓電性質之改良式機械強度。該製造方法導致最佳之晶粒大小和最佳之壓電性質，不論陶瓷中之任何B-位置摻雜。可以獲得具有高達150℃高操作溫度之多層壓電式驅動器。
第1圖。
简体摘要：本发明提供由具有低A-位置掺杂之化学计算之PZT陶瓷(2)及含有银和钯之电极层(1)所造成之单体压电式驱动器，此驱动器显示具有良好压电性质之改良式机械强度。该制造方法导致最佳之晶粒大小和最佳之压电性质，不论陶瓷中之任何B-位置掺杂。可以获得具有高达150℃高操作温度之多层压电式驱动器。第1图。

6. 发明专利

TW354432B 介電體陶瓷組合物失效
简体标题：介电体陶瓷组合物
公开(公告)号：TW354432B
公开(公告)日：1999-03-11
申请号：TW086108218
申请日：1997-06-13
申请人：兵庫日本電氣股份有限公司
发明人：伊藤伸二
IPC分类号： H01L , H01B
CPC分类号： C04B35/499 , C04B35/493
摘要：一種介電體陶瓷組成物包括：四種含鉛的鈣鈦礦化合物(a)鎢酸鎂鉛、(b)鈮酸鎳鉛、(C)鈦酸鉛、(d)鋯酸鉛作為主要成分，以及更包括一稀土元素氧化物。藉由調整含鉛的鈣鈦礦化合物(a)-(d)與稀土元素氧化物的比例，可形成適合形成多層次陶瓷電容器的介電體陶瓷組合物，且該介電體陶瓷組合物具有低燒製溫度、在室溫下高介電常數，以及低的介電常數改變率的特點。
简体摘要：一种介电体陶瓷组成物包括：四种含铅的钙钛矿化合物(a)钨酸镁铅、(b)铌酸镍铅、(C)钛酸铅、(d)锆酸铅作为主要成分，以及更包括一稀土元素氧化物。借由调整含铅的钙钛矿化合物(a)-(d)与稀土元素氧化物的比例，可形成适合形成多层次陶瓷电容器的介电体陶瓷组合物，且该介电体陶瓷组合物具有低烧制温度、在室温下高介电常数，以及低的介电常数改变率的特点。

7. 发明专利

TW201644076A ＰＴＺＴ壓電體膜及其壓電體膜形成用液組成物之製造方法审中-公开
简体标题：ＰＴＺＴ压电体膜及其压电体膜形成用液组成物之制造方法
公开(公告)号：TW201644076A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105104486
申请日：2016-02-16
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：土井利浩 , DOI, TOSHIHIRO , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/43 , H01L41/318
CPC分类号： H01L41/18 , B41J2/14 , B41J2/16 , C01G35/00 , C01G35/006 , C04B35/499 , H01L41/187 , H01L41/318 , H01L41/319 , H01L41/43
摘要： PTZT壓電體膜係由含有Pb、Ta、Zr及Ti之鈣鈦礦構造之金屬氧化物所成，前述金屬氧化物進而含有碳，前述碳含量為80~800質量ppm。其壓電體膜形成用液組成物之製造方法係使Ta烷氧化物、Zr烷氧化物、β-二酮類及二醇回流，於回流所得之第1合成液中添加Ti烷氧化物再次回流，於再次回流所得之第2合成液中添加Pb化合物進一步回流，自進一步回流所得之第3合成液去除溶劑後，以醇稀釋製造PTZT壓電體膜形成用液組成物。該PTZT壓電體膜形成用液組成物於將Ta烷氧化物、Zr烷氧化物及Ti烷氧化物之合計量設為1莫耳時，分別含有二醇為7~11莫耳，β-二酮類為1.5~3.0莫耳之比例。
简体摘要： PTZT压电体膜系由含有Pb、Ta、Zr及Ti之钙钛矿构造之金属氧化物所成，前述金属氧化物进而含有碳，前述碳含量为80~800质量ppm。其压电体膜形成用液组成物之制造方法系使Ta烷氧化物、Zr烷氧化物、β-二酮类及二醇回流，于回流所得之第1合成液中添加Ti烷氧化物再次回流，于再次回流所得之第2合成液中添加Pb化合物进一步回流，自进一步回流所得之第3合成液去除溶剂后，以醇稀释制造PTZT压电体膜形成用液组成物。该PTZT压电体膜形成用液组成物于将Ta烷氧化物、Zr烷氧化物及Ti烷氧化物之合计量设为1莫耳时，分别含有二醇为7~11莫耳，β-二酮类为1.5~3.0莫耳之比例。

8. 发明专利

TWI424074B Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物燒結體濺鍍靶、Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物薄膜及該薄膜之製造方法有权
简体标题：Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物烧结体溅镀靶、Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物薄膜及该薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI424074B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099109053
申请日：2010-03-26
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：高見英生 , TAKAMI, HIDEO , 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/62222 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/5436 , G11B7/24062 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715

9. 发明专利

TW200639134A 具有高介電常數陶瓷材料核心之多成分低溫共燒金屬化陶瓷(LTCC)基材及其形成方法 MULTI-COMPONENT LTCC SUBSTRATE WITH A CORE OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT CERAMIC MATERIAL AND PROCESSES FOR THE DEVELOPMENT THEREOF 审中-公开
简体标题：具有高介电常数陶瓷材料内核之多成分低温共烧金属化陶瓷(LTCC)基材及其形成方法 MULTI-COMPONENT LTCC SUBSTRATE WITH A CORE OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT CERAMIC MATERIAL AND PROCESSES FOR THE DEVELOPMENT THEREOF
公开(公告)号：TW200639134A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095103116
申请日：2006-01-26
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：克里斯多夫R 尼司 NEEDES, CHRISTOPHER R. , 馬克弗瑞德瑞克麥可康 MCCOMBS, MARK FREDERICK , 古馬蘭曼肯坦奈爾 NAIR, KUMARAN MANIKANTAN
IPC分类号： C03C , C04B
CPC分类号： C03C14/004 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3272 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/9615 , H01G4/30 , H01L21/4857 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種製造低溫共燒陶瓷結構之方法，其包含：提供包含至少一層核心帶之前驅體生坯層壓物，其中該核心帶具有至少為20之介電常數；提供一或多層自我約束帶；提供一或多層主要帶；排列該等核心帶、自我約束帶及主要帶之層；及層壓且共燒該等核心帶、自我約束帶及主要帶之層以形成該陶瓷結構。
简体摘要：本发明系关于一种制造低温共烧陶瓷结构之方法，其包含：提供包含至少一层内核带之前驱体生坯层压物，其中该内核带具有至少为20之介电常数；提供一或多层自我约束带；提供一或多层主要带；排列该等内核带、自我约束带及主要带之层；及层压且共烧该等内核带、自我约束带及主要带之层以形成该陶瓷结构。

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