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1. 发明专利

TW201738951A 半導體晶粒之分割方法及裝置审中-公开
简体标题：半导体晶粒之分割方法及设备
公开(公告)号：TW201738951A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106126351
申请日：2013-11-06
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：葛利夫納高登 M , GRIVNA,GORDON M.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/0017 , H01L21/3065 , H01L21/477 , H01L21/67092 , H01L21/67098 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54453 , Y02P80/30 , Y10T29/41 , Y10T225/304 , Y10T225/379 , Y10T225/386
摘要：在一項實施例中，藉由以下方式自具有一背部層之一晶圓分割晶粒：將該晶圓放置至一第一載體基板上，其中該背部層毗鄰該載體基板；透過該晶圓形成分割線，以在該等分割線內曝露該背部層；及使用一機械器件來將局域化壓力施加至該晶圓，以在該等分割線中分離該背部層。可透過接近於該背部層之該第一載體基板來施加該局域化壓力，或可透過附接至該晶圓之與該背部層相對之一前側之一第二載體基板來施加該局域化壓力。
简体摘要：在一项实施例中，借由以下方式自具有一背部层之一晶圆分割晶粒：将该晶圆放置至一第一载体基板上，其中该背部层毗邻该载体基板；透过该晶圆形成分割线，以在该等分割线内曝露该背部层；及使用一机械器件来将局域化压力施加至该晶圆，以在该等分割线中分离该背部层。可透过接近于该背部层之该第一载体基板来施加该局域化压力，或可透过附接至该晶圆之与该背部层相对之一前侧之一第二载体基板来施加该局域化压力。

2. 发明专利

TWI430968B 脆性材料裂斷裝置及脆性材料裂斷方法有权
简体标题：脆性材料裂断设备及脆性材料裂断方法
公开(公告)号：TWI430968B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098111098
申请日：2009-04-03
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：岡島康智 , OKAJIMA, YASUTOMO
IPC分类号： C03B33/02
CPC分类号： B28D1/225 , B28D5/0011 , B28D5/0017 , B28D5/0052 , C03B33/033

3. 发明专利

TWI601194B 半導體晶粒之分割方法及裝置有权
简体标题：半导体晶粒之分割方法及设备
公开(公告)号：TWI601194B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW102140335
申请日：2013-11-06
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：葛利夫納高登M , GRIVNA, GORDON M.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/0017 , H01L21/3065 , H01L21/477 , H01L21/67092 , H01L21/67098 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54453 , Y02P80/30 , Y10T29/41 , Y10T225/304 , Y10T225/379 , Y10T225/386

4. 发明专利

TW200948729A 脆性材料裂斷裝置及脆性材料裂斷方法审中-公开
简体标题：脆性材料裂断设备及脆性材料裂断方法
公开(公告)号：TW200948729A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098111098
申请日：2009-04-03
申请人：三星鑽石工業股份有限公司
发明人：岡島康智
IPC分类号： C03B
CPC分类号： B28D1/225 , B28D5/0011 , B28D5/0017 , B28D5/0052 , C03B33/033
摘要：本發明提供一種脆性材料裂斷裝置及脆性材料裂斷方法，其可一邊使脆性材料連續移動一邊予以裂斷，無須另外進行劃線與刀片之對準及位置修正等，即可確實予以裂斷。裂斷對象之脆性材料11之寬度，係較移動滾輪13,14之與脆性材料11之行進方向大致正交之方向的間隔寬；脆性材料11之劃線18，係於位在移動滾輪13,14外側之一端或兩端部分，形成為與脆性材料11之行進方向大致平行。於移動滾輪13,14接觸於脆性材料11之位置之外側之形成有劃線18,18之一端或兩端部分具備加壓滾輪15,15，在脆性材料11存在於藉由複數個移動滾輪13,14移動之區域之期間，係將加壓滾輪15,15往脆性材料11側下壓。
简体摘要：本发明提供一种脆性材料裂断设备及脆性材料裂断方法，其可一边使脆性材料连续移动一边予以裂断，无须另外进行划线与刀片之对准及位置修正等，即可确实予以裂断。裂断对象之脆性材料11之宽度，系较移动滚轮13,14之与脆性材料11之行进方向大致正交之方向的间隔宽；脆性材料11之划线18，系于位在移动滚轮13,14外侧之一端或两端部分，形成为与脆性材料11之行进方向大致平行。于移动滚轮13,14接触于脆性材料11之位置之外侧之形成有划线18,18之一端或两端部分具备加压滚轮15,15，在脆性材料11存在于借由复数个移动滚轮13,14移动之区域之期间，系将加压滚轮15,15往脆性材料11侧下压。

5. 发明专利

TW201421560A 半導體晶粒之分割方法及裝置审中-公开
简体标题：半导体晶粒之分割方法及设备
公开(公告)号：TW201421560A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102140335
申请日：2013-11-06
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：葛利夫納高登M , GRIVNA, GORDON M.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/0017 , H01L21/3065 , H01L21/477 , H01L21/67092 , H01L21/67098 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54453 , Y02P80/30 , Y10T29/41 , Y10T225/304 , Y10T225/379 , Y10T225/386
摘要：在一項實施例中，藉由以下方式自具有一背部層之一晶圓分割晶粒：將該晶圓放置至一第一載體基板上，其中該背部層毗鄰該載體基板；透過該晶圓形成分割線，以在該等分割線內曝露該背部層；及使用一機械器件來將局域化壓力施加至該晶圓，以在該等分割線中分離該背部層。可透過接近於該背部層之該第一載體基板來施加該局域化壓力，或可透過附接至該晶圓之與該背部層相對之一前側之一第二載體基板來施加該局域化壓力。
简体摘要：在一项实施例中，借由以下方式自具有一背部层之一晶圆分割晶粒：将该晶圆放置至一第一载体基板上，其中该背部层毗邻该载体基板；透过该晶圆形成分割线，以在该等分割线内曝露该背部层；及使用一机械器件来将局域化压力施加至该晶圆，以在该等分割线中分离该背部层。可透过接近于该背部层之该第一载体基板来施加该局域化压力，或可透过附接至该晶圆之与该背部层相对之一前侧之一第二载体基板来施加该局域化压力。

6. 发明专利

TW296501B 利用半導體桿之原處分裂以製造雷射之固定裝置及方法失效
简体标题：利用半导体杆之原处分裂以制造激光之固定设备及方法
公开(公告)号：TW296501B
公开(公告)日：1997-01-21
申请号：TW085104835
申请日：1996-04-23
申请人： AT&T公司
发明人：朱帝.法蘭克維拉.狄.瓊 , 亞德門.富雷德克.曲伯特 , 喬治.約翰.茲達克 , 詹姆士.丹尼斯.偉恩 , 歐普.庫馬.查羅伯特
IPC分类号： B28D , H01L , H01S
CPC分类号： H01L21/3043 , B28D5/0017 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/4025 , Y10T225/357
摘要：本發明係一種分裂半導體桿，並在真空環境中覆蓋斷裂刻面之儀器。該儀器係一種至少具有一個能將一或數個半導體樣品劈斷成半導體桿之旋轉器，並能安置這些半導體桿，使其斷裂刻面能立即覆蓋之裝置。該裝置可裝設在一處理室內，並在半導體樣品劈斷之前、過程之中或劈裂後立即將其覆蓋在傳統之覆蓋介質中。該裝置劈斷半導體樣品之方式可減少半導體樣品之浪費，且與其他劈斷及覆蓋之技術相較之下，也可降低處理環境之要求。一單致動饋通機構可由處理室外啟動該裝置。
简体摘要：本发明系一种分裂半导体杆，并在真空环境中覆盖断裂刻面之仪器。该仪器系一种至少具有一个能将一或数个半导体样品噼断成半导体杆之旋转器，并能安置这些半导体杆，使其断裂刻面能立即覆盖之设备。该设备可装设在一处理室内，并在半导体样品噼断之前、过程之中或噼裂后立即将其覆盖在传统之覆盖介质中。该设备噼断半导体样品之方式可减少半导体样品之浪费，且与其他噼断及覆盖之技术相较之下，也可降低处理环境之要求。一单致动馈通机构可由处理室外启动该设备。

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