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1. 发明专利

TW201203638A 鐵電裝置 FERROELECTRIC DEVICE 失效
简体标题：铁电设备 FERROELECTRIC DEVICE
公开(公告)号：TW201203638A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100113808
申请日：2011-04-20
申请人：松下電工股份有限公司
发明人：小川純矢 , 山內規裕 , 松嶋朝明 , 相澤浩一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L41/1136 , B81B2201/032 , B81C1/00658 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/34 , G01P15/09 , G01P2015/0828 , H01L37/02 , H01L41/0815 , H02N2/186
摘要：本發明係關於一種鐵電裝置(ferroelectric device)，其係具備：形成於矽基板(第1基板)10之上述其中一表面側的下部電極(第1電極)14a、形成於下部電極14a中之第1基板10側之相反側的鐵電膜14b、及形成於鐵電膜14b中之下部電極14a側之相反側的上部電極(第2電極)14c，其中鐵電膜14b係藉由與矽具有晶格常數差之鐵電材料所形成。於下部電極14a之正下方設置有一緩衝層14d，此緩衝層14d相較於矽來說，係由與鐵電膜14b之晶格匹配性較佳之材料所構成的，於第1基板10中形成有一空洞10a，此空洞10a係使與緩衝層14d中之下部電極14a側之相反面予以露出。
简体摘要：本发明系关于一种铁电设备(ferroelectric device)，其系具备：形成于硅基板(第1基板)10之上述其中一表面侧的下部电极(第1电极)14a、形成于下部电极14a中之第1基板10侧之相反侧的铁电膜14b、及形成于铁电膜14b中之下部电极14a侧之相反侧的上部电极(第2电极)14c，其中铁电膜14b系借由与硅具有晶格常数差之铁电材料所形成。于下部电极14a之正下方设置有一缓冲层14d，此缓冲层14d相较于硅来说，系由与铁电膜14b之晶格匹配性较佳之材料所构成的，于第1基板10中形成有一空洞10a，此空洞10a系使与缓冲层14d中之下部电极14a侧之相反面予以露出。

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